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Fターム[3C058DA02]の内容

Fターム[3C058DA02]に分類される特許

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【課題】ガラス体を傷つけるのを抑制しつつ、デブリを効果的に除去すること。
【解決手段】粒径が1μm以下の微粒状体を含有する含有液を保持した多孔質体84を一方の面50bに押し当てながら、ガラス体60および多孔質体84を、一方の面50bに沿う面方向に相対的に移動させるデブリの除去方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】それを用いて研磨対象物を研磨した場合に、研磨速度が速く、スクラッチ(線状痕)が少ない研磨剤の提供。
【解決手段】固体酸量または固体塩基量が0.01mmol/g以上であり、平均粒子径が2μm以下である無機酸化物微粒子が分散媒に分散している、pHが8.0〜11.5である研磨剤。 (もっと読む)


【課題】ウエハの研磨を適切に行なうことで圧電振動片の信頼性を向上させる。
【解決手段】研磨装置150を、水晶ウエハ155に接触する上定盤151の表面状態と、水晶ウエハ155に接触する下定盤152の表面状態とが異なるように、かつ、下定盤152による水晶ウエハ155の研磨量が上定盤151による水晶ウエハ151の研磨量よりも大きくなるように構成する。上定盤151の表面を研磨布158により覆い、該研磨布158を介して上定盤151を水晶ウエハ155に接触させ、下定盤152を砥石により構成される砥石定盤とする。研磨時に、上定盤151および下定盤52と、水晶ウエハ155との間に、水(研削水)のみを供給し、研磨剤の供給を禁止している。 (もっと読む)


【課題】従来の表面スケール除去用の研磨ベルトは、ベルト本体の表面に直接付着された砥粒により表面スケールを研削するように構成されているので、研磨ベルトの目詰まりを起こしにくくすることと、エッジ部分における砥粒の消耗を抑えることとの両立が難しく、研磨ベルトの寿命が短くなっている。
【解決手段】熱間圧延が終了された後の鋼帯1に対して摺接される砥粒32を、ベルト本体30の表面に設けられた複数の粒状弾性体31の外面に付着させるように構成する。 (もっと読む)


【課題】セリア代替砥粒の開発にあたり、ガラス研磨における砥粒の化学的な研磨作用を評価する砥粒評価方法を提供する。更にこの評価方法を用い、低い研磨荷重であっても、高い研磨レートを有するセリアを含まないガラス用研磨材を提供する。
【解決手段】ガラス材の表面に砥粒を含むスラリーを供給し、研磨パッドに荷重を印加して前記ガラス材の表面を摺動させて研磨するガラス研磨における、前記砥粒の化学的な研磨作用を評価する砥粒評価方法であって、研磨時の研磨荷重を等間隔に表したx軸と、研磨時の研磨レートを等間隔に表したy軸とを有するグラフにおいて、複数の研磨荷重に対する研磨レートの値が近似的に直線となる領域の該直線が前記y軸と交わるy切片の値により、砥粒の化学的な研磨作用を評価することを特徴とする砥粒評価方法。 (もっと読む)


【課題】アゾールインヒビターを含有し、安定的に濃縮可能であり、好ましくはアンモニウムフリーかつ水溶性セルロースフリーであるケミカルメカニカル研磨組成物の提供。
【解決手段】配線金属を含有する半導体ウェーハのケミカルメカニカルポリッシングに有用なケミカルメカニカル研磨組成物であって、初期成分として、水、アゾールインヒビター、アルカリ金属有機界面活性剤、ハイドロトロープ、リン含有剤、場合によっては、非糖類水溶性ポリマー、場合によっては、式I(式中、Rは、水素及びC1-5アルキル基から選択され、xは1又は2である)の水溶性酸化合物、場合によっては、錯化剤、場合によっては、酸化剤、場合によっては、有機溶媒、及び場合によっては、砥粒を含む。
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【課題】アルミナ突き刺さり及び基板表面うねりを低減できる磁気ディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】下記(1)〜(4)の工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。
(1)アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、
(2)平均一次粒子径(D50)が40〜110nmであり、一次粒子径の標準偏差が40〜60nmであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Bを用いて前記工程(1)で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程、
(3)工程(2)で得られた基板を洗浄する工程、
(4)シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを用いて工程(3)で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程。 (もっと読む)


【課題】配線金属を含有する半導体ウェーハのケミカルメカニカルポリッシングに有用なケミカルメカニカル研磨組成物。
【解決手段】水、アゾールインヒビター、アルカリ金属有機界面活性剤、ハイドロトロープ、リン含有剤、水溶性セルロース、場合によっては、非糖類水溶性ポリマー、又は、式I(式中、Rは水素等、xは1又は2)の水溶性酸化合物、又は、錯化剤、又は、酸化剤、又は、有機溶媒、又は、砥粒を含むケミカルメカニカル研磨組成物が提供される。研磨パッド上にケミカルメカニカル研磨組成物を注入することを含み、ケミカルメカニカル研磨組成物が、リン酸等の添加により2〜6に調節されたpHを示す方法が提供される。
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【課題】シリコン貫通ビア(TSV)研磨用の研磨組成物およびそれを用いたTSVウエハの研磨方法を提供する。
【解決手段】この研磨組成物は、有機アルカリ化合物、酸化剤、キレート化剤、酸化ケイ素研磨材粒子、および溶媒を含んでいる。この研磨組成物を用いることによって、シリコンと導電材料を同時に研磨することができ、TSVウエハの研磨に必要な作業時間費用を有意に節約することができる。 (もっと読む)


【課題】 基板の表面に形成された被研磨膜を研磨するCMP技術において、被研磨膜の酸化珪素と窒化珪素の研磨速度比を向上させることが可能な研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 酸化セリウム粒子と、ヒドロキシ酸化合物及び/又はその塩と、水とを含有する研磨液。被研磨膜が形成された基板の被研磨膜を研磨定盤の研磨布に押圧した状態で、酸化セリウム粒子と、ヒドロキシ酸化合物及び/又はその塩と、水とを含有する研磨液を被研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨膜を研磨する研磨方法。 (もっと読む)


【課題】低温ではなく室温程度で保管した場合でも、従来よりも砥粒の凝集・沈降を大幅に抑制することができ、保存利便性が高く、プロセスやコスト低減に柔軟に対応できるCMP研磨液を提供する。
【解決手段】希釈液又は添加液と混合することでCMP研磨液として使用されるスラリであって、少なくとも一つの水酸基を有し一分子に含まれる炭素数が6である有機溶媒を、スラリ全質量100質量部に対して10質量部以上含有し、シラノール基密度が5個/nm以下のシリカ粒子をスラリ全質量100質量部に対して8質量部以上含有してなる、スラリ。 (もっと読む)


【課題】銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるCMP用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。
【解決手段】本発明では、導体の酸化剤と、金属表面に対する保護膜形成剤と、酸と、水とを含み、pHが3以下であり、酸化剤の濃度が0.01〜3重量%である化学機械研磨用研磨剤が提供される。 (もっと読む)


【課題】コバルト層に対する良好な研磨速度を保ちながら、コバルト層のエッチング速度が効果的に抑制される研磨液の提供。該研磨液を用いた基板の研磨方法の提供。
【解決手段】コバルト元素を含む層を研磨するための研磨液であり、前記研磨液は、金属防食剤、金属酸化剤及び水を含有し、pHが4以下であり、前記金属防食剤は、3−ニトロフタル酸、ヘキサメチレンテトラミン、3,4−ジヒドロ−3−ヒドロキシ−4−オキソ−1,2,4−トリアジン、3H−1,2,3−トリアゾロ[4,5−b]ピリジン−3−オール、5−アミノ−1H−テトラゾール、3−ヒドロキシピリジン、及びベンズイミダゾールから選択される少なくとも一種である。 (もっと読む)


【課題】半導体基板及び絶縁層を優れた研磨速度で研磨することが可能な半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体基板用研磨液は、セリア粒子及びシリカ粒子を含む砥粒と、第1酸解離定数が7以下である化合物と、塩基性化合物と、を含有する。本発明の一実施形態に係る半導体基板の研磨方法は、表面1aのみに開口した中空部3aが形成された基板本体1と、中空部3a内に配置された、TSV(貫通電極)7aとなるべき導電部材7と、中空部3a内において基板本体1及び導電部材7の間に配置された絶縁層5と、を備える半導体基板400の基板本体1及び絶縁層5を、前記半導体基板用研磨液を用いて裏面1b側から研磨して導電部材7を裏面1b側に露出させ、TSV7aを有する貫通電極構造を形成する研磨工程を備える。 (もっと読む)


【課題】磁性部とその凹部内に埋め込まれた非磁性部とを露出させて平坦な研磨面を形成させることができる研磨液を提供すること。
【解決手段】磁性材料を含む磁性部11と、該磁性部11に形成された複数の凹部120を覆うように埋め込まれた非磁性材料125とからなる複合体15を、磁性部11と凹部120内に埋め込まれた非磁性材料からなる非磁性部12とが露出して平坦な研磨面16を形成するまで研磨するために用いられる研磨液である。研磨液は、水とエッチング剤とを含有する。研磨液は、エッチング剤として、アルカノールアミンと、温度25℃、濃度0.01mol/Lの水溶液のpHが11以上であるアルカリ性化合物(但し、アルカノールアミンを除く)からなるエッチング剤とを含有する。 (もっと読む)


【課題】加工効率が高く、加工面の面粗度も良好なワイヤ工具を提供する。
【解決手段】ワイヤ工具10は、ワイヤ11の外周面を覆う鍍金層12で固着されたバックアップ用の粒状体13と、鍍金層12を覆う合成樹脂層14で固着された砥粒15とを備えている。鍍金層12と砥粒15との間には、砥粒15を含まない緩衝樹脂層16が設けられている。ワイヤ11の長手方向に隣り合う粒状体13と砥粒15との隙間17は砥粒15の外径より小さく、ほぼゼロに設定されている。ワイヤ11はピアノ線であり、鍍金層12はニッケル鍍金で形成され、合成樹脂層14は熱硬化性樹脂で形成され、粒状体13及び砥粒15はダイヤモンド粒である。 (もっと読む)


【課題】アルミナ突き刺さりを低減できる磁気ディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】下記(1)〜(4)の工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。
(1)アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、
(2)平均一次粒子径(D50)が5〜60nmであり、一次粒子径の標準偏差が40nm未満であるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Bを用いて前記工程(1)で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程、
(3)工程(2)で得られた基板を洗浄する工程、
(4)シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを用いて工程(3)で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程。 (もっと読む)


【課題】ニッケルリンメッキディスク基板の研磨をより好適に行うことが可能な研磨用組成物及び研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨方法は、ジエチレントリアミン五酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸及びグルタミン酸二酢酸並びにそれらのアルカリ金属塩及びアンモニウム塩から選ばれるパッド劣化抑制剤と、酸化剤とを含有する研磨用組成物をスエードタイプの研磨パッドと併せて使用して研磨対象物を研磨する工程を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ディッシング、エロージョンを抑制し、平坦性を維持したままで、バリア膜、絶縁膜を同時に高速に研磨できる化学的機械的研磨組成物を提供する。
【解決手段】炭素数7〜13のジカルボン酸、酸化剤、砥粒、及び水を含有する、化学的機械的研磨組成物とする。この研磨組成物は好ましくは、2〜4又は8〜12のpH値を有する。 (もっと読む)


【課題】LPDおよび表面粗さを低減可能な研磨組成物を提供する。
【解決手段】研磨組成物は、pH調整剤と、砥粒と、下記一般式(1)で表される非イオン性界面活性剤とを含む。pH調整剤は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびその炭酸塩のいずれかからなる。砥粒は、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、コロイダルアルミナ、ヒュームドアルミナおよびセリアのいずれかからなる。また、研磨組成物は、研磨促進剤、キレート剤、および水溶性高分子の少なくとも1つを更に含んでいてもよい。
【化1】
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