説明

Fターム[3C058DA17]の内容

Fターム[3C058DA17]の下位に属するFターム

Fターム[3C058DA17]に分類される特許

1 - 20 / 3,369






【課題】III−V族化合物材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用したときにIII−V族化合物材料を含有する部分に対する高い研磨選択性を発揮することができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、平均一次粒子径が40nm以下である砥粒と、酸化剤とを含有し、好ましくは研磨対象物のケイ素材料を含有する部分の表面OH基と結合してケイ素材料を含有する部分の加水分解を抑制する働きをするサプレッサー化合物をさらに含有する。あるいは、本発明の研磨用組成物は、砥粒と、酸化剤と、サプレッサー化合物とを含有する。研磨用組成物のpHは中性であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】ガラス等の研磨性を確保しつつ、酸化セリウム量を低減できる研磨材を提供する。
【解決手段】本発明の研磨材は、酸化ジルコニウムからなる基粒子により形成されたコア部と、該基粒子よりも粒径が小さく酸化セリウムからなる微粒子が該基粒子の外表面上に結合または生成して形成されたシェル部とにより構成された複合砥粒を含むことを特徴とする。この複合砥粒は、研磨性に影響するシェル部に酸化セリウムからなる微粒子を有し、研磨性に直接影響しないコア部はそれより比重の小さい酸化ジルコニウム粒子(基粒子)からなる。このため、酸化セリウムによる研磨性の確保と酸化セリウムの低減が両立されることに加えて、複合砥粒のスラリー中における分散安定性も高まり、さらなる研磨性の向上も図られる。 (もっと読む)


【課題】基板端部の過研磨を効果的に抑制して、基板端部の研磨速度の精密な制御ができるようにする。
【解決手段】基板保持装置に用いられる弾性膜4であって、弾性膜4は、基板に当接して該基板を研磨パッドに向けて押圧する当接部400を有し、当接部400の下面は、平坦な平坦領域Aと該平坦領域の外周部に位置して上方に立上る立上り領域Bを有する。 (もっと読む)


【課題】研磨速度や研磨形状の変化に合わせて、最適な研磨条件で研磨処理を自動で実行できるようにする。
【解決手段】ステップ1で研磨前の基板の基板(ウェハ)の膜厚を測定する。次に、ステップ2で目標研磨量の半分程度を反りなし形状の研磨レシピ(Rf)で研磨する。そして、ステップ3で研磨後の基板の膜厚を測定する。このあと、ステップ4で研磨前後の基板の膜厚の測定結果により、(反りなし形状に対応する研磨後の式F)の結果の予想との誤差を(山型反り形状に対応する研磨後の式Y)、(谷型反り形状に対応する研磨後の式T)に補正し、残りの研磨量の各測定点が最小になるように、山型反り形状の研磨レシピ(Ry),谷型反り形状の研磨レシピ(Rt)それぞれの追加研磨時間を求める。そして、ステップ5で、山型反り形状の研磨レシピ(Ry),谷型反り形状の研磨レシピ(Rt)で追加研磨時間だけ研磨除去する。 (もっと読む)


【課題】III−V族化合物材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨したときに、エッチングを原因とした段差が研磨対象物の表面に生じるのを抑えることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、砥粒、酸化剤、及び水溶性重合体を含有する。水溶性重合体は、研磨用組成物を25℃の温度の環境下で一日間静置したときに、砥粒の表面積1μmあたりに5000個以上の分子が吸着するものであってもよい。あるいは、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨した後の研磨対象物のIII−V族化合物材料を含有する部分の水接触角を小さくするような化合物であってもよい。 (もっと読む)


【課題】III−V族化合物材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分を同時に研磨する目的での使用に適した研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、異形の砥粒と、標準電極が0.3V以上である酸化剤とを含有し、好ましくはアンモニウム塩などの塩をさらに含有する。研磨用組成物のpHは1〜6又は8〜14である。 (もっと読む)


【課題】基板との当接面を有する当接部自体の該当接面に沿った変形(伸び)を、当接部の中心部から外周部のほぼ全域に亘って均一に抑制できるようにする。
【解決手段】基板Wの外周部にリテーナリング3を位置させて基板Wを保持する基板保持装置1に用いられる弾性膜4であって、基板Wと当接する当接面42aを有する当接部42と、当接部42の外周端に連接されて上方に延びる第1周壁部44と、第1周壁部44の内側で当接部42に連接されて上方に延び、外側に第1圧力室5が、内側に第2圧力室7がそれぞれ形成される第2周壁部46とを備え、当接部42は、そのほぼ全域に亘って、弾性膜4より剛性の高い補強部材50により補強されている。 (もっと読む)


【課題】 金属研磨用スラリの評価につき、コストの低減とスピードアップを図ることができる、金属研磨用スラリの評価方法を提供する。
【解決手段】 金属研磨用スラリによりエッチングされた基板(Cu膜)の表面粗さ(Ra)と、エッチング速度との関係を表す数式を導出し、前記数式を用いて、前記金属研磨用スラリとは異なる組成の金属研磨用スラリによりエッチングされた基板(Cu膜)の表面粗さから、エッチング速度を算出する金属研磨用スラリの評価方法。 (もっと読む)


【課題】液晶ディスプレイ用ガラス基板等の被研磨物について初期から加工数を重ねていっても研磨後の被研磨物の品質に影響を与える表面形状を変化させることなく、これにより一定の研磨品質を維持することができ、さらに、被研磨物の品質に影響のある保持面の表面平坦性が向上し、大型で極薄の被研磨物であっても研磨中にはこれを堅固に保持することができ、かつ、研磨後は安全かつ容易に剥がすこともできる片面研磨用保持材の製造方法を提供する。
【解決手段】発泡層と緻密な発泡による表面部分を有する樹脂シートを湿式成膜法により製造する工程と、表面に凸部を有する加熱可能なディンプルロールに樹脂シートを供給して樹脂シートの緻密な発泡による表面部分を圧接させることにより、樹脂シートを構成する材料の流動開始温度以上で熱成形加工する工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板のファイナルポリッシングにおいて平滑性の低下や異物の増加を生じることなく、ウエハ自体の欠陥を低減し、優れた研磨表面が形成可能な半導体基板研磨液及び当該半導体基板研磨液を用いた半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 コロイダルシリカと水溶性高分子と水を含み、研磨液のpHが4.0以上8.0以下である半導体基板用研磨液、及び当該半導体基板研磨液を用いて半導体基板の表面を研磨する半導体基板の研磨方法。 (もっと読む)


【課題】スラリーの供給不足をより確実に検出できる研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨装置は、ウェハWを保持する保持機構10と、保持機構10に保持されたウェハWを研磨する研磨パッド21とを備え、保持機構10に保持されたウェハWの被研磨面Waに研磨パッド21を当接させながら相対移動させてウェハWの研磨加工を行うように構成された研磨装置1において、被研磨面Waと研磨パッド21との当接部にスラリー31を供給するスラリー供給機構30と、被研磨面Waにプローブ光を照射する光源41と、プローブ光が照射された被研磨面Waからの反射光を検出する光検出器43と、光検出器43に検出された反射光の情報に基づいて研磨加工の終点を検出するとともに当該反射光の情報に基づいてスラリー31の供給状態を判定する制御装置50とを有して構成される。 (もっと読む)


【課題】ガラス研磨を行った後、ガラスをパッドから剥離させる時に、ガラスの割れを防止可能なガラス研磨方法を提供する。
【解決手段】定盤1の表面に、少なくとも、ウレタンシート20とエラストマーシート21からなる積層シート2を貼り付ける工程と、積層シート2の表面に研磨対象のガラスGを貼り付ける工程と、ガラスGの表面を研磨する工程と、研磨工程後、ガラスGと共に積層シート2の端部を定盤1から剥離させる工程と、剥離工程の途中でガラスGと積層シート2の間に空気層Aを形成させた後、ガラスGのみを積層シート2から分離させる工程と、を有し、ウレタンシート20は、表面スキン層20aとセル層20bからなり、表面スキン層20a側にガラスGを貼り付け、セル層20b側をエラストマーシート21と結合している。 (もっと読む)


【解決手段】(i)−[バリン-プロリン−グリシン−バリン−グリシン]−で示されるペンタペプチドを繰り返し単位として有し、分子量が800〜150,000である、オリゴペプチド又は上記ペンタペプチドとこれと共重合可能な他の単量体との共重合体、
(ii)コロイド溶液
を含む合成石英ガラス基板用研磨剤。
【効果】本発明によれば、特にフォトマスク、ナノインプリント、磁気ディスク等の半導体関連材料において重要な光リソグラフィー法に使用される合成石英ガラス基板等の合成石英ガラスの製造において、基板表面の高感度欠陥検査装置で検出される欠陥を少なくすることができ、しかも長い研磨ライフで使用することができるため、製造の品質の向上だけではなく、環境への負荷やコストの観点からも有益になる。 (もっと読む)


【課題】無機絶縁膜層等の被研磨面を、研磨傷の発生を抑え、かつ高速で研磨することが可能な研磨剤及び研磨方法を提供すること。
【解決手段】金属酸化物粒子及び媒体を含有する研磨剤であって、前記金属酸化物粒子が、金属塩、高分子化合物、及び高沸点有機溶媒を含有する混合物を加熱することにより生成する金属酸化物を焼成して得られる金属酸化物粒子を含む、研磨剤。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの研磨時に欠陥の原因となる粗大粒子が従来に比べて大幅に低減された、また、これによりウェーハの研磨時において、ウェーハ表面のナノオーダーの欠陥を低減できる研磨スラリーの供給方法及び供給装置、並びに研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スラリー原液と純水とを混合した研磨スラリーを研磨装置に供給する供給方法であって、計量された前記スラリー原液に対して前記純水を単位時間当たりに所定量加えるように制御しながら前記スラリー原液と前記純水とを混合する工程と、該混合された研磨スラリーを前記研磨装置に供給する工程とを含むことを特徴とする研磨スラリーの供給方法。 (もっと読む)


【課題】研磨中の発熱によってプラテンが熱変形するのを防止するとともに圧力分布変化を最小限に抑えたプラテンシートを提供する。
【解決手段】スラリを滴下供給しながらウェーハと研磨パッド50を相対的に摺接して研磨を行う研磨装置10において、ウェーハを全面で減圧して平面矯正して取り付けるウェーハ保持台20と、プラテン30上に敷設固定されて所望の圧力分布を形成された圧縮変形板40と、圧縮変形板40上に研磨パッド50を張り上げて固定する張上機構とを有し、研磨パッド50は、圧縮変形板40上に敷設されて撓み変形によって変位可能な撓み変形シート52と、撓み変形シート52上に敷設されて滴下されたスラリを保持する表層パッド51とを備え、ウェーハの反りを修正しながら、ウェーハの平均化を行うように構成した。 (もっと読む)


1 - 20 / 3,369