【課題】少なくとも１つが単結晶半導体からなる数層によって形成される活性部を備える構造を形成する、ＳＯＩ基板を用いるよりも低コストであり、より速い方法を提供すること。
【解決手段】第１の単結晶シリコン基板から少なくとも２つの層を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、ａ）第１の基板に少なくとも１つの多孔質シリコン領域を形成する段階、ｂ）第１の基板の表面全体及び多孔質シリコン領域の表面に単結晶シリコン層をエピタキシャル成長成膜させる段階、ｃ）多孔質シリコン領域にエピタキシャル成長された単結晶層を加工して第１の懸架領域を形成する段階、ｄ）多孔質シリコンを除去または酸化する段階、ｇ）シリコンに対して選択的な犠牲層を成膜する段階、ｆ）第１の基板を加工する段階、及びｇ）犠牲層を除去することによって懸架領域をリリースする段階を備える方法である。 （もっと読む）

【課題】柔軟性に優れ、低い電圧で変形（変位）することが可能で、低温領域での作動性に優れた変形材料およびそれを用いたアクチュエーターを提供すること。
【解決手段】本発明の変形材料は、酸化還元反応により、分子構造が変わる刺激応答性化合物と、有機塩および／または無機塩と、を含み、刺激応答性化合物が、回転軸として機能する結合を有するユニットＡと、前記ユニットＡの第１の結合部位に配置された第１のユニットＢと、前記ユニットＡの第２の結合部位に配置された第２のユニットＢと、ユニットＣと、を備え、前記第１のユニットＢと前記第２のユニットＢとは、酸化還元反応によって結合するものであり、前記ユニットＣは、炭素数が２および／または３のアルキレンオキシドが重合してなるポリアルキレンオキシド構造を含むものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速応答性に優れ、大きく変位することが可能な変形材料、および、それを用いたアクチュエーターを提供すること。
【解決手段】本発明の変形材料は、酸化還元反応により、分子鎖が伸縮する刺激応答性化合物と、ポリアルキレンオキシドと、有機塩および／または無機塩と、を含むことを特徴とする。刺激応答性化合物は、回転軸として機能する結合を有するユニットＡと、前記ユニットＡの第１の結合部位に配置された第１のユニットＢと、前記ユニットＡの第２の結合部位に配置された第２のユニットＢと、第１のユニットＣと、第２のユニットＣと、を含むものであり、前記第１のユニットＢと前記第２のユニットＢとが酸化還元反応によって結合し、前記第１のユニットＣおよび前記第２のユニットＣが液晶性を有する官能基であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法に係り、該エネルギー変換素子は、複数のドーピング領域を含むモノリシック単結晶シリコン層、単結晶シリコン層に内在し、複数のドーピング領域のうち１つのドーピング領域３０にのみ連結された振動体３２、３４、振動体３２、３４に印加される入力信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第１ダイオード）、及び振動体３２、３４から出力される信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第２ダイオード）を含み、単結晶シリコン層は、内部に密閉された空間６０を含み、振動体３２、３４は、空間６０に備えられてもよい。 （もっと読む）

【課題】変形量が大きく、長時間通電しても変形量が大きく変化しないアクチュエータの創出。
【解決手段】カーボンナノチューブ、イオン液体およびポリマーを含む高分子ゲルから構成される導電性薄膜であって、前記高分子ゲルの内部もしくは表面に油脂及び撥水剤からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む、導電性薄膜。 （もっと読む）

【課題】素子に不具合が生じることが抑制された電子デバイス、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】接合された２つの基板（１０，５０）に素子（２０，６０）と貫通電極（３０）とが形成されて成る電子デバイスであって、素子（２０，６０）は、２つの基板（１０，５０）の少なくとも一方に形成され、貫通電極（３０）は、２つの基板（１０，５０）の少なくとも一方に形成されており、貫通電極（３０）は、一方の基板（１０）における他方の基板（５０）との接合面（１０ａ）側から、その裏面（１０ｂ）まで除去されて成るトレンチ（３１）と、該トレンチ（３１）を構成する壁面の一部に形成された導電膜（３５）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】温度で変化するバイアスを低減するために、振動構造姿勢制御装置を調整するための方法およびシステムを提供すること。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）振動構造姿勢制御装置を較正するための方法が、提供される。方法は、少なくとも１つの駆動電極に対する少なくとも１つのプルーフマスの位置の示度を取得するステップと、少なくとも１つのプルーフマスを少なくとも１つの駆動電極に対する第１の位置に配置するように構成された静電力を、少なくとも１つのプルーフマスに、示度の関数として加えるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】性能の向上したアクチュエータを提供する。
【解決手段】酸性基を有する導電性ポリマー(A)と、カーボンナノチューブ(B)と、バインダーポリマー(C)と、電解質(D)とを含んで構成される導電性薄膜。 （もっと読む）

【課題】可動部の特性異常をもたらす静電気の影響を緩和するＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】本体部１と本体部１の一面に形成された第一の固定基板とその反対面に形成された第二の固定基板３からなる半導体素子と、半導体素子が収納された表面実装型のパッケージとを備え、半導体素子には可動電極４が設けられ、第一の固定基板３には固定電極５が可動電極４と対向するように設けられ、ねじれ変形する支持ばね１４を中心に揺動することで変形当該両電極間の電気信号を検出する静電容量型ＭＥＭＳデバイスであって、両電極上のそれぞれには両電極が近接した際に互いに接触する接触部６ａ、６ｂが対向して設けられており、接触部６ａ、６ｂの材料は帯電列における正負順序が可動電極４側と固定電極５側とで異なり、前記正負順序の正負の向きは検出電界の正負の向きと逆である。これにより、接触帯電を起こりにくくするという効果がある。 （もっと読む）

【課題】性能の向上したアクチュエータを提供する。
【解決手段】アスペクト比が10⁴以上のカーボンナノチューブ、イオン液体から構成される導電性フィルムと導電性ポリマーを複合化したアクチュエータ用複合導電性薄膜。 （もっと読む）

【課題】 カチオン伝導性高分子電解質を用いた、変形応答が大きいアクチュエータを提供する。
【解決手段】 対向する一対の電極と、前記一対の電極の間に配置されている中間層を有し、前記電極に電圧を印加することにより屈曲変位するアクチュエータにおいて、前記中間層が、エーテル結合部位ならびにアニオン部位を分子内に有するカチオン伝導性高分子電解質および前記エーテル結合部位と相互作用する弱酸性物質を少なくとも有するアクチュエータ。 （もっと読む）

【課題】低コスト、高信頼性、および小さなセンサを可能とする、ウェハレベルパッケージプロセスを提供する。
【解決手段】下カバーウェハ２１０および上カバーウェハ２３０を提供するステップと、基板層上に複数のＭＥＭＳ装置を含む半導体ウェハを提供するステップと、半導体ウェハを下カバーウェハの第１表面に接合するステップと、上カバーウェハの第２表面を半導体ウェハに接合するステップと、を有する。下カバーウェハの第１表面および上カバーウェハの第２表面は、半導体ウェハに接合されたときに、複数の密封シールされるキャビティ区域を画定し、ＭＥＭＳ装置の各々は、シールされるキャビティ区域の１つの内側に配置される。上カバーが半導体ウェハに接合された後に、上カバーウェハの第１表面から上カバーウェハの第２表面まで延びる複数の穴が形成される。その後、各穴に金属リード層が堆積され、ＭＥＭＳ装置に電気的接続を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィにおいて、シリコンウェハに同一パターンを複数形成するときに破断を起こしにくいパターン配置方法及びパターニングされたシリコンウェハを提供すること。また、そのパターン配置方法が用いられた半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明によると、シリコンウェハに、第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向に平行に配置された複数のチップパターンを有し、前記複数のチップパターンは、前記第１の方向及び前記第２の方向に配置され、直線状に配置された一つ以上のパターンを含み、前記シリコンウェハのへき開面と前記シリコンウェハの前記パターンを配置する面とが直交する軸と、前記第１の方向とが、異なるように前記複数のチップパターンを配置することを特徴とするシリコンウェハが提供される。 （もっと読む）

【課題】導通状態におけるスティクションの発生を抑制できると共に導通状態において安定した信号伝送を行えるＭＥＭＳスイッチを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳスイッチの第１固定端子１６ａ及び第２固定端子１６ｂは、これらとは別要素である変形ガイド２５ａにより可動端子１５に向けて押圧されることによって、各々の端縁が可動端子１５に最も近づき、且つ、端縁を除く部分が可動端子１５から徐々に離れた形状に変形しており、前記可動端子１５は導通状態において第１固定端子１６ａの端縁及び第２固定端子１７ａの端縁に線接触するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体センサに係り、複数のセンサ基板を精度良く位置決めしつつセンサ基板全体の面積をできるだけ抑制することにある。
【解決手段】センサ面に溝又は突部が形成された第１のセンサ基板と、センサ面に溝又は突部が形成された第２のセンサ基板と、一方の面に第１のセンサ基板の溝又は突部に嵌合可能な第１の突部又は溝が形成され、かつ、他方の面に第２のセンサ基板の溝又は突部に嵌合可能な第２の突部又は溝が形成されたキャップ基板を備え、第１のセンサ基板を、溝又は突部が第１の突部又は溝に嵌合した状態でキャップ基板の一方の面側に接合し、かつ、第２のセンサ基板を、溝又は突部が第２の突部又は溝に嵌合した状態でキャップ基板の他方の面側に接合する。 （もっと読む）

【課題】塑性域を持たない材料でできた部品を、延性材料で構成される部材に固定する。
【解決手段】特に時計の分野に関するもので、組み付け部２２は、第１の材料でできた部材２７が、塑性域を持たない第２の材料でできた部品３の円形開口部２８に、上記部材２７と上記部品３との間に取り付けられる第３の材料でできた中間部品２４を用いて、軸方向に打ち込まれる。中間部品２４は、上記部材２７を受けるための穴を備えた連続シリンダであって、これにより、中間部品２４は、上記部材２７の軸方向の打ち込み力の少なくとも一部を、径方向に均一に吸収する。また、上記部品３は、その円形開口部２８の周りに分散配置されて弾性変形手段を構成する穿孔２６を備えており、これらは、上記径方向の力のうち中間部品２４に吸収されないものを吸収するためのものであり、これによって、上記部品３を破壊しないように当該組み付け部２２を固定している。 （もっと読む）

【課題】エアダンピング効果の影響を低減でき、さらに効率よく製造することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面２１および裏面２２を有し、振動膜７と、当該振動膜７を支持し、当該振動膜７の直下に空間６を区画するフレーム部８と、振動膜７に保持された錘９とを有するＳＯＩ基板２において、フレーム部８の底面（底壁）８３に、そのフレーム部８の内側面８２から外側面８１に至る溝１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】フォースセンサの小型化に伴い、外部からの荷重により支持部に機械的強度を越える応力が発生し、支持部が破壊する問題が発生した。
【解決手段】センサ基板とベース基板との間にストッパを設け、センサ基板の撓みを制限し、支持部に機械的強度を越える応力が発生することを防止した。よって、前記ストッパを設けることで、支持部が破壊することなく荷重を計測できる小型なフォースセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】拡散のプロセスやウェットエッチング液の性質、状態によらずに振動子を作製するための製造方法を提供する。
【解決手段】基板表面に高濃度不純物層を形成する工程と、高濃度不純物層上にマスクを形成する工程と、マスクを振動子の形状にパターニングする工程と、ドライエッチングによりパターニングした振動子の下方を残して少なくとも基板に達するまで高濃度不純物層を除去する工程と、ウエットエッチングにより高濃度不純物層の下方を除去して梁状の振動子を形成する工程と、高濃度不純物層上に形成したマスクを除去する工程と、
を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】小型・軽量化が可能なアクチュエータおよびマイクロポンプを提供すること。
【解決手段】アクチュエータ１０は、マイクロポンプに用いられるものであり、チューブ形状をなしている。アクチュエータ１０は、チューブの内周面から外周面に向かって複数の層で構成されており、内周面側から順に、第１の電極層１と、電解質層４と、変形層３と、第２の電極層２とを有している。アクチュエータ１０は、酸化還元反応によって変形層３の体積が膨張または収縮し、チューブの内径が変化するように駆動するものである。 （もっと読む）