【課題】本発明によれば、第１の揺動軸を中心として揺動し得るように構成されたサポートフレーム、及びサポートフレームに固定されたミラーを備えた可動部材であり、サポートフレームの揺動によりミラーが揺動される、可動部材と、サポートフレームと共働するコイルと、サポートフレームとミラーとの間に設けられ、サポートフレームが第１の揺動軸を中心として揺動する際にサポートフレームの縁部からミラーに伝達されるワープの影響を低減させる境界部分とを具備し、サポートフレームが切欠領域をさらに備え、切欠領域が、
【解決手段】サポートフレームが第１の揺動軸を中心として揺動する際にコイルに対する応力を低減させるように、及び／又は前記アクチュエータの特性の中の温度依存性を低減させるように、コイルの少なくとも一部分に対して平行となるように構成されるアクチュエータが、提供される。 （もっと読む）

【課題】断熱構造を持つマイクロ流体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板内の少なくとも１つのマイクロリアクタ１０５と、半導体基板内でマイクロリアクタに接続された１つ以上のマイクロ流体チャネル１０１と、マイクロ流体チャネルを封止するための、半導体基板に接合されたカバー層と、マイクロリアクタ及びマイクロ流体チャネルを包囲する基板貫通トレンチ１００とを備えたマイクロ流体デバイス１０４であって、基板貫通トレンチは空隙であるか、または断熱材料で充填されている、マイクロ流体デバイス （もっと読む）

【課題】複合テンプ輪を製造する方法の改善。
【解決手段】基板（２１）上に少なくとも１つの金属層（２３、２３’、２４、２４’）を選択的に堆積させて、テンプ輪の少なくとも１つの金属部分のパターンを形成するステップ（５、１３）と、
前記基板（２１）に少なくとも１つのキャビティ（２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、２６’、２７’、２８’、２９’、３０’、３１’、３２’、３３’、３４’）を選択的にエッチングして、前記少なくとも１つの金属層を含む前記テンプ輪（４５、４５’）のパターン（３５、３５’）を形成するステップ（７、１７）と、
前記基板（２１）から複合テンプ輪（４５、４５’）を解放するステップ（９）と
を含む。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対し安定した周波数特性を有するＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】基板１００と、基板１００の表面に形成された第１ベース層３０と、第１ベース層３０の表面に固定された固定電極８０と、基板１００の表面に形成された第２ベース層４０と、固定電極８０と対向する梁部９１を備え、梁部９１を支持し第２ベース層４０の表面に固定されたアンカー部９２とを備えた可動電極と、を含み、第２ベース層４０は第１ベース層３０よりも熱膨張係数の大きい材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスとの熱膨張の整合がよくとれた基板を有する構造の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングされたエッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩ方法はＳＯＩウェハ４０を含み、該ＳＯＩウェハ４０は、ハンドル・レイヤ４６、二酸化ケイ素からなる誘電体レイヤ４４、及びデバイスレイヤ４２を有する。ＳＯＩウェハ４０のデバイスレイヤ４２をメサ・エッチングによってパターン形成した後、該ＳＯＩウェハ４０を、パターン形成されたデバイスレイヤを有する別の基板にボンディングする。その後、ＳＯＩウェハ４０のハンドル・レイヤ４６、及び誘電体レイヤ４４をエッチングによって除去される。さらに、デバイスレイヤ４２をエッチングしてＭＥＭＳ装置を形成する。このＢＥＳＯＩ方法では、二酸化ケイ素誘電体レイヤ４４が除去された後に構造エッチングが実行される。 （もっと読む）

【課題】変位量が温度変動に影響されない静電アクチュエータを提供する。
【解決手段】静電アクチュエータ１３０は基本駆動素子１１１ａ１を備えている。基本駆動素子１１１ａ１は、櫛歯電極１０５ａと、櫛歯電極１０６ａと、櫛歯電極１０５ａを保持している電極ポスト１０７ａと、櫛歯電極１０６ａを保持している電極ポスト１０８ａと、電極ポスト１０７ａを保持しているたわみばね１０２，１０４と、電極ポスト１０８ａを保持しているたわみばね１０３から構成されている。櫛歯電極１０５ａと櫛歯電極１０６ａは、それらの櫛歯部が互いに対向するように配置されている。櫛歯電極１０５ａは電極ポスト１０７ａを介してたわみばね１０２，１０４と電気的に接続され、櫛歯電極１０６ａは電極ポスト１０８ａを介してたわみばね１０３と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロ流路と同一の基体に配置した抵抗体を加熱し、抵抗体の抵抗値変化によって、マイクロ流路内の温度を制御するマイクロ流体デバイスにおいて、流路内の流体に温度分布が生じてしまうこと。
【解決手段】基体内部に設けられた流体を流通させる流路と、前記流路内の流体を主として加熱するための第一の抵抗体とが配置されたマイクロ流体デバイスにおいて、前記第一の抵抗体と異なる位置に配置された、前記流路内の流体を補助的に加熱するための第二の抵抗体を複数個配置する。このマイクロ流体デバイスを動作させるマイクロ流体装置は、前記流路内の流体の温度と前記第一の抵抗体の抵抗値との関係式と、前記第一の抵抗体に投入する熱エネルギーと前記第二の抵抗体に投入する熱エネルギーとの比の固定値と、記憶し、前記関係式と前記固定値とに従い、前記流路内の流体の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】共振周波数の温度依存性を低減することが可能な光スキャナと、その光スキャナの製造方法とを提供すること。
【解決手段】第１材料によって構成される平板状の構造体と、台座とを備える光スキャナである。構造体は、ミラー部分と、その一端がミラー部分の両側に連結される一対の捩れ梁部分と、一対の捩れ梁部分の他端に連結される本体部分とを有する。構造体には、ミラー部分を所定の共振周波数にて揺動可能な駆動部が設けられる。構造体は、本体部分の一部であって一対の捩れ梁部分及びミラー部分を挟んで対向する一対の被固定部分において、少なくとも台座に固定される。台座を構成する第２材料の線膨張係数は、第１材料の線膨張係数よりも大きな値であって、共振周波数の温度依存性の絶対値が、台座が第１材料によって構成された場合の共振周波数の温度依存性の絶対値よりも小さくなるような値に設定される。 （もっと読む）

【課題】微細加工デバイスの素子間を絶縁するための装置および方法を提供すること。
【解決手段】一実施形態では、微細加工デバイスは、基層と、微細加工の熱的素子と、微細加工の熱的素子に接触して、基層上の微細加工の熱的素子を支持する非犠牲エーロゲル層とを備える。非犠牲エーロゲル層は、微細加工の熱的素子と基層の間に、熱的絶縁、電気的絶縁、または音響絶縁のうち少なくとも１つをもたらすように配置される。 （もっと読む）

【課題】使用温度範囲全域において分散素子の分散特性を補正することのできる波長選択スイッチを提供する。
【解決手段】波長多重された光を入射させる少なくとも一つの入力部と、入力部からの光を受光し、光を分散させる分散素子と、分散素子によって波長ごとに分散された分散光を集光する集光要素と、分散光を、波長ごとに独立に偏向可能な複数の反射光学素子を有する光偏向部材と、光偏向部材によって偏向された分散光を受光する少なくとも一つの出力部と、分散素子の入射側に配置した２つ以上の偏向プリズムと、を備え、温度変化による、２つ以上の偏向プリズムから分散素子に向けて出射される順方向の光の出射角の変化の２次成分の絶対値と、温度変化前における順方向の光が分散素子から出射する光に沿った光であって、かつ、温度変化後における逆方向の光の分散素子から出射される光の、温度変化による出射角の変化の２次成分の絶対値と、が略一致する。 （もっと読む）

【課題】熱により誘起された高ひずみおよび測定精度の低下を生じないＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサ２０は、基板２６と、基板２６の平坦面２８に形成されたサスペンションアンカー３４、３６とを備える。ＭＥＭＳセンサ２０は、基板２６上に吊らされる、第１可動素子および第２可動素子をさらに備える。可撓性部材４２、４４が第１可動素子３８をサスペンションアンカー３４に相互接続し、可撓性部材４６、４８が第２可動素子４０をサスペンションアンカー３６に相互接続する。可動素子３８、４０は同一の形状を有する。可動素子は矩形または入れ子構成におけるＬ形状可動素子１０８、１１０であってよい。可動素子３８、４０は、基板２６における点位置９４の周りに互いに回転対称に配向される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光走査装置等の構造体のパッケージングを行う場合に、温度上昇に伴う特性低下を防止することができる構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】表面の所定領域３２、３６内に電極パッド３１、３５を有する第１の部品４０、４２、４３が、第２の部品５０、５３、５６上に接着剤６０、６１、６２で接着固定され、該第２の部品５０、５３、５６が端子パッド７１、７４、７７を有する基板７０、７３、７６上に接着固定され、前記電極パッド３１、３５と前記端子パッド７１、７４、７７とが超音波ボンディングされた構造体であって、
前記第２の部品５０、５３、５６は、前記第１の部品４０、４２、４３との接着面の前記所定領域３２、３６と重なる領域にボス５１、５４、５７を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光を走査する際の高速性を損なわずにミラー部の温度上昇を抑制することが可能な光走査素子を提供する。
【解決手段】光を反射する反射面１ａを有するミラー部１と、ミラー部１の両端部に設けられ、ミラー部１を、反射面１ａに平行に延びてミラー部１の両端部と交差する軸を中心として回転方向に往復振動可能に支持する複数対の捻りバネ５６と、複数対の捻りバネ５６を同時に駆動してミラー部１の往復振動を生じさせる駆動部４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】周囲温度が変化しても同入力レベルの入力信号の場合にマイクロホンユニットの出力レベルの変動を抑える。
【解決手段】マイクロホンユニットの反転増幅回路１２は、反転入力端子にＭＥＭＳマイクロホン１５から出力されたアナログ電気信号が入力され、非反転入力端子には直流バイアス電圧が印加される演算増幅器２３と、演算増幅器の出力端子と反転入力端子との間に接続された帰還抵抗１７と、帰還抵抗に並列に演算増幅器の出力端子と反転入力端子との間に直列接続された帰還コンデンサ１８，１９と、帰還コンデンサの間を互いに接続するノードに一方の端子が接続され、他方の端子が基準電位に維持される直流バイアス抵抗２５と、帰還コンデンサの間を互いに接続するノードに一方の電極が接続され、他方の電極には温度センサ１３の電圧信号が印加された可変容量ダイオード２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】パッケージング応力による基板変形が無く、かつ安価なパッケージングが可能なＭＥＭＳデバイスアセンブリを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスアセンブリ２０は、ＭＥＭＳダイ２２と、集積回路ダイ２４とを備える。また、ＭＥＭＳダイは、基板３８に形成されたＭＥＭＳデバイス３６とキャップ層３４とを備える。パッケージング処理は、基板３８にＭＥＭＳデバイス３６を形成することとＭＥＭＳデバイスが存在するカンチレバー基板台を形成するためにＭＥＭＳデバイスを包囲する基板の一部分を除去することを含み、キャップ層３４は基板に接続される。ＭＥＭＳダイは集積回路ダイに電気接続され、ＭＥＭＳダイ、集積回路ダイ、およびそれらを電気的に相互接続する相互接続部３０を実質的に封止するためにモールド成形化合物３２が施される。キャップ層はモールド成形化合物がＭＥＭＳデバイスと接触することを防止する。 （もっと読む）

【課題】湿気や温度等の外部環境の影響を受けにくく、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減することのできるＭＥＭＳデバイスを提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に配置され、支持部と、前記支持部に対して変位する可動部と、前記可動部を覆い、前記支持部に固定された蓋部材と、を有するＭＥＭＳ素子と、少なくとも前記ＭＥＭＳ素子の周囲を覆う発泡体と、を備えることを特徴とするＭＥＭＳデバイスを提供する。また、支持部と、前記支持部に対して変位する可動部と、前記可動部を覆い、前記支持部に固定された蓋部材とを有するＭＥＭＳ素子を基板上に配置し、前記ＭＥＭＳ素子上に発泡性の樹脂を滴下し、前記発泡性の樹脂を発泡させることを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高価なマイクロリソグラフィ装置を使用せず、比較的安価で、かつ６５℃を超える温度で操作する用途に使用可能なマイクロ流体デバイスを提供する。
【解決手段】固体接着剤の薄いシートを有する基板材料２１の表面ににプリンタを用いてワックス２０を印刷した後、このワックスをマスキング層として基板を選択的にエッチングし、所望のパターンをを有する固体接着剤２２を有する基板を作製する。次にこの基板からマスキング層を除去した後、第２の基板と接着して基板層を形成し、さらにこの基板層を硬化させることで三次元マイクロ流体デバイスを得る。 （もっと読む）

【課題】測定感度を低下させることなく、ピエゾ抵抗素子の熱変動に起因する通電変動を抑制することにより、高感度及び高精度の圧力測定を実現できるピエゾ抵抗式圧力センサを提供すること。
【解決手段】ピエゾ抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４はダイヤフラム３１と支持部３２との境界近傍のダイヤフラム３１上に配置されている。これにより、圧力を高感度で測定できる。各ピエゾ抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のピエゾ抵抗素子群配置領域の面積はすべて同じであるとともに前記領域の外形形状は同形状とされている。これにより、ピエゾ抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４間での温度分布を均一化できるので、ピエゾ抵抗素子の熱変動に起因する通電変動を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】１次および２次温度補償型水晶共振子を提供する。
【解決手段】温度補償共振子の本体３、５、７のコアが、１次および２次の温度係数（α、β、α’、β’）を決定する水晶においてカット角度（θ’）で形成されたプレートから形成され、本体３、５、７は、コア上に少なくとも部分的に堆積され、共振子の１次および２次の温度係数（α、β、α’、β’）をほぼゼロにするために、共振子の１次および２次の温度係数（α、β、α’、β’）それぞれに対して反対の符号の、温度による１次および２次ヤング率変動（ＣＴＥ１、ＣＴＥ２、ＣＴＥ１’、ＣＴＥ２’）を有するコーティングを含む。 （もっと読む）

【課題】簡易なプロセス技術や実装技術で光学素子の反射戻り光の影響を抑制した小型な波長可変レーザを実現する。
【解決手段】半導体ゲインチップと波長可変フィルタを集積した波長可変レーザ光源において、静電力を使ってエタロン間隔を調整する波長可変フィルタに金属の斜め反射鏡を集積すること、および垂直出射型の半導体ゲインチップに用いる45°斜め反射鏡の角度を45°からずらすことで、フィルタを斜め配置することなく、一般的かつ簡易なプロセス技術や実装技術を用いて波長可変フィルタ入射端面からの波長反射戻り光の影響を抑制した小型な波長可変レーザ光源。 （もっと読む）