【課題】 ＭＥＭＳスイッチでは、可動構造体を支持する「ばね」のばね定数を大きくすることが、特性向上、特に長期信頼性やスイッチング速度向上にとって有効な手段となっている。しかし、ばね定数を大きくすると、スイッチ駆動に必要な電圧も大きくなり、半導体回路との集積化が困難であった。このため、駆動電圧の低減化とＭＥＭＳスイッチ特性の向上を両立させることが要求されていた。
【解決手段】 可動構造体の機械的な振動を利用すると低い駆動電圧でも大きな振動振幅を得ることができ、プルインの誘起が容易となる。直流電圧と振動を励起する交流電圧を制御することにより、プルインとリリースの制御が可能であり、ＭＥＭＳスイッチのメイク動作、ブレーク動作を実現することができる。この結果、ばね定数を増大させても、駆動電圧の低減化が可能であり、スイッチ特性も向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】不要な振動モードが生じることを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、第１電極２０との間の静電力によって基板１０の厚み方向に振動可能となる梁部３２、および梁部３２を支持する支持部３４を有する第２電極と、を含み、第２電極３０は、梁部３２を複数有する。 （もっと読む）

【課題】梁部が疲労破壊することを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０の上方に配置された窒化シリコン層３０と、窒化シリコン層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、シリコン基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５４、および窒化シリコン層３０の上方に配置され、梁部５４を支持する支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、第１電極４０および第２電極５０の材質は、導電性を有する単結晶シリコンである。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上を図るＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】本実施形態によるＭＥＭＳ素子は、基板１０上に固定された平板形状の第１電極１１と、前記第１電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である平板形状の第２電極１５と、前記基板上において、前記第１電極および前記第２電極を収納するキャビティ２０を有する膜２６と、を具備する。前記第２電極は、ばね部１６を介して前記基板上に接続されたアンカー部１４に接続されるとともに、その上方において前記膜に接続される。 （もっと読む）

【課題】ミラー素子の状態を検出することができる光通信装置およびミラー素子を提供する。
【解決手段】可動梁２２−１〜２２−４には、センサ部２５−１〜２５−４が設けられている。これにより、センサ部２５−１〜２５−４の抵抗値の変化に基づいて可動梁２２−１〜２２−４の状態を検出することができる。結果として、ミラー素子１が故障しているか否かを特定することもできる。 （もっと読む）

【課題】スティッキング現象の発生を抑制できる静電駆動型アクチュエータや可変容量素子を実現するとともに、それらを歩留まり良く、高い形状精度で生産する製造方法を実現する。
【解決手段】可変容量素子１において、可動梁３は、固定板２に対向する。可動梁側駆動容量電極８Ａ，８Ｂおよび可動梁側ＲＦ容量電極９は、可動梁３に設けられる。固定板側駆動容量電極５Ａ，５Ｂは、可動梁側駆動容量電極８Ａ，８Ｂに対向して固定板２に設けられる。固定板側ＲＦ容量電極６Ａ，６Ｂは、可動梁側ＲＦ容量電極９に対向して固定板２に設けられる。誘電体膜４は、固定板側駆動容量電極５Ａ，５Ｂと固定板側ＲＦ容量電極６Ａ，６Ｂとを覆うように形成される。可動梁３は、初期状態において、固定板２側に先端が撓んでいるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】可撓梁の厚みのばらつきを小さくすることができる梁構造デバイスと、その製造方法とを実現する。
【解決手段】第一面と第二面とを有する可撓梁形成基板２１を用意し、可撓梁形成基板２１の第一面側を厚み方向に削り、可撓梁の固定部３Ｃと空洞部２１Ａとを可撓梁形成基板２１に形成する第一工程と、支持基板２を用意し、可撓梁形成基板２１の第一面が支持基板２に対向するように、可撓梁形成基板２１と支持基板２とを接合して、固定部３Ｃを支持基板２に固定する第二工程と、可撓梁形成基板２１の第二面を研削して可撓梁形成基板２１を薄化させる第三工程と、可撓梁形成基板２１の第二面側を厚み方向に削り、可撓梁を形成する第四工程と、を有し、第三工程において、可撓梁が形成される位置とは異なる位置であって、可撓梁形成基板２１と支持基板２との間に、支持柱７が配置されている。 （もっと読む）

【課題】振動の減衰時間を減少させ、機械振動子の動作を高速化する。
【解決手段】微小機械振動子は、基板（１０４）上に形成された２つの支持部（１１３，１１４）と、２つの異なる振動モードを有する両持ち梁部（１０８）と、両持ち梁部を第１の振動モードで励振する励振手段となる交流電源（４１１）と、両持ち梁部を第１の振動モードおよび第２の振動モードが混合した状態で振動させる混合手段となる交流電源（４１３）と、両持ち梁部を第１の振動モードで励振する状態から、第１の振動モードおよび第２の振動モードが混合した状態に切り換える切換手段となるスイッチ（４１２，４１４）とを備える。 （もっと読む）

【目的】 特に、Ａｌ−Ｇｅ共晶接合を有する接合部の接合強度を従来に比べて向上させることが可能なＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 第１基材２１と、第２基材２２と、第１基材２１と第２基材２２間に位置し、第１基材２１側に形成された第１の接続金属層５４と第２基材２２側に形成された第２の接続金属層５５とを共晶接合してなる接合部５０と、を有して構成され、接合部５０は、第１基材２１側から第２基材２２側にかけて、Ｔａ層５３、ＡｌあるいはＡｌ合金で形成された第１の接続金属層５４、及び、Ｇｅで形成された第２の接続金属層５５の順に積層されており、Ｔａ層５３の膜厚ｔ１は、２００Å以上１５００Å以下の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】数の振動体に対して並行して試験を行える試験装置を提供すること。
【解決手段】時間的な周波数分布を持つ出力信号Ｓを出力する信号出力回路１０と、第１の振動体１０１が接続された場合に、第１の振動体１０１に出力信号Ｓを出力する第１端子２１と、第２の振動体１０２が接続された場合に、第２の振動体１０２に出力信号Ｓを出力する第２端子２２と、を含む。出力信号Ｓの周波数分布の範囲は、第１の振動体１０１及び第２の振動体１０２の固有振動周波数が含まれる範囲である。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された機能素子２０と、機能素子２０が収容された空洞部１を画成する被覆構造体３０と、を含み、被覆構造体３０は、空洞部１に連通する第１貫通孔５２および第１貫通孔５２よりも大きい第２貫通孔５４を有し、かつ空洞部１の上方に配置される第１被覆層５０と、第１被覆層５０の上方に配置され、第１貫通孔５２および第２貫通孔５４を塞ぐ第２被覆層５８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第１ドーピング領域２０と、該第１ドーピング領域２０と反対の型のドーピング領域であり、第１振動部分３２を含む第２ドーピング領域３０と、該第１ドーピング領域と該第１振動部分３２との間に備えられた、空間６０と、を備えるトランスデューサ。第１及び第２ドーピング領域２０，３０は、一体である。第１振動部分は複数の貫通ホール４０を含み、振動部分上に貫通ホール４０を密封する物質膜５０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】静電アクチュエータと当該静電アクチュエータを駆動するための駆動集積回路を縦方向に集積することによって実装面積を小さくする。
【解決手段】
第１部材３２には静電アクチュエータ４６を設けている。第２部材３３には、静電アクチュエータ４６を駆動するための駆動用ＩＣ７２を設けている。第１部材３２と第２部材３３は、静電アクチュエータ４６を設けた面と駆動用ＩＣ７２を設けた面を対向させて、外周部の接合部３５と接合部３６で接合されている。第１部材３２、第２部材３３及び接合部３５、３６によって構成された空隙部３４内には、静電アクチュエータ４６と駆動用ＩＣ７２が気密的に封止されている。駆動用ＩＣ７２に用いられているコンデンサ７５は、コンデンサ７５に発生する電界の向きと静電アクチュエータ４６を駆動するための電界の向きとが交差、好ましくは直交するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】サージ耐圧が高く、ＥＳＤ破壊の発生を抑制できる可変容量装置を実現する。
【解決手段】可変容量装置１は、支持板２と、可動梁３と、上側駆動容量電極８Ａ，８Ｂと、下側駆動容量電極５Ａ，５Ｂと、上側ＲＦ容量電極９と、下側ＲＦ容量電極６Ａ，６Ｂと、誘電体膜４とを備える。上側ＲＦ容量電極９の端部と可動梁３の端部との間の領域に電極非形成領域３Ｆが設けられており、可動梁３が変形して可動梁３の先端が誘電体膜４に線接触する際に、上側ＲＦ容量電極９と誘電体膜４とは接触しないように構成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、周波数特性の管理が容易なＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部３２、および梁部３２を支持する支持部３４を有する第２電極３０と、を含み、第１電極２０の側面２２は、第１電極２０の上面２１に接続された第１面２２ａと、第１面２２ａおよび基板１０の上面１１に接続された第２面２２ｂと、を有し、第１面２２ａは、基板１０の上面１１に対して傾斜し、基板１０の上面１１に対する第１面２２ａの角度は、第１角度αであり、基板１０の上面１１に対する第２面２２ｂの角度は、第１角度αよりも大きい第２角度βである。 （もっと読む）

【課題】電極とアクチュエータ素子との接続信頼性を高めることができるアクチュエータ装置を提供する。
【解決手段】イオン伝導層４と電極層５Ａ、５Ｂとを有するアクチュエータ素子１と、アクチュエータ素子１の電極層５Ａ、５Ｂにそれぞれ電気的に接続された一対の電極２Ａ、２Ｂと、を備えたアクチュエータ装置１０。電極２Ａ、２Ｂによって電位差が与えられることにより電極層５Ａ、５Ｂが伸長または収縮することによって、アクチュエータ素子１が厚さ方向に曲げ変形可能である。電極２Ａ、２Ｂは、アクチュエータ素子１に、導電性ペーストからなる導電接合部６を介して固定されている。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された機能素子２０と、機能素子２０が配置された空洞部１を画成する包囲壁４０と、基板１０の上方に形成され、機能素子２０に接続された配線層３０，３２と、を含み、配線層３０，３２は、基板１０と包囲壁４０との間を通って、包囲壁４０の外側まで延出され、包囲壁４０は、窒化シリコン層４２と、金属層およびシリコン層の少なくとも１層である導電層と、を有し、配線層３０，３２と導電層４４との間には、窒化シリコン層４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】周波数精度の高いＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、少なくとも一部が前記第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、前記基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部３４、梁部３４の一端３４ａを支持し基板１０の上方に配置された支持部３２を有する第２電極３０と、を含み、支持部３２の一端３４ａを支持する支持側面３２ａは、基板１０の厚み方向からの平面視で屈曲している屈曲部を有し、一端３４ａは、屈曲部を含む支持側面３２ａにより支持されている。 （もっと読む）

【課題】可動電極の厚さを厚くすることなく、可動電極の可動範囲を大きくできるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に離間して配置されて基板１０１に近づくほど間隔が狭く形成された２つの固定電極１０２，１０３と、２つの固定電極１０２，１０３の間に入り込んで基板１０１の法線方向に変位可能とされて２つの固定電極１０２，１０３に接触しない範囲の幅とされた可動電極１０４とを備える。固定電極１０２および固定電極１０３は、例えば、同電位とされ、また、可動電極１０４の延在方向の断面形状が、線対称となるように形成されている。 （もっと読む）