【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第１工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第２工程と、前駆体組成物層を８０℃〜２００℃の範囲内にある第１温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第３工程と、前駆体組成物層を８０℃〜３００℃の範囲内にある第２温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第４工程と、前駆体組成物層を第２温度よりも高い第３温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第５工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】複合テンプ輪を製造する方法の改善。
【解決手段】基板（２１）上に少なくとも１つの金属層（２３、２３’、２４、２４’）を選択的に堆積させて、テンプ輪の少なくとも１つの金属部分のパターンを形成するステップ（５、１３）と、
前記基板（２１）に少なくとも１つのキャビティ（２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、２６’、２７’、２８’、２９’、３０’、３１’、３２’、３３’、３４’）を選択的にエッチングして、前記少なくとも１つの金属層を含む前記テンプ輪（４５、４５’）のパターン（３５、３５’）を形成するステップ（７、１７）と、
前記基板（２１）から複合テンプ輪（４５、４５’）を解放するステップ（９）と
を含む。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー工程とエッチング工程の回数を減らし、製造時間の短縮化と低コスト化を図る。
【解決手段】基板と膜の支持構造と光学積層膜と移動可能な反射層と空隙とを含む光干渉変調方式による表示装置の製造方法であって、基板上に支持構造と光学積層膜とを設けた構造に対してフォトレジスト膜を形成する工程と、透過率の異なる複数の領域を具備する多階調フォトマスクを用いて露光及び現像を行う工程と、前記現像後のフォトレジスト膜の上部に反射層を形成する工程と、前記反射層を残してレジスト膜を除去する工程と、を有する表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】振動ミラーの共振周波数のばらつきを防止し、個別に共振周波数を高精度に調整することが可能な光走査装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ウエイト量決定装置のカメラにより金属構造体２０を平面視で撮影して、画像から所定の画像処理により捩り梁１１の画像を切り出し、ウエイト量決定装置のＣＰＵが所定の画像処理プログラムを実行することにより梁幅を測定する。ウエイト量決定装置のＣＰＵがＨＤＤのウエイト量テーブル記憶エリアに記憶されているウエイト量テーブルを参照して、測定した捩り梁の梁幅から塗布するウエイトの量を決定する。ウエイト量決定装置のＣＰＵが、測定された梁幅に基づいて、ウエイト量テーブルを各々参照して、ディスプレイに一例として、「梁結合部：０．１mm^３」や「ミラー裏：０．０１mm^３ 」と表示する。その後、ウエイト４０が梁結合部６又はミラー５の裏面に塗布される。 （もっと読む）

【課題】２つの基板が貼り合わされて構成された半導体力学量センサにおいて、製造工程の短縮化を図ると共に積層構造の簡素化を図る。
【解決手段】第１半導体基板１２０に配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を含んだパターン部１３０を形成したものを用意し、第２半導体基板１４２上に第１絶縁層１４４を形成した支持基板１４０を用意する。そして、配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を第１絶縁層１４４に直接接合することにより、第１半導体基板１２０と支持基板１４０とを貼り合わせる。この後、第１半導体基板１２０にセンサ構造体１１０を形成し、周辺部１５０にキャップ２００を接合する。そして、キャップ２００に第１〜第４貫通電極部３００〜３３０を形成することにより半導体力学量センサが完成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ装置が備える性能を十分に発揮しうる装置構成を採用しつつ、徒らに製造工程数が増加することを防止し、製造時間の短縮を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に設けられる有機絶縁膜３と、有機絶縁膜３上に、有機絶縁膜３よりも薄く形成される無機絶縁膜４と、無機絶縁膜４上に形成され、その内部にＭＥＭＳ素子５を中空に封止する中空封止構造体６と、有機絶縁膜３と無機絶縁膜４とを貫通して形成される貫通孔７と、貫通孔７に充填されて基板２に形成される電極とＭＥＭＳ素子５とを電気的に接続する導電性部材８とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低くしつつ、傷から保護されるセンサデバイスを提供すること、およびこのようなセンサデバイスを製造する方法を提供すること。
【解決手段】成形体と成形体上に被着されているピエゾ抵抗センサ層とを有しており、ピエゾ抵抗センサ層は少なくとも１つの金属並びに炭素または炭化水素を含んでおり、ピエゾ抵抗センサ層上で薄膜パッシベーション層およびコンタクト層が省かれる、センサデバイス。 （もっと読む）

【課題】回路素子と機能素子とが同一基板上に絶縁膜を介して積層して形成される電気部品において、２つの素子間を結ぶ接続配線の信頼性を従来に比して高められる電気部品を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳトランジスタ１１に接続され、第１の絶縁膜２０上に形成される第１の配線２２Ａと、第１の配線２２Ａ上に形成される第２の絶縁膜３０を介して形成され、ＭＥＭＳ素子５０に接続される第２の配線３１と、第２の配線３１上を覆う第３と第４の絶縁膜４０，６０と、第２の配線３１と第１の配線２２Ａとを接続する接続配線７０とを備え、接続配線７０は、第２の配線３１の形成位置内で第４と第３の絶縁膜６０，４０を貫通する第１のビア７１と、第１の配線２２Ａの形成位置内で第４〜第２の絶縁膜６０，４０，２０を貫通するビア７０２と、第４の絶縁膜６０上で第１と第２のビア７０１，７０２とを結ぶ接続用配線７０３とが同一材料で一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノインプリントのレジスト及びナノインプリントの方法に関する。
【解決手段】本発明のナノインプリントのレジストは、超分岐ポリウレタンオリゴマーと、ペルフルオロポリエーテルと、メタクリル酸メチル樹脂と、有機希釈剤とを含む。また、本発明は、前記ナノインプリントのレジストを利用して、ナノインプリントを行う方法を提供する。 （もっと読む）

少なくとも１つの露出面を有する固体状材料を提供する工程と；露出面に補助層を適用して複合物構造（応力パターンを有する補助層）を形成する工程と；その中の深さで面に沿って固体状材料の破壊を促進する条件に複合物構造をさらす工程と；補助層および、それと共に、破壊深さで終了する固体状材料の層（応力パターンに対応する表面トポロジーを有する固体状材料の除去された層の露出面）を除去する工程とを含む印刷方法が開示される。
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【課題】チップ部の可動電極と封止部の固定電極とを同電位とする共有導通配線の、陽極接合後における専用工程としての断線処理を省くことができるＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】可動電極８を有するチップ部２Ａをマトリクス状に複数個形成したウェーハ２０と、固定電極７を有する封止部３Ａをマトリクス状に複数個形成した封止ガラス３０と、を重ね合わせて陽極接合する接合工程と、陽極接合したウェーハ２０および封止ガラス３０をスクライブライン４０に沿ってダイシングし、チップ部２Ａと封止部３Ａとを陽極接合して成る複数個のＭＥＭＳデバイス１を得るダイシング工程と、を備え、スクライブライン４０のライン幅Ｗ内には、チップ部２Ａの単位で、可動電極８と固定電極７とを導通する複数の共有導通配線１６が、パターン形成されている。 （もっと読む）

【課題】曲線を含む輪郭からなるシリコン単結晶微細構造を基板空洞上に形成するに際して，ドライエッチングを使わず１回のフォトリソグラフィだけで形成可能なシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン窒化膜３０１を介し２枚のシリコン基板２０、３０を貼り合わせた後一方の基板を微小構造体の厚さにあわせて薄膜化する．特定の結晶異方性エッチング液で薄膜部をエッチングすることにより曲線輪郭の構造体を加工する。その後，ＬＯＣＯＳ酸化膜を選択的に微細構造体表面に形成しこれを保護膜として，通常の結晶異方性エッチング液で構造体下部のエッチングを行ことにより，１枚のフォトマスクのみで膜厚を制御した構造体の加工ができる。 （もっと読む）

【課題】工程の簡略化や装置の信頼性の向上を図ることが可能な半導体又はＭＥＭＳを備える中空封止型半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】カバー基材１０の一方の面に光照射後において接着性を有し且つ硬化性を有する感光性樹脂層を形成する工程と、前記感光性樹脂層の所定箇所に光照射した後に光照射されていない箇所を除去するフォトリソグラフィーにより、前記感光性樹脂層の一部を除去し、前記感光性樹脂層の残部からなり且つ接着性を有するスペーサー部３０を形成する工程と、半導体又はＭＥＭＳを備える機能部４０が形成されたウェーハ５０の機能面に、前記スペーサー部３０を介して前記カバー基材１０を貼付し、前記スペーサー部３０を硬化せしめて中空封止型積層体を得る工程と、前記中空封止型積層体をダイシングにより分割して前記中空封止型半導体装置を得る工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】製造に要する時間の短縮を図ることができる、ＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の表面２ａ上に、平面視四角環状の壁部６が設けられている。壁部６上には、平面視四角環状の第２絶縁層９が設けられており、この第２絶縁層９を介して、平面視四角形状のキャップ１０の周縁部が支持されている。シリコン基板２の表面２ａ上には、第１絶縁層８、壁部６、第２絶縁層９およびキャップ１０により、Ｘ／Ｙ可動部３、Ｘ／Ｙ固定部４、Ｚ可動部５および分離部７を収容する中空部分２０が形成されている。そして、キャップ１０は、ポリシリコンからなり、シリコン基板２上にドープトポリシリコン層を形成し、ドープトポリシリコン層に分離溝１２，１４を形成して、ドープトポリシリコン層を分割することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ポリマー材料を用いてアクチュエータを単純な構造で実現することにより破損や故障し難くすること、また、その製造工程及び工数を削減することを目的とする。
【解決手段】本発明のポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１は、シリコン基板１０の上にポリマー材料により電気で駆動可能な微小機械構造を成しており、シリコン基板１０の上に固定した導電材料による第１の電極１１と、光反射用の鏡１４が固定された先端部がシリコン基板１０上の空間で当該基板１０に対して垂直方向に可動可能なポリマー材料によるポリマー可動部１２と、このポリマー可動部１２及びシリコン基板１０の上に、ポリマー可動部１２で第１の電極１１と電気的に絶縁状態に固定した導電材料による第２の電極１３とを備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】 非接着部を有するマイクロチップを製造する際に、マスクを使用せず、また非接着性物質又はプラズマで活性化しない物質も塗布せずに非接着部を形成することができるマイクロチップの製造方法を提供する。
【解決手段】 互いに恒久接着可能な材質からなる第１の基板と第２の基板のうちの少なくとも一方の基板の貼り合わせ面を表面改質処理してから両基板を貼り合わせて恒久接着させることによりマイクロチップを製造する方法において、非接着部となるべき箇所に対応する箇所の前記第１の基板の外表面を吸引手段により引き上げながら前記第２の基板と貼り合わせることにより両基板間の非接着部となるべき箇所を剥離状態に維持し、前記表面改質処理による活性化状態が消失した後に、前記吸引手段による前記第１の基板の引き上げを停止させることにより非接着部を形成することを特徴とする非接着部を有するマイクロチップの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ポリマー材料を用いてアクチュエータを単純な構造で実現することにより破損や故障し難くすること、また、その製造工程及び工数を削減することを目的とする。
【解決手段】本発明のポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０は、シリコン基板１１の上にポリマー材料により電気で駆動可能な微小機械構造を成しており、長手板状のポリマー材料によるポリマー可動部１２と、このポリマー可動部１２と概略同形状を成してその上面に固着された金属ヒータ１３と、ポリマー可動部１２及び金属ヒータ１３の先端部に固定された光を反射する鏡面１４ａを表裏面に有する鏡１４とを備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】単一のシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェハからＭＥＭＳ装置を製造する方法の提供。
【解決手段】ＳＯＩウェハ２０は、シリコン（Ｓｉ）ハンドル層２８、Ｓｉ機構層２４、およびＳｉハンドル層とＳｉ機構層との間に位置する絶縁層２６を含む。Ｓｉ機構層から活動部品をエッチングする工程を含む。その後、露出されたＳｉ機構層の表面にボロンがドープされる。次に、Ｓｉ機構層のエッチングされた活動部品の近くの絶縁層の一部が取り除かれ、エッチングされた活動部品の近くのＳｉハンドル層が、エッチングされる。 （もっと読む）

【課題】 垂直方向のみから荷重をかけることで、接合強度を向上させることができ、さらにＸ−Ｙ位置精度を高く維持することができるＭＥＭＳデバイスとＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＭＥＭＳデバイス１０は、マイクロミラーチップ１と、マイクロミラーチップ１に対向し、積層する電極基板２と、マイクロミラーチップ１と電極基板２に介在し、厚み方向に貫通する貫通孔４を有する複数の中間部材３と、電極基板２に形成され、貫通孔４を貫通することでマイクロミラーチップ１と電極基板２を接合させる金バンプ８を有し、貫通孔４は、垂直方向からの荷重と熱によって金バンプ８が接合パッド６によって垂直方向につぶれると同時に貫通孔４に沿って水平方向にも広がるように変形できる大きさを有し、そのため貫通孔４は、例えば端面３ａに向かって径が大きくなるテーパ形状の段差部５を有している。 （もっと読む）

【課題】製造工程を短縮化することができる電鋳品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】マスター金型１１の表面に、電気めっきを施してマスター金型１１と逆パターン形状の電鋳層２を形成し、その電鋳層２をマスター金型１１から離型して電鋳品を製造する製造方法において、マスター金型１１に少なくとも導電性材料を有する補強枠３を接触させて、その状態でマスター金型１１と補強枠３とに電気めっきを施して補強枠３と一体化された電鋳層２を形成し、一体化された電鋳層２と補強枠３とをマスター金型１１から離型して電鋳品１を製造する。 （もっと読む）