【課題】曲線状の分断予定ラインに沿って容易に分断を行うことができ、しかも耳幅を小さくすることができるようにする。
【解決手段】このスクライブ方法は、ガラス基板の分断予定ラインに沿ってスクライブ溝を形成する方法であって、加熱・冷却工程と走査工程とを含んでいる。加熱・冷却工程では、ガラス基板に対して吸収性及び透過性を有する波長のレーザを基板の表面近傍に焦点が位置するように集光して照射するとともに、レーザ照射領域にレーザ照射と同時に冷却媒体を噴射する。走査工程では、レーザ照射によるレーザスポット及び冷却媒体の噴射による冷却スポットを分断予定ラインに沿って走査する。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によって生じる脆性基板内の熱拡散による基板の変形を防止する。
【解決手段】脆性基板加工装置は、レーザ光を脆性基板表面上の加工予定ラインに従って所定速度で移動させながら照射し、レーザ光移動後の加熱位置に冷却媒体を吹き付ける。このレーザ加工中に脆性基板の加工予定ラインの両側を押圧手段で押圧することによって、加工時のレーザ照射による発熱を割断ライン付近で吸収すると共に拡散する熱による脆性基板の変形を防止する。ヘッド位置調整手段によって移動時における加工ヘッドの基板に対する間隔をほぼ同一高さに制御する。脆性基板をエアの吹き出しと吸引によりバランスさせて浮上させるエア浮上ステージ手段にて保持する。冷却手段は、液体である冷却媒体とキャリアガスを混合したものを脆性基板表面に適量吹き付ける。 （もっと読む）

【課題】裏面に反射膜を積層したサファイア基板の内部にストリートに沿って改質層を形成することができ、かつ反射膜をストリートに沿って切断することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の光デバイスが格子状のストリート２２で区画形成されたサファイア基板２０をストリートに沿って分割するサファイア基板の加工方法であって、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光を裏面側から基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ストリートに沿って改質層を形成する工程と、基板の裏面に反射膜２１０を積層する工程と、裏面に積層された反射膜側から反射膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、反射膜をストリートに沿って切断する工程と、基板に外力を付与して基板を変質層が形成されたストリートに沿って破断し、個々の光デバイスに分割する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 加工困難な強化ガラス製のガラス基板であっても、内切りで確実にスクライブラインを形成することができるスクライブ方法を提供する。
【解決手段】 基板Ｍの一端縁より内側に入り込んだ位置で、点状の尖端または線状の尖端を有するけがき部材１１を、基板Ｍに対し上方から下降するようにして衝突させて衝突痕を形成することで基板Ｍ表面の圧縮応力層を剥離し、当該衝突痕をスクライブの起点となるトリガ溝Ｔ_１として形成する剥離工程と、カッターホイール１２をトリガ溝に当接して圧接転動させることによりスクライブラインＳを形成するスクライブ工程とによるスクライブを行う。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法で、クロススクライブによる分断の工程数を少なくする。
【解決手段】この分断方法は、強化ガラスをクロススクライブにより分断する方法であって、第１〜第４工程を含んでいる。第１工程は、ガラス基板において第１方向に延びる第１分断予定ラインの端部に亀裂進展を規制するための処理を施す。第２工程は、ガラス基板に対して、第１分断予定ラインに沿って、レーザ照射による加熱及び冷媒による冷却を行い、第１分断予定ラインに沿って亀裂を進展させてスクライブ溝を形成する。第３工程は、ガラス基板に対して、第２方向に延びる第２分断予定ラインに沿ってガラス基板の一端縁から他端縁まで、レーザ照射による加熱及び冷媒による冷却を行い、第２分断予定ラインに沿ってガラス基板を分断する。第４工程は第３工程によって分断されたガラス基板を第１分断予定ラインに沿って分断する。 （もっと読む）

【課題】 被加工物を個々のチップに分割するのと同時に外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有するチップを形成可能なチップ形成方法を提供することである。
【解決手段】 被加工物を分割して外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有する複数のチップを形成するチップ形成方法であって、被加工物に該チップの該傾斜面に対応した複数の傾斜面を設定する傾斜面設定ステップと、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を被加工物内部に位置付けた状態で該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿って互いに離間した複数の改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、被加工物に外力を付与して該改質層を起点に該傾斜面に沿って被加工物を分割して複数のチップを形成する分割ステップとを具備したことを特徴とする （もっと読む）

【課題】 先のスクライブ後、次のスクライブ時に残留冷媒の影響を受けないようにしたスクライブ装置を提供する。
【解決手段】 テーブル１と、スクライブヘッド９と、スクライブヘッド９をテーブル１に対し相対的に移動する移動機構６、８、Ｍとを備え、スクライブヘッド９は、テーブル１上の脆性材料基板Ｗにレーザビームを照射して加熱領域となるレーザスポットを形成するレーザ照射部１０、および、レーザスポットの移動方向後方位置に向けて液体を含む冷媒を噴射して冷却領域となる冷却スポットを形成する冷媒噴射部１１を有し、基板Ｗに想定したスクライブ予定ラインに沿って、レーザスポットおよび冷却スポットをこの順で移動させて、熱応力によるスクライブラインを形成するスクライブ装置Ａであって、スクライブヘッド９は、レーザスポットの移動方向前方位置に向けて気体を噴射する気体噴射部１２をさらに備えるようにしている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を格子状にスクライブ及びブレイクによって分断する場合に、割断面の突起や割れを小さくすること。
【解決手段】半導体基板１０に対してスクライブ及びブレイクしてチップに分断する場合に、あらかじめスクライブ予定ラインの下方にＶ字形の溝１２を形成する。そしてスクライブ予定ラインに沿ってスクライブライン１４を形成し、ブレイク装置によって分断する。こうすれば半導体チップの裏面に突起や割れが生じにくく、垂直断面性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 スクライブ時における「カケ」「ソゲ」「交点飛び」などの不具合を抑制する脆性材料基板のスクライブ方法を提供する。
【解決手段】 基板Ｗにカッターホイール６で縦方向のスクライブライン並びに横方向のスクライブラインを形成するスクライブ方法であって、基板Ｗを縦方向にスクライブすることによって、２本の縦方向のスクライブラインＳ１、Ｓ２によって形成された縦方向単位製品列を、端材となる縦の狭間Ｄ１をあけて複数形成し、次いで、縦方向単位製品列の片側辺を形成する縦方向のスクライブラインＳ１から、他方側辺を形成する縦方向スクライブラインＳ２まで横方向にスクライブすることによって、単位製品Ｗ１を区分けする横方向のスクライブラインＳ３を順次加工する。 （もっと読む）

【課題】 回転機構を用いずに短冊状基板を分断するときの不具合を抑制してマザー基板の分断し、マザー基板から切り出された短冊状基板を回転させる回転機構を用いることなく分断加工できる分断方法を提供する。
【解決手段】 マザー基板Ｗからスクライブラインによって区分けされた複数の単位製品Ｗ１が長手方向に沿って一列に配列された短冊状基板Ｗａを第１ブレイク部Ｂにより切り出し、この切り出された短冊状基板Ｗａの向きを変えることなく、その姿勢を維持したまま基板長手方向に沿って搬送部Ｄにより第２ブレイク部Ｃに搬送して、前記スクライブラインから順次分断することにより単位製品Ｗ１を切り出すようにする。 （もっと読む）

【課題】 分断予定ラインに沿って精度よく分断することのできる基板のブレイク方法を提供する。
【解決手段】スクライブ工程で、複数のスクライブラインを所定のピッチで形成し、続いてブレイク工程で、前記複数のスクライブラインの一つである第１のスクライブラインに沿って基板をブレイクし、第１のスクライブラインに沿って形成された基板の端縁を基準として、所定のピッチを移動するようにして他のスクライブラインに沿ってブレイク手段を位置決めして前記基板をブレイクする。 （もっと読む）

【課題】シリコンカーバイドからなるウェハの表面にアスペクト比の大きい損傷を高速に形成して分割することができるチップの製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコンカーバイドからなるウェハに無偏光でかつ波長５００ｎｍ以上のパルスレーザ光をウェハの切断予定ラインに沿って照射して、切断予定ラインに沿ってウェハの表面にパルスレーザ光の多光子吸収により損傷を形成する。次いで、損傷を形成されたウェハに機械的応力を印加して、切断予定ラインに沿ってウェハを分割する。 （もっと読む）

【課題】 スクライブ加工とブレイク加工とにより、マザー基板から短冊状基板を切り出し、次いで単位基板に分割する加工を、効率よく実行するのに適した基板分断システムを提供する。
【解決手段】 第一方向にマザー基板Ｍを搬送するとともに、搬送路に第一スクライブ機構１０２、第一ブレイク機構１０４を備えた第一搬送機構１００と、第一搬送機構１００と平行に配置され、第一方向と逆方向に短冊状基板Ｍｘを搬送するとともに、第二スクライブ機構２０２と第二ブレイク機構２０４とを備えた第二搬送機構２００と、第一搬送機構１００から短冊状基板Ｍｘを吸着して表裏反転させる第一アーム３０１と、第一アーム３０１により反転された短冊状基板Ｍｘを吸着して９０°旋回し、第二搬送機構２００の搬送路に載置する第二アーム３０４とを備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】長尺な脆性板材であるワークが、スクライブ加工により幅方向において横断する複数のスクライブ線のみに沿って分断する装置において、ワークを上下反転させるとともにワークを押す各機構を効率的に配置でき、装置を簡素化及び小型化できること。
【解決手段】分断装置１において、反転装置２０は、主経路Ｒ１の方向に交差する装置幅方向に横断する複数のスクライブ線Ｌｓが形成されたワーク９を、主経路Ｒ１上の反転位置Ｐ２で上下反転させる。第二支持台横移動機構３４及び第二支持台縦移動機構３５は、反転後のワーク９が固定された第二支持台３３を、反転位置Ｐ２から主経路Ｒ１に並列する副経路Ｒ２へ移動させ、さらに副経路Ｒ２に沿って移動させた後、副経路Ｒ２から主経路Ｒ１上の送出位置Ｐ３まで移動させる。ブレイク装置３０は、第二支持台３３が副経路Ｒ２に沿って移動する途中において、ワーク９をスクライブ線Ｌｓに沿って押す。 （もっと読む）

【課題】ブレイク後のＬＥＤチップに加工変質層の残存しないＬＥＤパターン付き基板の加工方法を提供する。
【解決手段】下地基板上に複数のＬＥＤ単位パターンを２次元的に繰り返し配置してなるＬＥＤパターン付き基板を加工する方法が、ＬＥＤパターン付き基板を分割予定線に沿ってレーザー光を照射することにより、ＬＥＤパターン付き基板を格子状にスクライブするスクライブ工程と、スクライブ工程を経たＬＥＤパターン付き基板をエッチング液に浸漬することにより加工変質層を除去するエッチング工程と、エッチング工程を経たＬＥＤパターン付き基板をスクライブラインに沿ってブレイクすることにより個片化するブレイク工程と、を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することでクラックの発生を制御し、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】被加工基板をステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームを制御することで、光パルス単位で切り替え、第１の直線上にパルスレーザビームの第１の照射を行い、第１の照射の後に、第１の直線に略平行に隣接する第２の直線上に前記パルスレーザビームの第２の照射を行い、第１の照射および第２の照射によって、被加工基板に被加工基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法。 （もっと読む）

【課題】小さな駆動力により、コンクリート等の構造物の表面を能率良く剥離することができるとともに、粉塵の飛散を抑制できるコンクリート等の構造物の表面剥離方法及び表面剥離装置を提供する。
【解決手段】ホールカッタを用いて、コンクリート、アスファルト等の構造物Ｓの表面部Ｓａに凹部Ｃを形成する。その後、円盤カッタ４４を用いて、構造物Ｓ上の凹部Ｃの内側面を切り込んで、構造物Ｓの表面部Ｓａを剥離する。 （もっと読む）

【課題】少ないスクライブ回数で単位基板上の電極端子を露出させることができるようにすること。
【解決手段】接着用シールを横断する部分では上下のスクライブラインを一致させてスクライブし、接着用シールの横断後は夫々別の位置をスクライブし、接着用シールを再度横断する部分では再びスクライブラインを一致させてスクライブを終了し、このスクライブラインに沿ってマザー基板を分断する。これによって上下一回ずつのスクライブのみで電極端子を露出させることができる。 （もっと読む）