【課題】 ＭＥＭＳスイッチでは、可動構造体を支持する「ばね」のばね定数を大きくすることが、特性向上、特に長期信頼性やスイッチング速度向上にとって有効な手段となっている。しかし、ばね定数を大きくすると、スイッチ駆動に必要な電圧も大きくなり、半導体回路との集積化が困難であった。このため、駆動電圧の低減化とＭＥＭＳスイッチ特性の向上を両立させることが要求されていた。
【解決手段】 可動構造体の機械的な振動を利用すると低い駆動電圧でも大きな振動振幅を得ることができ、プルインの誘起が容易となる。直流電圧と振動を励起する交流電圧を制御することにより、プルインとリリースの制御が可能であり、ＭＥＭＳスイッチのメイク動作、ブレーク動作を実現することができる。この結果、ばね定数を増大させても、駆動電圧の低減化が可能であり、スイッチ特性も向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】梁部が疲労破壊することを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０の上方に配置された窒化シリコン層３０と、窒化シリコン層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、シリコン基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５４、および窒化シリコン層３０の上方に配置され、梁部５４を支持する支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、第１電極４０および第２電極５０の材質は、導電性を有する単結晶シリコンである。 （もっと読む）

【課題】複数の針に貫通孔を備えた針状体を簡便に精度よく転写成型可能であり、なおかつ耐久性を有する転写版を用いた針状体の製造方法を提供する。
【解決手段】基部の表面に複数の針を備え、前記針および基部に貫通孔を有する針状体を製造する方法であって、前記針を凹凸反転させた凹部を規定する輪郭部と前記針の貫通孔を凹凸反転させた凸部とを備えた針転写版、および前記基部の底部を規定する板状部と前記基部の貫通孔を凹凸反転させた凸部とを備えた基部転写版を用い、前記針転写版に樹脂を充填させる樹脂充填工程と、前記針転写版の上部に残存している樹脂に対し前記基部転写版を押圧して前記針転写板に接触させる転写版押圧工程と、前記針転写版および前記基部転写版から前記樹脂を取り出す剥離工程とを有することを特徴とする針状体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上を図るＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】本実施形態によるＭＥＭＳ素子は、基板１０上に固定された平板形状の第１電極１１と、前記第１電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である平板形状の第２電極１５と、前記基板上において、前記第１電極および前記第２電極を収納するキャビティ２０を有する膜２６と、を具備する。前記第２電極は、ばね部１６を介して前記基板上に接続されたアンカー部１４に接続されるとともに、その上方において前記膜に接続される。 （もっと読む）

【課題】水平方向と垂直方向の走査周波数が互いに大きく異なる仕様に対しても対応可能であり、かつ、従来よりも破損しにくい２次元光偏向器及びこれを用いた画像表示装置を提供する。
【解決手段】２次元光偏向器１は、照射された光を反射するミラー部２と、ミラー部２を囲うように間隙３を有して配置されたジンバル部４と、ジンバル部４を囲うように間隙５を有して配置されたフレーム部６と、ミラー部２とジンバル部４とを接続する一対の第１トーションバー部７ａ，７ｂと、ジンバル部４とフレーム部６とを接続する一対の第２トーションバー部８ａ〜８ｄ，９ａ，９ｂと、を備え、一対の第２トーションバー部８ａ〜８ｄ，９ａ，９ｂは、所定の材料から構成された第３トーションバー部８ａ〜８ｄと、所定の材料よりも展延性を有する展延性材料から構成された第４トーションバー部９ａ，９ｂと、をそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】センサ配線のノイズを低減し、ミラーの傾きを高精度に検出することが可能な光走査装置及び光走査制御装置を提供することを目的としている。
【解決手段】ミラー及び前記ミラー支持部を挟むように対をなして設けられた第１の駆動梁と、第１の駆動梁の片側を前記捻れ梁と連結する連結梁と、連結梁上に形成されており、第１の駆動梁に駆動電圧が印加されて前記ミラーが揺動しているとき、捻れ梁の軸周りの揺動による連結梁の変位を検出する第１の圧電センサを有し、第１の圧電センサ手段は、上部電極配線がミラー及びミラー支持部を挟む一方の第１の駆動梁に向かって引き出され、下部電極配線がミラー及びミラー支持部を挟む他方の第１の駆動梁に向かって引き出される。 （もっと読む）

【課題】 反射面を二軸周りに揺動するときの回転角を減少させることなく、反射面の二軸周りの揺動を精度良く検知できる光偏向器を提供する。
【解決手段】 光偏向器１は、第１圧電アクチュエータ３１及び第２圧電アクチュエータ５１の駆動で二軸周りに揺動する反射面２ａと、当該揺動を検知する第１検知部７１ｙ及び第２検知部７１ｘを有する第１支持部４とを備える。第２圧電アクチュエータ５１には、第１圧電アクチュエータ３１に導通する第１駆動配線Ｗｙと、第２圧電アクチュエータ５１に導通する第２駆動配線Ｗｏ，Ｗｅと、第１検知部７１ｙに導通する第１検知配線Ｗｍｙと、第２検知部７１ｘに導通する第２検知配線Ｗｍｘと、第１接地線Ｗｇｙとが並行に配置される。第１接地線Ｗｇｙは、第１駆動配線Ｗｙ及び第２駆動配線Ｗｏ，Ｗｅと、第１検知配線Ｗｍｙ及び第２検知配線Ｗｍｘとの間に配置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ミラー部に加わる応力を緩和し、破損や材料疲労を低減させることができる光走査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ミラー反射面１０を有するミラー部４０〜４３を両側からトーションバー５０により支持し、該トーションバー５０を軸Ｘとして揺動させ、前記ミラー反射面１０で反射する光を走査させる光走査装置であって、
前記ミラー部４０〜４３は、前記ミラー反射面１０の中心を通り前記軸Ｘと垂直な垂直軸Ｙと前記ミラー反射面１０の端部との交点と前記トーションバー５０との間に前記トーションバー５０のねじれ運動により発生する応力を緩和する応力緩和領域２０、２２〜２４を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可撓梁の厚みのばらつきを小さくすることができる梁構造デバイスと、その製造方法とを実現する。
【解決手段】第一面と第二面とを有する可撓梁形成基板２１を用意し、可撓梁形成基板２１の第一面側を厚み方向に削り、可撓梁の固定部３Ｃと空洞部２１Ａとを可撓梁形成基板２１に形成する第一工程と、支持基板２を用意し、可撓梁形成基板２１の第一面が支持基板２に対向するように、可撓梁形成基板２１と支持基板２とを接合して、固定部３Ｃを支持基板２に固定する第二工程と、可撓梁形成基板２１の第二面を研削して可撓梁形成基板２１を薄化させる第三工程と、可撓梁形成基板２１の第二面側を厚み方向に削り、可撓梁を形成する第四工程と、を有し、第三工程において、可撓梁が形成される位置とは異なる位置であって、可撓梁形成基板２１と支持基板２との間に、支持柱７が配置されている。 （もっと読む）

【課題】形状精度が高い微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る微細構造体の製造方法は、被加工材上に、開口部が形成され、上面が親水性であり前記開口部の側面が疎水性であるガイド膜を形成する工程と、疎水性部分及び親水性部分を含み、前記疎水性部分の長さが前記親水性部分の長さよりも長い両親媒性高分子を含有した溶液を、前記被加工材及び前記ガイド膜に被着させ、前記溶液を前記疎水性部分が集合した疎水性ブロックと前記親水性部分が集合した親水性ブロックとに分離させ、前記溶液を固化させて固化膜を形成する工程と、前記固化膜から前記親水性ブロックを除去することにより、マスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして前記被加工材に対して処理を施す工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低コスト化を図りつつ、可視光領域での波長分離を高精度に行うことができる光学デバイス、光学デバイスの製造方法、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザを提供すること。
【解決手段】本発明の光学デバイス１は、可動部２１の第２の構造体３側の面上に設けられた第１の駆動電極２８と、第２の構造体３上に第１の駆動電極２８に対向するように設けられた第２の駆動電極３３とを有し、第１の構造体２および第２の構造体３は、金属を主材料として構成された金属層４を介して接合され、かつ、金属層４を導体として第１の駆動電極２８と第２の駆動電極３３との間に電圧を印加することにより、これらの間に静電引力を生じさせて、可動部２１を変位させるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る電子デバイス１００は、基体１０と、基体１０上に載置されている機能素子１０２と、基体１０上に機能素子１０２を覆って載置されているシリコンの蓋体２０と、を含み、蓋体２０には、貫通孔４０と、貫通孔４０を塞ぐ封止部材６０と、が設けられ、貫通孔６０は、基体１０側の第１開口４１の面積よりも、第１開口４１と反対側の第２開口４２の面積の方が大きく、貫通孔４０の体積に対する封止部材６０の体積の比率は、３５％以上８７％以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と回路素子を縦積みにした半導体装置において、半導体素子と回路素子を結ぶ接続用配線の寄生抵抗を小さくし、さらに接続用配線どうしの短絡が起きにくくする。
【解決手段】基板４５の上面にバンプ接合パッド６１を設け、回路素子４３のバンプ７０をバンプ接合パッド６１に接続する。バンプ接合パッド６１は、パターン配線６４によってカバー４４との対向面に設けられた基板側接合部６９に接続されている。カバー４４の下面にはマイクチップ４２が実装される。カバー４４の、基板４５と対向する面には第１の接合用パッド（ボンディング用パッド４８、カバー側接合部４９）が設けられ、マイクチップ４２はボンディングワイヤ５０によって第１の接合用パッドに接続される。カバー４４の第１の接合用パッドと基板４５の基板側接合部６９は導電性材料６５によって接合されており、その結果マイクチップ４２と回路素子４３が電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】真空の空洞内にＭＥＭＳ構造体が封止されたＭＥＭＳ素子において、封止の気密性が長期間安定に保持されるようにする。
【解決手段】ＭＥＭＳ構造体２０１が、基板３０１および積層構造体１２０により、空洞１１０内に気密封止されているＭＥＭＳ素子５００において、積層構造体１２０を構成する、２つの層の間に界面封止層１０１、１０２、１０３を設けて、気体が基板３０１の表面と平行な方向において、２つの層の界面を通過して空洞１１０内に侵入することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化、高コスト化することなく、共振周波数の変動を低減したＭＥＭＳ共振器を提供する。
【解決手段】静電力が印加されると機械的に振動する梁状の振動子１０１と、前記振動子１０１を振動可能に支持する支持部と、空隙１０３を介して前記振動子１０１と対向する面を有する少なくとも１つの電極１０２とを有し、前記振動子１０１の振動により発生する電流を前記振動子１０１又は前記少なくとも１つの電極１０２に接続された出力端子を介して出力するＭＥＭＳ共振器２００であって、前記振動子は前記梁の長手軸を中心としたねじり共振モードで振動を行い、前記振動子１０１および前記電極１０２の互いに対向する面は、互いに異なる導電型の半導体からなり、前記振動子１０１において、前記電極１０２に対向する面を含む表面部分１１１は、他の部分より高い密度で不純物がドープされている。 （もっと読む）

【目的】 特に、Ａｌ−Ｇｅ共晶接合を有する接合部の接合強度を従来に比べて向上させることが可能なＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 第１基材２１と、第２基材２２と、第１基材２１と第２基材２２間に位置し、第１基材２１側に形成された第１の接続金属層５４と第２基材２２側に形成された第２の接続金属層５５とを共晶接合してなる接合部５０と、を有して構成され、接合部５０は、第１基材２１側から第２基材２２側にかけて、Ｔａ層５３、ＡｌあるいはＡｌ合金で形成された第１の接続金属層５４、及び、Ｇｅで形成された第２の接続金属層５５の順に積層されており、Ｔａ層５３の膜厚ｔ１は、２００Å以上１５００Å以下の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】構造設計が容易であり、体格の増大と、熱応力による検出精度の低下とが抑制された半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】母基板（１０）と、母基板（１０）に連結された複数の子基板（３０）と、子基板（３０）に形成された素子と、を有する半導体装置であって、母基板（１０）と子基板（３０）とを連結する連結部（５０）を有し、複数の子基板（３０）の内、ある子基板（３０）に形成された素子は、互いに対向する可動電極と固定電極から成るコンデンサを有し、該コンデンサの静電容量変化に基づいて物理量を検出するセンサ部（４０）であり、任意の子基板（３０）と母基板（１０）とを連結する連結部（５０）と、任意の子基板（３０）とは異なる子基板（３０）と母基板（１０）とを連結する連結部（５０）とは、高さ方向の長さが異なり、複数の子基板（３０）は、高さ方向に並んでいる。 （もっと読む）