【課題】微細な砥粒を用いる仕上げ研磨において、結晶材料から成る被研磨物をスクラッチ、加工歪又は段差を生じることなく、効率よく研磨できる金属研磨盤、その製造方法及び研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】研磨盤面に互いに平行に形成された螺旋状又は同心円状の第１のＶ字溝及び第２のＶ字溝と、前記第１のＶ字溝と前記第２のＶ字溝との間に画成された研磨面と、を含み、前記第１のＶ字溝の縦断面の面積が前記第２のＶ字溝の縦断面の面積より大きく、前記第１のＶ字溝同士の間のピッチと前記第２のＶ字溝同士の間のピッチが等しく、前記研磨面の表面粗さＲａは０．０５μｍないし２μｍの範囲にあり、前記研磨面の幅は２０μｍないし１２０μｍの範囲にある金属研磨盤が提供される。 （もっと読む）

【課題】ディッシング、エロージョンを抑制し、平坦性を維持したままで、バリア膜、絶縁膜を同時に高速に研磨できる化学的機械的研磨組成物を提供する。
【解決手段】炭素数７〜１３のジカルボン酸、酸化剤、砥粒、及び水を含有する、化学的機械的研磨組成物とする。この研磨組成物は好ましくは、２〜４又は８〜１２のｐＨ値を有する。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤおよび表面粗さを低減可能な研磨組成物を提供する。
【解決手段】研磨組成物は、ｐＨ調整剤と、砥粒と、下記一般式（１）で表される非イオン性界面活性剤とを含む。ｐＨ調整剤は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびその炭酸塩のいずれかからなる。砥粒は、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、コロイダルアルミナ、ヒュームドアルミナおよびセリアのいずれかからなる。また、研磨組成物は、研磨促進剤、キレート剤、および水溶性高分子の少なくとも１つを更に含んでいてもよい。
【化１】
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【課題】ウェーハの反りを抑制しながら、硬脆性材料のスライス時間を短縮可能な硬脆性材料のスライス方法を提供する。
【解決手段】スライス初期では、第１の固定砥粒による硬脆性材料の切断が進行し、これに伴い、電着固定砥粒ワイヤの走行モータの負荷電流が徐々に低下し、電着固定砥粒ワイヤに撓みが生じてくる。しかしながら、第１の固定砥粒の粒度が第２の固定砥粒の粒度に達した時、鋭角な角部を有した未使用の第２の固定砥粒が、硬脆性材料の切断溝の底部に当接し、それ以降、切断溝の底部の主な研削は第２の固定砥粒が引き継ぐ。これにより、走行モータの負荷電流の低下が徐々に回復し、撓みが徐々に減少する。その結果、一定の押し付け速度のままで硬脆性材料をスライス可能となる。よって、ウェーハの反りを抑制しながら、硬脆性材料のスライス時間を短縮できる。 （もっと読む）

【課題】砥粒および水酸化セシウムを含有する化学的機械研摩用組成物、ならびに水酸化セシウム含有研摩用組成物を用いて集積回路に関連する誘電体層を研摩する方法を提供する。
【解決手段】フュ−ムド砥粒ならびに約０．０１〜約５．０wt％の少なくとも１つのＣｓ＋塩基性塩からなる化学的機械研摩用組成物。好ましくは、本発明は水、約１〜約５０wt％のフュ−ムドシリカ、および約０．１〜２．０wt％のＣｓＯＨを含有する化学的機械研摩用組成物である。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金基板の表面にＮｉＰめっき被膜を形成した磁気記録媒体用基板について、アルミナ砥粒を使用しない磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム合金基板の表面にＮｉＰめっき被膜を形成した磁気記録媒体用基板の表面を研磨する際に、第１の研磨盤を用いて粉砕シリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する粗研磨工程と、第２の研磨盤を用いてコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する仕上げ研磨工程と含むことにより、アルミナ砥粒を使用することなく、この磁気記録媒体用基板の表面に対して良好な研磨処理を施すことができるため、従来のアルミナ砥粒を用いた場合に生じるアルミナ砥粒の磁気記録媒体用基板への突き刺さりを防ぐことが可能である。 （もっと読む）

【課題】超砥粒が固定された固定砥粒ワイヤにおいて、スライス加工時に研削液を十分に取り込むことが可能な長寿命の固定砥粒ワイヤを得ること。
【解決手段】ワイヤ芯線２上に断面のアスペクト比が１．２〜１．６の超砥粒４および一般砥粒５を、断面の短辺側からバインダ３の表面に突き出させて固定した固定砥粒ワイヤ１であり、それぞれの突き出し高さを大きくした超砥粒４の間に一般砥粒５が配置され、超砥粒４と一般砥粒５との間に研削液を取り込むことが可能な間隙が形成されるため、この固定砥粒ワイヤ１を用いてスライス加工を行うと、超砥粒４の高い切削精度が得られるとともに、研削液が固定砥粒ワイヤ１の表面に保持されるので、研削面への研削液の供給が十分になされるようになり、固定砥粒ワイヤ１の寿命を延ばすことができる。 （もっと読む）

【解決課題】デバイスウエハ等の平面及びエッジ部分の研磨において、ウエハ等の平面部にヘイズやピット、特に「砥粒残り」を起こしにくい半導体ウエハ研磨用組成物を提供すること。
【解決手段】カリウムイオンの存在下で活性珪酸を原料として製造されるコロイダルシリカを含有する半導体ウエハ研磨用組成物であって、該コロイダルシリカは、カリウムイオンを含有し且つ透過型電子顕微鏡観察による長径／短径比が１．２〜１０の範囲にある非球状の異形シリカ粒子群を含有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用組成物である。本発明の半導体ウエハ研磨用組成物を用いることにより、半導体ウエハの平面及びエッジ部分の鏡面研磨加工が効果的に行える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ラッピング装置、研削装置、または研磨装置の２つの加工盤の間での両面処理のために１つまたは複数の半導体ウェハを受け入れるのに好適な挿入キャリアに関する。
【解決手段】この挿入キャリアは、第１および第２の表面を有する第１の材料から構成されるコアを含み、第１および第２の表面の各々は第２の材料から構成されるコーティングを有し、コーティングは第１および第２の表面を完全にまたは部分的に覆い、挿入キャリアはさらに半導体ウェハを受け入れるための少なくとも１つの開口部を含み、コーティングにおいてコアから離れた側の表面は、凸部と凹部とからなる構造を有し、構造の凸部および凹部の相関長は０．５ｍｍ〜２５ｍｍの範囲内であり、構造の縦横比は０．０００４〜０．４の範囲内である。本発明はさらに、挿入キャリアが用いられる、半導体ウェハの同時両面材料除去処理のための方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】リテーナリングの表面を研磨する際のコストの削減。
【解決手段】ウエハ２２を保持するヘッド３０に設けられたリテーナリング２０を交換する工程と、プラテン１０上に設けられたパッド１２上に、研磨シート５０を貼り付ける工程と、前記研磨シート５０を用い前記リテーナリング２０の下面を研磨する工程と、前記研磨シート５０を剥がす工程と、前記パッド１２を用い前記ウエハ２２の下面を研磨する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ洗浄液の添加剤が、研磨粒子及び被研磨膜の研磨屑と複合体を形成し、それが研磨パッドに蓄積することにより生じるパッド着色物を簡単に除去するＣＭＰ用洗浄液、これを使用する洗浄方法及びこれを使用する工程を含んで作製した製品を提供すること。
【解決手段】 ＣＭＰ用研磨液を使用して酸化ケイ素を有する被研磨面を研磨した際に、研磨部材を洗浄するためのＣＭＰ用洗浄液であって、強酸を含むＣＭＰ用洗浄液。ＣＭＰ用洗浄液に含まれる強酸は、硫酸、シュウ酸、フッ酸、硝酸及び次亜塩素酸から選ばれる少なくとも１種類の化合物であることが好ましい。また、ＣＭＰ用洗浄液は、さらに洗浄補助剤Ａとしてヒドロキシカルボン酸を含み、さらに洗浄補助剤Ｂとして、メタンスルホン酸を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、パラトルエンスルホン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、パラトルエンスルホン酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、上記のＳＴＩ技術の状況に鑑み、ＳＴＩ絶縁膜、プリメタル絶縁膜、層間絶縁膜等を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨速度を低下させることなく、研磨傷の発生が抑制された化学機械研磨用水系分散体及び当該水系分散体を用いて微細化素子分離工程における余分の絶縁膜の除去、プリメタル絶縁膜や層間絶縁膜等の平坦化を行う化学機械研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の一態様は、（Ａ）平均一次粒子径が０．０１〜０．１μｍであり、平均二次粒子径が０．０２〜０．３μｍであるコロイダルシリカ粒子と（Ｂ）２つ以上のカルボキシル基を有する化合物を含む化学機械研磨用水系分散体であって、動的光散乱式粒径分布測定装置にて前記化学機械研磨用水系分散体を測定して算出される平均粒子径が０．０４〜０．５μｍである化学機械研磨用水系分散体であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、リンゴ酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、リンゴ酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】非晶質ガラス基板の研磨において、高い研磨速度で研磨でき、研磨後の基板表面の表面粗さ、ピット、及びキズの欠陥を低減でき、好ましくは、加えて低コストでガラスハードディスク基板を製造できる研磨液組成物の提供。
【解決手段】セリア粒子、シリカ粒子、及び水を含有する非晶質ガラス基板用研磨液組成物であって、前記研磨液組成物中におけるセリア粒子とシリカ粒子の合計含有量が４〜２０重量％であり、前記セリア粒子と前記シリカ粒子との重量比（セリア粒子／シリカ粒子）が５／９５〜３０／７０であり、ｐＨが４〜１２である、非晶質ガラス基板用研磨液組成物。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】 酸化セリウム粒子、有機酸Ａ、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含んでおり、有機酸Ａは、−ＣＯＯＭ基、−Ｐｈ−ＯＭ基、−ＳＯ_３Ｍ基及び−ＰＯ_３Ｍ_２基からなる群より選択される少なくとも一つの基を有しており、有機酸ＡのｐＫａが９未満であり、有機酸Ａの含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である研磨液。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、コハク酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、コハク酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、プロピオン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、プロピオン酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】研磨後の被研磨物のスクラッチ及びパーティクルを低減できる研磨液組成物の製造方法の提供。
【解決手段】一次粒子の平均粒子径が１〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含有するシリカ粒子分散液をろ過フィルターでろ過処理することを含む研磨液組成物の製造方法であって、前記ろ過フィルターは、分子内に９〜２００のカチオン性基を有する多価アミン化合物を用いてカチオン化処理された珪藻土を含む、研磨液組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、マレイン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、マレイン酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）