【課題】ワイヤソーの駆動軸上の連結部に挟み込まれて回転駆動されるローラーからのアウターリングの取り外しが容易で、衝撃を加えなくて簡単に取り外せるようにする。
【解決手段】最小内径部位にネジ部を設けたアウターリング１１と、アウターリングの最小内径部位のネジ部と嵌り合うネジ部を有する支持部材１２、アウターリング１１を支持部材１２との間に挟み込んで保持する挟持部材１３、ローラーの端面にあてがってアウターリングを引き抜くための突っ張りとする突っ張り部材１４、ボルト１７、ナットおよびスラストベアリング１５からなるアウターリング取り外し治具とを、セット（アウターリング交換セット）にする。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒ワイヤソーを用いた被加工物の切断において、切断位置でのワイヤ張力を適切に制御することが可能な固定砥粒ワイヤソーによる加工方法及び該加工方法によって作製されたウエハを提供する。
【解決手段】１本の固定砥粒ワイヤ１０を、メインローラ１８Ａ，１８Ｂに一定ピッチで複数回巻き掛けて構成したワイヤ列２０をその長手方向に往復走行させ、往復走行するワイヤ列２０に被加工物５０を押し当てることで、被加工物５０を複数箇所で同時に切断して複数枚のウエハへと加工する固定砥粒ワイヤソー１において、往復走行の走行方向の反転タイミングを、ワイヤ繰り出し側における予め設定した基準位置にあるワイヤ部位の移動する距離が、メインローラ１８Ａ，１８Ｂに巻き回されているワイヤの長さ以上となる時点とした。 （もっと読む）

【課題】うねりの小さい基板を容易に製造できるようにした切断装置及び基板の製造方法、半導体ウエハを提供する。
【解決手段】一対のローラー１０間にワイヤー２０が巻き掛けられてワイヤー列２１が構成され、ワイヤー列２１を一対のローラー１０間で移動させながら当該ワイヤー列２１にインゴット１を押し当てて該インゴット１を切断するワイヤーソー１００であって、補助ローラー６０を備える。この補助ローラー６０は、ワイヤー列２１に対しインゴット１からの負荷がない状態で、ワイヤー列２１に当接してその張力を増加させる。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒ワイヤソーを用いた半導体インゴットの切断効率を向上するのに好適な半導体インゴットの切断方法及び固定砥粒ワイヤソーを提供する。
【解決手段】固定砥粒ワイヤ１０を、メインローラ１８Ａ，１８Ｂに複数回巻き掛けて構成したワイヤ列２０をその長手方向に走行させて、走行するワイヤ列２０に半導体インゴット５０を押し当てることで、半導体インゴット５０を複数箇所で同時に切断して複数枚のウエハへと加工するに際して、切断時のワイヤ走行速度Ｖｗを、１００[ｍ／ｍｉｎ]＜Ｖｗ＜４００[ｍ／ｍｉｎ]の範囲内の速度とした。 （もっと読む）

【課題】加工精度に優れ、かつワイヤー１６の張り渡し作業が容易であるワイヤーソーのローラ１２の提供。
【解決手段】ワイヤーソーのローラ１２は、その外周面に多数の溝２０を備えている。それぞれの溝２０は、周方向に延在している。この溝２０は、主部２４と案内部２６とを備えている。案内部２６は、主部２４の半径方向外側に位置している。案内部２６は、その内側端２８において主部２４と連続している。案内部２６は、その外側端３０において、ランド２２と連続している。主部２４は、実質的に「Ｕ」字状である断面形状を有している。案内部２６は、半径方向外側に向かって徐々に幅が広がる断面形状を有している。案内部２６の開き角度θは、４０°以上１００°以下である。 （もっと読む）

【課題】 被加工物に発生するクラックを低減することのできる被加工物の切断方法を提供すること。
【解決手段】 第１メインローラ５ａと、これから所定距離を隔てて配置された第２メインローラ５ｂと、これらメインローラ間で複数列に平面状に張られた、表面に砥粒が固着されているワイヤー３とを備えており、第１メインローラ５ａにワイヤー３を供給しながら、第２メインローラ５ｂからワイヤー３を送出するワイヤーソー装置Ｓを用いて、被加工物１の切断開始時に、無負荷状態における複数列のワイヤー３を含む仮想平面１２に対して、被加工物１の第１メインローラ５ａ側に位置する第１面１ａの第１端部２１が仮想平面１２から上方へ離れる方向に第１面１ａを傾斜させるとともに、被加工物１の第２メインローラ５ｂ側に位置する第１面１ａの第２端部２２をワイヤー３に最初に接触させて切断を行なう被加工物の切断方法とする。 （もっと読む）

【課題】 複雑な機構を必要とせず、製造コストの増加を招くことなく、クラックなどの欠陥を低減することが可能な優れたワイヤーソー装置およびそれを用いた切断方法ならびに半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 一方向または双方向に走行させながら被加工物を切断するためのワイヤー５と、被加工物１を固定させる台座２と、台座２において、被加工物１を切断する際にワイヤー５が入る側の台座側面２ａに固定されている被切断用の側板６とを備えており、側板６における被加工物１が位置する側の側板端面６ａが、台座側面２ａにおける被加工物１が位置する側の台座端面２ｂと面一であるか、または側板端面６ａが台座端面２ｂから被加工物１の側面１ｃに沿って突出しているワイヤーソー装置Ｓとする。また、台座２に被加工物１を固定した後に、ワイヤー５を走行させながら被加工物１を切断し始め、しかる後、ワイヤー５を走行させながら被加工物１および側板６を切断する方法とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーによるワークの切断において、カーフロスを低減するために砥粒番手＃２０００よりも小さい砥粒径の砥粒を用いる場合においても、砥粒濃度の低下による切断能力の低下、ひいては切断品質の悪化や生産性の低下によるコスト増加を抑制できるスラリー及びこのスラリーの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ローラーミル、又はボールミルで粉砕された砥粒の一部又は全てをジェットミルで再度粉砕することによって前記砥粒の平均円形度を０．９００以上にし、該平均円形度が０．９００以上の砥粒とクーラントとを混合して前記スラリーを製造することを特徴とするスラリーの製造方法及び、スラリーに混合された砥粒の平均円形度が０．９００以上であることを特徴とするスラリー。 （もっと読む）

【課題】切断性を損なうことなく、より安価に、固定砥粒方式で生じるスラッジへの不純物混入量の極めて少ないスライス台、および、このスライス台を用いた半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のスライス台は、半導体ブロック２を切断する際に前記半導体ブロック２を固定するスライス台１であって、少なくとも前記半導体ブロック２を固定する側に、前記半導体ブロック２と同種の半導体材料からなる半導体インゴットの廃棄部分を切り出した部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハを切断するためのワイヤソーの円筒形ワイヤガイドに連結するための、クランプアセンブリを開示すること。
【解決手段】シャフト側コネクタが開示され、シャフト側コネクタは、ワイヤソーのシャフトに連結するようになされ、シャフトが回転軸を有する。シャフト側コネクタは、軸に直角でワイヤガイドの相補的なコネクタの相補的な外側表面に当接するようになされる外側表面を備える。円錐表面が外側表面と軸との間に位置し、円錐表面は、軸の周りに対称的に配設され、ワイヤガイドの相補的な表面に当接するようになされる。 （もっと読む）

【課題】ウエハソーイングシステムおよびウエハソーイングシステム内でインゴットを鋸で切る方法を提供すること。
【解決手段】システムは、インゴット入力モジュール、インゴット出力モジュール、２つ以上のワイヤソーイングチャンバであって、それぞれが２つのワイヤガイドシリンダ、ワイヤガイドシリンダの両方にわたって配設される少なくとも１つのワイヤ、単一のインゴットを受けるように構成される支持テーブル、および支持テーブル上に配設される単一のインゴットを少なくとも１つのワイヤに対して付勢するように構成されるインゴット位置決めシステムを備えるワイヤソーイングチャンバ、ならびにインゴット入力モジュール、２つ以上のワイヤソーイングチャンバのうちの少なくとも１つ、およびインゴット出力チャンバの間で単一のインゴットを移送するように構成されるロボットを含む。 （もっと読む）

【課題】切込み末期のみならず切込み初期における切断面のうねり成分をも低減し、結果として切断終了後のウェーハの表面のうねり成分を十分に低減することが可能なワイヤーソー装置を提供する。
【解決手段】本発明のワイヤーソー装置１０のワーク保持機構１８は、スライス台２２と、ワークプレート２４と、ワークプレート保持部２６と、を有する。ワークプレート２４は、本体部２８の側面からワイヤー延在方向Ｚの両側に突出し、両側それぞれに開口部３２Ａ，３２Ｂを有する一対の突出プレート３０Ａ，３０Ｂを有し、突出プレート３０Ａ，３０Ｂの両外側のうち、少なくともノズル２０が位置する側に溝部材３４Ａ，３４Ｂを有し、ワイヤー群１６からワークプレート保持部２６に向けて舞い上がるスラリーを、開口部３２Ａ，３２Ｂを通過させて３４Ａ，３４Ｂ溝部材で捕集可能としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワーク切断に起因するマイクロクラックを抑制してウエハ割れや欠けを抑える。
【解決手段】ワーク切断後のウエハ割れ発生頻度を抑制するべく、ウエハ表面のマイクロクラック深さおよびワーク切断後のウエハ厚さのうちの少なくとも該マイクロクラック深さが設定制御されている。具体的には、ウエハ厚さを、１００μｍ以上１３０μｍ以下の半導体基板に薄板化し、マイクロクラック深さを０μｍ以上２μｍ以下に設定制御して、ウエハ割れ発生頻度を０．５パーセント以上１パーセント以下に設定制御する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ往復走行時やワイヤ往復切替に伴うワイヤ加減速時に発生するウエハのスクラッチを抑制または防止する。
【解決手段】ワイヤ減速開始時にワーク送り機構１８がワーク送り方向を反転させて、停止時にはワーク送り機構１８がワーク切断位置（切断底面）からワイヤ４を離間させる。好ましくは砥粒サイズ以上の距離を離す。その後、往復走行するためにワイヤ４を逆向きに加速させると共に、このワイヤ加速開始時に再び、ワーク送り方向を切断方向に反転させて、ワイヤ最大速度到達のタイミングで加工を再開する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーによるワークの切断において、特にピッチを狭くしたワイヤ回収側でワークの切り始めが局所的に薄くなり、ＴＴＶが悪化するのを抑制できるワークの切断方法及びワイヤソーを提供することを目的とする。
【解決手段】複数の溝付きローラに巻掛けされたワイヤを軸方向に往復走行させ、前記ワイヤにスラリを供給しつつ、ワークを相対的に押し下げて、往復走行する前記ワイヤに押し当てて切り込み送りし、前記ワークをウェーハ状に切断するワークの切断方法であって、前記溝付きローラの複数の溝の底部の位置と該溝付きローラの回転軸との間の距離がワイヤ供給側からワイヤ回収側に向かって徐々に短くなるように形成された前記溝付きローラを準備する工程と、前記ワイヤ供給側のワイヤが前記ワイヤ回収側のワイヤよりも先に前記ワークに押し当てられるようにして前記ワークを切断する工程とを含むことを特徴とするワークの切断方法。 （もっと読む）

【課題】インゴットへの切り代プレートおよび取付プレートの接着方法を提供する。
【解決手段】切り代プレート２２、およびインゴット２３をワイヤソーに取り付けるための取付プレート２１を、主剤と硬化剤とからなる２液性接着剤によりインゴット２３の外表面に接着する接着方法であって、取付プレート２１と切り代プレート２２との接着面、および切り代プレート２２とインゴット２３との接着面に２液性接着剤を所要パターンで塗布する工程において、混合した２液性接着剤を、接着面の各コーナー部の所要部位にスポット状に塗布すると共に、接着面の幅方向中央部に長手方向に伸びる帯状に塗布し、インゴット２３側からの荷重により、２液性接着剤をスポット状部から接着面のコーナー部方向に、および帯状部から接着面の幅方向に展延させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの往復走行でワイヤがワークから抜け切らずに切断することによる切れ味の低下を抑制または防止して切断速度を改善する。
【解決手段】所定の間隔で配置された複数の溝付ローラ２，３間に巻き付けられた切断用のワイヤ４１，４２の一方端が供給ボビン５１，５２に巻き付けられ、その他方端が回収ボビン６１，６２に巻き付けられて、ワイヤ４１，４２を往復走行させて複数の溝付ローラ２，３間のワイヤ４１，４２の複数列でワーク７を切断するワイヤソー装置１において、供給ボビン５１と回収ボビン６１の１対と、供給ボビン５２と回収ボビン６２の１対との２対設けられ、この２対に対応した２本のワイヤ４１，４２を往復走行させている。 （もっと読む）

【課題】水晶で形成された加工対象物を寸法精度よく切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】水晶で形成された加工対象物１にレーザ光Ｌを集光させることにより、切断予定ライン５に沿って、複数の改質スポットＳを含む改質領域７を加工対象物１に形成する。このとき、加工対象物１に対しレーザ光Ｌを照射しながら切断予定ライン５に沿って相対移動させ、加工対象物１の内部に位置する複数の改質スポットＳ１を切断予定ライン５に沿って形成した後、加工対象物１に対しレーザ光Ｌを照射しながら切断予定ライン５に沿って相対移動させ、加工対象物１の表面３に露出する複数の改質スポットＳ２を、表面３に露出する亀裂が形成されないように切断予定ライン５に沿って形成する。 （もっと読む）

【課題】水晶で形成された加工対象物を寸法精度よく切断する。
【解決手段】本実施形態では、水晶で形成された加工対象物１にレーザ光Ｌを集光させることにより、切断予定ライン５に沿って、複数の改質スポットＳを含む改質領域７を加工対象物１に形成する。このとき、加工対象物１に対しレーザ光Ｌを照射しながら切断予定ライン５に沿って相対移動させ、複数の改質スポットＳを切断予定ライン５に沿って２μｍ〜９μｍのピッチで形成する。これにより、形成する複数の改質スポットＳのピッチを最適化し、これら複数の改質スポットＳの間で亀裂を好適に繋げることができる。 （もっと読む）

【課題】０．１μｍ以下の粒径のシリコン微粒子の比率を抑えた再生クーラント、及びクーラント再生方法の提供することを課題とする。
【解決手段】クーラント再生方法１ａは、遠心分離ユニット２に使用済クーラント３を供給するクーラント供給工程Ｓ１と、使用済クーラント３を遠心分離する遠心分離工程Ｓ２と、分離した遠心分離液１９を回収する遠心分離液回収工程Ｓ３と、遠心分離液５を膜分離ユニット７に供給する遠心分離液供給工程Ｓ５と、遠心分離液１９を膜分離する膜分離工程Ｓ６と、分離された膜濾過液２１を回収する膜濾過液回収工程Ｓ７とを具備し、再生クーラント４は、残存シリコン成分が再生クーラント全体の０．０１重量％以上、３．０重量％以下であり、残存シリコン成分に含まれる０．１μｍ以下の粒径のシリコン粒子が残存シリコン成分全体の０．０１重量％以上、３０重量％以下になる。 （もっと読む）