【課題】ガラス基板の主平面の研磨において、上側研磨パッドへのガラス基板の張り付きを防止するとともに、ガラス基板のリーチング痕を防止し、主平面の面内における均一な平滑性に優れた磁気記録媒体用ガラス基板を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】この磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板の形状付与工程と、ガラス基板の主平面研磨工程と、洗浄工程とを有し、主平面研磨工程において、研磨パッドの研磨面の実効面積率（（Ａ−Ｂ）／Ａ×１００）を、上側研磨パッドにおいて７５〜９８％とするとともに、下側研磨パッドにおいて９９％以上（より好ましくは１００％）とする。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ²面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の研磨速度が大きく、被研磨面に研磨傷を発生させず、被研磨面の平坦性が高い金属用研磨液を提供する。
【解決手段】砥粒、酸化金属溶解剤及び水を含有した金属用研磨液であって、前記砥粒が、平均２次粒径が異なる砥粒を２種類以上含む。また、前記砥粒の平均２次粒径が１〜１０００ｎｍであることを特徴とする金属用研磨液。及び前記砥粒が、平均２次粒径５〜３９ｎｍの第一の砥粒と平均２次粒径４０〜３００ｎｍの第二の砥粒とを含むことを特徴とする金属用研磨液を含む。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂発泡体を有する研磨層を含有する研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体は、Ｍ成分のスピン−スピン緩和時間Ｔ２が１６０〜２６０μｓであり、
前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の４０℃、初期荷重１０ｇ、歪範囲０．０１〜４％、測定周波数０．２Ｈｚ、引っ張りモードにおける貯蔵弾性率Ｅ’が１〜３０ＭＰａであり、且つ、
前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の密度Ｄが０．３０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする、半導体デバイス研磨用の研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂発泡体を有する研磨層を含有する研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の縦弾性係数Ｅが４５０〜３００００ｋＰａの範囲内であり、且つ、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の密度Ｄが０．３０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする、半導体デバイス研磨用の研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】セリウムのみに依存しない新たな研磨材料を提供する。
【解決手段】 以下の組成物式（１）で表される酸化物を研磨材料として用いる。
Ａ_y（Ｆｅ_1-zＢ_z）Ｏ_x （１）
（ただし、Ａは、Ｃａ及びＳｒからなる群から選択される１種又は２種以上を示し、Ｂは、Ｃｏ及びＮｉから選択される１種又は２種以上を示し、２．５≦ｘ≦３，０．６≦ｙ＜１であり、０≦ｚ＜１である。） （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂発泡体を有する研磨層を含有する研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の下記式（１）で求められるハードセグメントの含有率（ＨＳＣ）が２６〜３４％の範囲内であり、且つ、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の密度Ｄが０．３０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする、半導体デバイス研磨用の研磨パッド。
ＨＳＣ＝１００×（ｒ−１）×（Ｍｄｉ＋Ｍｄａ）÷（Ｍｇ＋ｒ×Ｍｄｉ＋（ｒ−１）×Ｍｄａ） ・・・（１） （もっと読む）

【課題】ＣＭＰスラリーの使用量を削減しても、実用的な研磨速度で被研磨膜を研磨することが可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、ターンテーブル（１１）に支持され回転している研磨布（１２）に半導体基板（１４）上の被研磨膜を当接させる工程と、前記研磨布上における前記被研磨膜が当接する領域に、研磨フォーム（１５）を供給して前記被研磨膜を研磨する工程とを具備する。前記研磨フォームは、総量の０．０１〜２０質量％の研磨粒子および総量の０．１〜１０質量％の泡形成保持剤を含む水系分散体を泡状として得られる。 （もっと読む）

【課題】研削ブラシの自己磨耗による先端部の拘束力低下を防止することができるだけでなく、全長の初期寸法が比較的長い研削ブラシであっても腰の強さの低下を防止して研削作業を行うことができるブラシ研削装置を提供する。
【解決手段】研削ブラシ３の外周を覆って撓みを規制すると共に、研削ブラシ３の先端部を突出させて収容するブラシ収容部材５を設ける。ブラシホルダ２とブラシ収容部材５内の研削ブラシ３とをブラシ軸４で連結する。ブラシ収容部材５の下端開口の口径を拡縮させることにより研削ブラシ３に対する拘束力を可変させる拘束力可変手段８を設ける。拘束力可変手段８による研削ブラシ３の拘束が解除されているとき、ブラシ軸４で研削ブラシ３をブラシ収容部材５から押し出す。 （もっと読む）

【課題】セリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨する工程の後に、ガラスに付着した該セリウム系研磨剤を、熱濃硫酸を用いることなく、且つ洗浄に対する高度の要求を満たすように洗浄する工程を含むガラスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ランタンを含むセリウム系研磨剤でガラスを研磨する研磨工程とその後に洗浄液で該ガラスを洗浄する洗浄工程とを含むガラス製品の製造方法であって、該ランタンを含むセリウム系研磨剤がＬａＯＦ結晶を含まないセリウム系研磨剤であり、かつ該洗浄液がアスコルビン酸およびエリソルビン酸の少なくとも一方を含む洗浄液であるガラス製品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤおよび表面粗さを低減可能な研磨用組成物。
【解決手段】下記一般式（１）で表される少なくとも１種類の水溶性高分子と、アルカリとを含む。水溶性高分子は、例えば、変成ＰＶＡからなる。
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【課題】表面粗さが小さく平滑性の高いハードディスク用ガラス基板を安定して製造すること。
【解決手段】研磨砥粒を含む研磨液を用いてハードディスク用ガラス基板５０の表面を研磨する研磨工程を含むハードディスク用ガラス基板５０の製造方法において、研磨工程では、研磨液中の研磨砥粒の電荷と同じ符号の電荷を付与した研磨液貯留タンク１５，１７を用いる。研磨液のｐＨは１〜５である。研磨砥粒はコロイダルシリカであり、コロイダルシリカをマイナス帯電させた研磨液を用いる。研磨液貯留タンク１５，１７は樹脂製である。研磨工程は、研磨液を循環使用する循環使用工程と、この循環使用工程の後、研磨液を掛け流し使用する掛け流し使用工程とを含み、掛け流し使用工程において、電荷を付与した研磨液貯留タンク１７を用いる。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、研磨剤の化学的研磨作用に大きく依存せずに、ガラス表面に対する高い研磨レートを確保すること。
【解決手段】ガラス基板の主表面に対して遊離砥粒を含む研磨液を供給しつつ研磨パッドを摺接させて研磨する工程を備える。研磨パッドの表面には、ガラス基板の主表面と摺接する摺接部と、摺接部間に形成される溝とを設ける。そして、研磨パッドの表面の１平方メートル当たりに形成されている摺接部のエッジの長さの合計を２００ｍ以上とし、かつ、研磨パッドの表面の全領域に対する摺接部の領域の面積比率である充填率を８０％以上とする。 （もっと読む）

【課題】高さが数十ｎｍ、大きさが数十ｎｍ〜２０００ｎｍの凸状欠陥の発生を抑制できるマスクブランク用ガラス基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて両面研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨砥粒は、コロイダルシリカ砥粒を含み、研磨前の基板の濡れ性（接触角）は、θ／２法で測定したとき２０°未満である状態で前記研磨を行う、ことを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の製造において、金属を研磨する工程で用いられ、酸化剤を添加した後の、研磨用組成物のｐＨ変化の安定化ができる研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、水溶液中において酸化剤との共存下でｐＨを低下させる物質と、ｐＨ緩衝剤を含有する研磨用組成物であって、研磨用組成物１００ｇに対して、３１重量％の過酸化水素水を５．１６ｇ添加した場合の８日後のｐＨ変化の絶対値が０．５以下であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】ガラス体を傷つけるのを抑制しつつ、デブリを効果的に除去すること。
【解決手段】粒径が１μｍ以下の微粒状体を含有する含有液を保持した多孔質体８４を一方の面５０ｂに押し当てながら、ガラス体６０および多孔質体８４を、一方の面５０ｂに沿う面方向に相対的に移動させるデブリの除去方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、第１の液と第２の液とを混合して使用されるＣＭＰ研磨液であって、第１の液がセリウム系砥粒と分散剤と水とを含有し、第２の液がポリアクリル酸化合物と界面活性剤とｐＨ調整剤とリン酸化合物と水とを含有し、第２の液のｐＨが６．５以上であり、リン酸化合物の含有量が所定範囲となるように第１の液と第２の液とが混合される。また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、ｐＨ調整剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 （もっと読む）

【課題】小さくても研磨力が高く、かつ長期間使用しても研磨力が低下し難い研磨用メディア、かかる研磨用メディアを効率よく製造し得る研磨用メディアの製造方法、および、ムラなく効率的に研磨を行うことができる研磨方法を提供すること。
【解決手段】研磨用メディア１は、バレル研磨に使用されるものであり、金属組織とセラミックス組織とが混在した焼結体で構成されている。このような研磨用メディア１は、金属粉末とセラミックス粉末との混合粉末を、射出成形法により成形し、得られた成形体を焼結して製造されたものであることが好ましい。また、セラミックス組織は酸化アルミニウムで構成されていることが好ましく、金属組織はタングステンで構成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サファイア単結晶基板などのＡｌを含有する、高硬度の基材を、高速で研摩処理することが可能となり、高い面精度を有した研摩面を実現できる研摩処理技術を提供する。
【解決手段】本発明は、アルミニウムを含有する基材を研摩する研摩スラリーにおいて、砥粒と、２０℃での水に対する溶解度が０．１ｇ／１００ｇ−Ｈ_２Ｏ以上である無機ホウ素化合物と、水を含有することを特徴とする研摩スラリーに関する。本発明における無機ホウ素化合物の含有量は、研摩スラリーに対して、ホウ素原子に換算して０．１質量％〜２０質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、第１の液と第２の液とを混合して使用されるＣＭＰ研磨液であって、第１の液がセリウム系砥粒と分散剤と水とを含有し、第２の液がポリアクリル酸化合物と界面活性剤とリン酸化合物と水とを含有し、第２の液のｐＨが６．５以上であり、リン酸化合物の含有量が所定範囲となるように第１の液と第２の液とが混合される。また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 （もっと読む）