【課題】簡単な構成によって櫛歯電極間に精度よく段差構造が形成され、かつ、全体の小型化を可能とするマイクロスキャナを提供すること。
【解決手段】反射ミラー（１０）の自由端に形成された第１の櫛歯電極（１３ａ，１３ｂ）と、第１の櫛歯電極（１３ａ，１３ｂ）と対向し互いの櫛歯が交互に噛み合うように配置された第２の櫛歯電極（１５ａ，１５ｂ）と、第２の櫛歯電極（１５ａ，１５ｂ）と梁（１８）を介して結合された接触部（１９）と、接触部（１９）の上部または下部の少なくとも一方と向かい合う位置に固定配置された電極部（２０）と、を有し、接触部（１９）と電極部（２０）との間に静電引力を発生させて、接触部（１９）を変位させる構成とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成によって櫛歯電極間に精度よく段差構造が形成され、かつ、全体の小型化を可能とするマイクロスキャナを提供すること。
【解決手段】反射ミラー（１０）の自由端に形成された櫛歯電極を有する第１の櫛歯部（１３ａ，１３ｂ）と、第１の櫛歯部（１３ａ，１３ｂ）と対向し互いの櫛歯が噛み合うように配置された櫛歯電極を有する第２の櫛歯部（１５ａ，１５ｂ）と、反射ミラー（１０）および第２の櫛歯部（１５ａ，１５ｂ）の一方の面に対向するようにスペースを開けて配置された透光性基板（２２）と、透光性基板（２２）を固定端として第２の櫛歯部（１５ａ，１５ｂ）の一部であって第２のトーションバー（１６）の軸から外れた位置を押圧する押圧部材（２３）と、具備する構成とする。 （もっと読む）

【課題】慣性センサを提供する。
【解決手段】慣性センサ（２０）は、振動運動を受けるように構成された駆動質量（３０）と、駆動質量（３０）に連結された感知質量（３２）とを含む。軸上トーションばね（５８）は、感知質量（３２）に結合され、当該軸上トーションばね（５８）は回転軸（２２）と同一ロケーションに配置されている。慣性センサ（２０）は、軸外ばねシステム（６０）をさらに含む。軸外ばねシステム（６０）は、軸外ばね（６８、７０、７２、７４）を含み、その各々は、感知質量（３２）上の回転軸（２２）からずれたロケーションにおいて感知質量（３２）に結合された接続接合部分（７６）を有する。合わせて、軸上トーションばね（５８）および軸外ばねシステム（６０）は、感知質量（３２）が、駆動質量（３０）の駆動周波数に実質的に一致する感知周波数において回転軸（２２）を中心として平面外で振動することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】捻り振動を用いた光走査装置において温度変化による走査特性の変化を抑制する
【解決手段】光を反射させる反射面を有するミラー３１と、ミラー３１を捻り振動させるための回転軸ｋとなる弾性連結部１６ａ，１６ｂを備え、回転軸ｋを中心にしてミラー３１を揺動させて光を走査する。そしてミラー支持枠３２と熱アクチュエータ３３が、ミラー３１と弾性連結部１６ａ，１６ｂとを連結するとともに、温度が高くなるほどミラー３１の回転軸ｋ周りの慣性モーメントが低くなるようにミラー３１を変位させる。なお、ミラー３１の慣性モーメントを変化させるために、ミラー３１の反射面は、円以外の形状（図では楕円形状）を有し、熱アクチュエータ３３は、反射面に垂直な回転軸を中心にミラー３１を回転させる。 （もっと読む）

【課題】櫛歯同士の貼り付きが生じない櫛歯型アクチュエータを提供する。
【解決手段】光偏向器は、可動板１０１と、可動板１０１を回転軸１１１の回りに傾斜可能に支持する一対のトーションバー１０２と、トーションバー１０２が接続された固定部１０３を有している。可動板１０１は、複数の導電性の可動櫛歯１０４，１０７を有している。固定部１０３は、複数の複合固定櫛歯１０５，１０８を有している。複合固定櫛歯１０５は、複数の導電性の固定櫛歯１０５ｂを有している。複合固定櫛歯１０５はまた、外部衝撃などによる可動櫛歯１０４と固定櫛歯１０５ｂの接触を防止する複数の導電性のストッパー１０５ａを有している。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した物理量センサー素子、物理量センサー素子を備える物理量センサー、および、物理量センサー素子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、絶縁基板２と、絶縁基板２の上方に設けられている可動部３３と、可動部３３に設けられている可動電極指３６１〜３６５、３７１〜３７５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ可動電極指３６１〜３６５、３７１〜３７５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８、３９１〜３９８と、を含み、絶縁基板２には、配線４１、４２、４３を有する凹部２２、２３、２４が設けられ、平面視で配線４１、４２、４３と重なる位置の素子片３に凸部４７１、４７２、４８１、４８２、５０が設けられ、配線４１、４２、４３と凸部４７１、４７２、４８１、４８２、５０とが接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る電子デバイス１００は、基体１０と、基体１０上に載置されている機能素子１０２と、基体１０上に機能素子１０２を覆って載置されているシリコンの蓋体２０と、を含み、蓋体２０には、貫通孔４０と、貫通孔４０を塞ぐ封止部材６０と、が設けられ、貫通孔６０は、基体１０側の第１開口４１の面積よりも、第１開口４１と反対側の第２開口４２の面積の方が大きく、貫通孔４０の体積に対する封止部材６０の体積の比率は、３５％以上８７％以下である。 （もっと読む）

【課題】梁部の損傷が抑制されたＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】支持基板（１１）と、該支持基板（１１）から高さ方向に浮いた浮遊部（１５）と、該浮遊部（１５）と支持基板（１１）とを連結するアンカー（３０）と、を有するＭＥＭＳデバイスであって、浮遊部（１５）は、錘部（１７）、及び、該錘部（１７）とアンカー（３０）とを連結する梁部（２０）を有し、梁部（２０）は、錘部（１７）の端部と連結される第１部位（２１）、アンカー（３０）と連結される第２部位（２２）、及び、第１部位（２１）と第２部位（２２）とを連結する２つの連結部（２３）を有し、平面形状が環状を成しており、連結部（２３）は、平面形状が弧状を成し、２つの端部の内の一方が、第１部位（２１）の端部と連結され、残りもう一つの端部が、第２部位（２２）の端部と連結されている。 （もっと読む）

【課題】静電アクチュエータと当該静電アクチュエータを駆動するための駆動集積回路を縦方向に集積することによって実装面積を小さくする。
【解決手段】
第１部材３２には静電アクチュエータ４６を設けている。第２部材３３には、静電アクチュエータ４６を駆動するための駆動用ＩＣ７２を設けている。第１部材３２と第２部材３３は、静電アクチュエータ４６を設けた面と駆動用ＩＣ７２を設けた面を対向させて、外周部の接合部３５と接合部３６で接合されている。第１部材３２、第２部材３３及び接合部３５、３６によって構成された空隙部３４内には、静電アクチュエータ４６と駆動用ＩＣ７２が気密的に封止されている。駆動用ＩＣ７２に用いられているコンデンサ７５は、コンデンサ７５に発生する電界の向きと静電アクチュエータ４６を駆動するための電界の向きとが交差、好ましくは直交するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】導電性が皆無又はほとんど無い活性層を必要とする構造を低コストで製造可能なＭＥＭＳ構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロシステム又はナノシステム型デバイスは、可動部分１２０を有する第１基板１００と、第２基板２００と、第１基板及び第２基板の間に配置されている第１電極１０２及び誘電層１０１とを備えている。第１基板１００が、第１電極１０２に対して当接している導電性材料により充填されている貫通状態の縦導電経路１１１を有する。 （もっと読む）

【課題】ミラー面の鏡面性と製造歩留りに優れたＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法を提供する。
【解決手段】空洞HOが形成されるハンドル層Hと表面が鏡面仕上げされたデバイス層B、Ｔとがシリコン酸化膜を介して接合されたウエハを準備する工程、デバイス層にＭＥＭＳ走査型ミラーの下層構成要素に対応しかつデバイス層に形成すべき下層構造体を形成する工程、下層構造体形成後のウエハのデバイス層にシリコン酸化膜を介して上層のデバイス層を形成するためのウエハを接合する工程、上層のウエハを加工して所定厚さの上層のデバイス層を形成する工程、上層のデバイス層にＭＥＭＳ走査型ミラーの上層構成要素に対応しかつ上層のデバイス層に形成すべき上層構造体を形成する工程、ハンドル層Hに空洞を形成する工程、下層構造体のシリコン酸化膜を除去してＭＥＭＳ走査型ミラーを完成させる工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】可動電極の厚さを厚くすることなく、可動電極の可動範囲を大きくできるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に離間して配置されて基板１０１に近づくほど間隔が狭く形成された２つの固定電極１０２，１０３と、２つの固定電極１０２，１０３の間に入り込んで基板１０１の法線方向に変位可能とされて２つの固定電極１０２，１０３に接触しない範囲の幅とされた可動電極１０４とを備える。固定電極１０２および固定電極１０３は、例えば、同電位とされ、また、可動電極１０４の延在方向の断面形状が、線対称となるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】可動電極の厚さを厚くすることなく、可動電極の可動範囲を大きくできるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に離間して配列された４つ以上の固定電極からなる固定電極部１０２と、隣り合う固定電極の間に各々配置され、隣り合う固定電極の間に入り込んで基板１０１の法線方向に変位可能とされて隣り合う固定電極に接触しない範囲の幅とされた複数の櫛歯部１３１を備えた可動電極１０３とを少なくとも備える。本実施の形態では、固定電極部１０２は、６個の固定電極１２１〜１２３から構成している。加えて、固定電極１２１〜１２３は、配列の中央ほど低く形成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板と絶縁基板とを接合した時に形成される密閉空間部の圧力を調整することの可能なＭＥＭＳセンサを得る。
【解決手段】シリコン基板４と、シリコン基板４の上下両面４ａ、４ｂに接合される一対の絶縁基板２、３と、シリコン基板４と絶縁基板２、３とを接合した時に形成される密閉空間部６とを備えたＭＥＭＳセンサ１において、絶縁基板２、３またはシリコン基板４の露出した外表面３ｂに、密閉空間部６と連通する貫通孔７を設ける。 （もっと読む）

【課題】マイクロシステムおよび／またはナノシステムタイプの新規作製方法、ならびに新規構造体を提供すること。
【解決手段】下部電極と呼ばれる少なくとも１つの電極（１０２）、および少なくとも１つの誘電体層（１０３）を含む第１の基板（１００）と、
可動部分（２１０）を含めた、デバイスのメイン平面と呼ばれる平面全体に延在する中間基板（２００’）と、
中間基板（２００’）に付着された上部基板（３００）であって、前記可動部分が下部電極と上部基板との間を移動することができる、上部基板と
を含む、マイクロシステムおよび／またはナノシステムタイプのデバイスについて記載されている。 （もっと読む）

【課題】全体の大形化を抑えながらも、外部応力に起因する可動電極部の変形を効果的に防止する。
【解決手段】支持基板２上に絶縁層３を介して設けられた単結晶シリコン層４に溝を形成することにより、可動電極部６及び固定電極部７，８からなるセンサエレメント５を設ける。可動電極部６は、錘部６ａから櫛歯状に延びる可動電極６ｄを有し、錘部６ａの前後両端部に梁部６ｂを有すると共に、前端側に第１のアンカ部６ｃを有している。アンカ部６ｃの上面に、アルミ製の電極パッド９を設ける。アンカ部６ｃに、応力遮断用の２本のスリット１２を単結晶シリコン層４全体が除去される深さで形成する。各スリット１２は、アンカ部６ｃの左右の両側縁部から、電極パッド９の左右両端縁部を延ばした仮想延長線を横切る位置まで内側に延びている。スリット幅寸法ｃを５μｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて、小型で且つ、高い感度を得ることが可能なＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 可動電極部は、Ｘ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配置された複数本の可動支持部５０と、各可動支持部５０の側部から延出し、各可動支持部５０にてＹ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配置された複数本の可動電極子６０と、を有する。固定電極部は、Ｘ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配置された複数本の可動支持部５０と、各固定支持部５１の側部から延出し、各固定支持部５１にてＹ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配置された複数本の固定電極子６２と、を有する。複数本の可動支持部と複数本の固定支持部とがＸ１−Ｘ２方向に交互に配列されており、隣り合う可動支持部と固定支持部とが組６６にされて、各組の可動支持部と固定支持部の間にて可動電極子６０と固定電極子６２とが交互に配列されている。 （もっと読む）

【課題】変位量が温度変動に影響されない静電アクチュエータを提供する。
【解決手段】静電アクチュエータ１３０は基本駆動素子１１１ａ１を備えている。基本駆動素子１１１ａ１は、櫛歯電極１０５ａと、櫛歯電極１０６ａと、櫛歯電極１０５ａを保持している電極ポスト１０７ａと、櫛歯電極１０６ａを保持している電極ポスト１０８ａと、電極ポスト１０７ａを保持しているたわみばね１０２，１０４と、電極ポスト１０８ａを保持しているたわみばね１０３から構成されている。櫛歯電極１０５ａと櫛歯電極１０６ａは、それらの櫛歯部が互いに対向するように配置されている。櫛歯電極１０５ａは電極ポスト１０７ａを介してたわみばね１０２，１０４と電気的に接続され、櫛歯電極１０６ａは電極ポスト１０８ａを介してたわみばね１０３と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は三次元構造体の製造効率の低下を招くことなく、電極パッドをシリコン基板に形成可能な三次元構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の三次元構造体の製造方法は、シリコン基板T、B、Hを用いて形成された三次元微細構造体の電極パッド１６P３、１６P４の形成領域１６P３’、１６P４’に金Ａｕを堆積させる金属堆積工程と、シリコン基板T、B、Hを熱により酸化させて金Ａｕの形成領域以外の表面にシリコンの酸化膜ＳiO₂を形成する酸化膜形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスと基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができるとともに、センサデバイスと基板との電気的な結合を切り離すことによるセンサデバイスと基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上することのできる三次元構造体を提供する。
【解決手段】三次元構造体１００は、第１の基板１と、第１の基板１の一方の面に形成された絶縁体からなる多孔層２と、多孔層２において第１の基板１が形成されている側の面と反対側の面に形成された第２の基板３とを備え、多孔層２における各孔２ａの積層方向に対する断面形状が、正六角形状の孔２ａを複数個並べたハニカム形状を有し、多孔層２の厚さは、１μｍよりも大きくなっている。 （もっと読む）