説明

Fターム[3C081BA71]の内容

マイクロマシン (28,028) | 形状、構成 (11,743) | 配置状態 (433)

Fターム[3C081BA71]の下位に属するFターム

Fターム[3C081BA71]に分類される特許

1 - 20 / 31


【課題】加速度、角速度、を測定する、または駆動のためのマイクロ−電子機械システム(MEMS)が、少なくとも2つの基板(5,6)、およびMEMS−層内の少なくとも1つの可動構造体(3.1,3.2)を備える。
【解決手段】前記可動構造体が、少なくとも2つの基板(5,6,7)の間に封止されたキャビティ(8.1,8.2)内に配置される。前記可動構造体(3.1,3.2)を囲む導電性フレーム(1)が、2つの基板(5,6)の接合面に配置される。フレーム(1)が、前記可動構造体(3.1,3.2)から電気的に分離され、少なくとも第一および第二導電性接続部(13.1,13.2,13.3;14)によって、前記第一基板(5)および第二基板(6)に、各々、電気的に接続される。フレーム(1)が、最大で150μm(マイクロメートル)、好ましくは、最大で50μm(マイクロメートル)の幅(w)を有してよい。 (もっと読む)


【課題】主にMEMS技術を利用してダイアフラムを形成したセンサーの機能を有する半導体チップ構造の小型化を行う。
【解決手段】半導体チップは、平面視形状が多角形状をし、外周部のスクライブライン領域の内側に存在する有効領域17の中央にセンサー機能を有し、有効領域17内の2つの頂角の内側に電極パッド21,23が設けられており、ボンディング可能な大きさの正方形状の仮想電極パッドを頂角に最も近づけて形成すると仮想し、頂角の頂点31と、仮想電極パッドにおける頂点31から最も離れた位置との距離をLsとし、頂角の角度を2θとするとき、電極パッド21,23は、半径Rの円形状をし、半径Rは、R<Ls/(1+(1/sinθ))である。 (もっと読む)


【課題】ハニカムの繋ぎ目での変形が少ない高アスペクト比のハニカム構造体を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】所定の条件で塑性変形する薄膜層30を、複数の凹部を有するテンプレート25に密着させる工程と、凹部と薄膜層30との間の空間のガス圧力により薄膜層30を膨張延性させることで、複数個の隔壁35を一定方向に形成し、複数個の隔壁35及び各隔壁を連結する天井部30Bからなる中空体を硬化させる工程と、天井部30Bを除去する工程と、有し、天井部30Bを除去した中空体の隔壁35間を補強材により把持する工程と、中空体の天井部30Bを除去した側に、新たに薄膜層80を圧着して、再び中空体(隔壁)形成を行う。 (もっと読む)


【課題】プロセス数を増大させることなく、応力を緩和できる構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の面に埋め込み酸化層と半導体層がこの順で積層される半導体基板10を加工して作製され、前記一方の面側で他の基板に接合される半導体装置であって、前記埋め込み酸化層及び前記半導体層を加工して形成される半導体素子20と、前記埋め込み酸化層及び前記半導体層を加工して形成され、前記半導体素子に接続される配線部と、前記配線部の端部に連続する前記半導体層によって構成され、当該半導体層の下側の埋め込み酸化層が除去されて前記半導体基板との間に空隙が形成されるパッド部40と、前記パッド部と前記他の基板を接合する接合部とを含む。 (もっと読む)


【課題】熱により誘起された高ひずみおよび測定精度の低下を生じないMEMSセンサを提供する。
【解決手段】
微小電気機械システム(MEMS)センサ20は、基板26と、基板26の平坦面28に形成されたサスペンションアンカー34、36とを備える。MEMSセンサ20は、基板26上に吊らされる、第1可動素子および第2可動素子をさらに備える。可撓性部材42、44が第1可動素子38をサスペンションアンカー34に相互接続し、可撓性部材46、48が第2可動素子40をサスペンションアンカー36に相互接続する。可動素子38、40は同一の形状を有する。可動素子は矩形または入れ子構成におけるL形状可動素子108、110であってよい。可動素子38、40は、基板26における点位置94の周りに互いに回転対称に配向される。 (もっと読む)


【課題】 効率良く欠けショット領域にパターンを形成し、スループットの向上及び精度良くパターンを形成可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された被加工膜上の第1の領域に第1の膜を形成してパターニングすることにより第1のパターンを形成する。その後、前記第1のパターンを形成した後、前記第1のパターンの寸法が変動しないように前記被加工膜上に密着膜を形成する。次に、前記第1の領域とは異なる前記被加工膜上の第2の領域の前記密着層上に、インプリント法を用いて第2のパターンを形成する。次いで、前記第1のパターン及び第2のパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】ナノストラクチャまたはマイクロストラクチャ表面に置かれた小滴の移動が、ナノストラクチャ・フィーチャ・パターンの少なくとも1つの特性または小滴の少なくとも1つの特性によって決定される方法および装置を提供する。
【解決手段】小滴の横方向の移動が、ナノストラクチャ・フィーチャ・パターンの少なくとも1つの特性によって、小滴がナノストラクチャ・フィーチャ・パターンに沿って所望の方向に移動するように決定される。他の実施形態では、小滴の移動が、ナノストラクチャ・フィーチャ・パターンの少なくとも1つの特性または小滴の少なくとも1つの特性によって、小滴が所望の領域のフィーチャ・パターンに侵入し、そこで実質的に不動化するように決定される。 (もっと読む)


【課題】PN接合部によって容量検出特性が不安定にならないようにすることができる力学量検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁層200の一面201に、対向配置された2つのダイヤフラム341、342を含む中空筒状の第1壁部340と第1壁部340の開口部346を閉じる第1蓋部321とを有する第1電極301を設ける。また、絶縁層200の一面201に、対向配置された2つのダイヤフラム351、352を含む中空筒状の第2壁部350と第2壁部350の開口部356を閉じる第2蓋部322とを有する第2電極302を設ける。そして、第1壁部340の一方のダイヤフラム341と第2壁部350の一方のダイヤフラム351とを対向配置させる。これにより、各電極301、302が絶縁層200の上で電気的に分離されるので、各壁部340、350の各ダイヤフラムに電極として機能させるための半導体領域が不要となる。 (もっと読む)


【課題】 小型で性能が高い受動素子を備えた半導体装置を実現する。
【解決手段】 インダクタ13などの受動素子が形成された絶縁基板11を、第1の回路12と電気的に接続された第2の回路22が形成された半導体基板21と積層して一体的に形成した半導体装置10を構成する。これにより、受動素子の配線と基板間の寄生容量を低減し、配線の相互干渉を低減することができるため、受動素子の性能を向上させることができる。相互干渉を低減することができるため隣接する配線の間隔を狭くすることが可能で、アンテナの構成要素としてのインダクタ13の専有面積を小さくすることができるので、半導体装置10を小型化することができる。 (もっと読む)


【課題】少なくとも一方向の寸法を小さくすることができる、レーザ光等の2次元走査が可能なMEMSアクチュエータを提供することを目的とする。
【解決手段】第1軸線X周りに揺動する第1可動部21を支持する第1固定部22、23が積層された第2軸線Y周りに揺動する第2可動部31を支持する第2固定部32、33を、第2可動部31の内側に配置、又は、第2可動部31の狭小部分312Aと連結して配置することで、第1可動部21の法線方向から見たときのMEMSアクチュエータ1の寸法を小さくすることを可能としている。 (もっと読む)


【課題】MEMSデバイスを駆動させ、共振周波数の誤差を測定し、製造工程の寸法誤差を評価する方法を実現する。
【解決手段】MEMSデバイスの評価方法は、基板20の表面に形成される下部電極50と、下部電極50の表面に空間を有し、互いに平行、且つ対向する方向に延在される第1駆動腕62と第2駆動腕64を有し、第1駆動腕62と第2駆動腕64それぞれの共振周波数を測定する工程と、第1駆動腕62と第2駆動腕64それぞれの共振周波数から共振周波数の中央値を計算する工程と、第1駆動腕62と第2駆動腕64それぞれの共振周波数と前記中央値との差を計算する工程と、を含み、この共振周波数の差から第1駆動腕62及び第2駆動腕64のずれ量を評価する。 (もっと読む)


【課題】集積化センサ装置を提供すること。
【解決手段】集積化センサ装置は、表面部分を含む第1の基板および積層構成で第1の基板の表面部分に結合される第2の基板を備え、そこでは空洞が、第1の基板と第2の基板との間に規定される。集積化センサ装置はまた、第1の基板内に少なくとも部分的に設置される1つまたは複数の微小電気機械システム(MEMS)センサを備え、そこではMEMSセンサは空洞と連通する。集積化センサ装置はさらに、1つまたは複数のセンサを備える。 (もっと読む)


【課題】多数の生物個体に取り付けて、健康や環境のモニタリングを行うことに適するセンサを実現するための技術を提供する。
【解決手段】本発明によるバイモルフ素子は、MEMSテクノロジによって製造されるMEMSデバイスであり、互いに向かい合うように、且つ、変位方向が相手に接近する方向となるように配される、2枚のバイモルフ板を有することを特徴とする。実施形態によっては、これら2枚のバイモルフ板は、いずれも、その板面が、前記バイモルフ板を支持する基体の底面及び/又は頂面に対して垂直になるように配されてもよい。実施形態によっては、バイモルフ板の上側部は前記基体の高さを超えず、その下側部は前記基体の底面の高さより低くはならないように配されてもよい。 (もっと読む)


【課題】反応装置における反応剤の混合の均一性を高める。
【解決手段】反応装置の第1流路構造体1aは、基板4と、その基板4の一方の面を覆った状態でその面に接合されている第1封止部材6と、基板4の他方の面を覆った状態でその面に接合されている第2封止部材8とを有し、基板4の一方の面には、第1導入路10を構成する第1導入溝18と第2導入路12を構成する第2導入溝20とが形成されている一方、基板4の他方の面には、反応路16を構成する反応溝24が形成されており、さらに、合流路14を構成する合流孔22が基板4の一方の面から他方の面へ貫通しており、合流孔22は、第1導入溝18と第2導入溝20の共通の終点でかつ反応溝24の始点であり、第1導入溝18の下流側端部と第2導入溝20の下流側端部とは、基板4の一方の面において互いに異なる方向から合流孔22に合流している。 (もっと読む)


【課題】MEMSデバイスにおいて、固定膜にクラックが発生することを防止する。
【解決手段】貫通孔15を有する基板10と、基板10の上面に配置され、下面が貫通孔15内に露出する第1の膜11と、第1の膜11との間にエアギャップ16を介在させて配置され、各々がエアギャップ16と連通する複数の孔14からなる孔群14Gを有する第2の膜13と、第1の膜11と第2の膜13との間に介在し、内部にエアギャップ16が形成された支持層17とを備え、孔群14Gのうち最も外側に位置する複数の孔14は、貫通孔15における開口上端15uの開口形状に沿って、隣り合う孔14同士の間隔が均一となるように配置されている。 (もっと読む)


【課題】挿入損失の少ない光スイッチを提供する。
【解決手段】光スイッチは、単一のポート12を有する光入力部と、複数のポート22A,22B,22Cを有する光出力部と、光入力部のポート12と光出力部のポート22A,22B,22Cとを光学的に結合するためのマイクロミラー30とを有している。マイクロミラー30は、その向きが変更可能な反射面32を有している。光スイッチはまた、マイクロミラー30を移動させてマイクロミラー30を介して互いに光学的に結合されるポート12,22A,22B,22Cを切り替える移動機構(移動体42とアクチュエーター44)と、光出力部から出力される光の強度を検出する複数の検出部50A,50B,50Cと、検出部50A,50B,50Cで得られる情報に基づいてマイクロミラー30の反射面32の向きを制御する制御部70を有している。 (もっと読む)


【課題】多軸方向に関する検出が可能な小型のセンサ装置の製造コストを低減することができる製造方法を提供する。
【解決手段】連結部110によって互いに連結された第1および第2のセンサ素子101、102が基板100上に形成される。第1および第2のセンサ素子101、102のそれぞれを支持する第1および第2の部分P1、P2に基板100が分割される。この分割の後に、連結部110を曲げながら第1のセンサ素子101に対して第2のセンサ素子102の向きが変えられる。 (もっと読む)


【課題】絶縁のために電圧等を印加する必要が無く、機械的強度の低下を抑えることができ、寄生容量を抑制可能な、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を有する構造体及びその製法を提供する。
【解決手段】互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域104を有する構造体は、導電性領域104の上面側に、可動に支持された可動子301が設けられ、可動子301は導電性領域104に対向する電極を有する。導電性領域104の下面を介して電気信号が授受可能に構成され、複数の導電性領域104間が、連続した酸化領域によって絶縁され、酸化領域は、複数の貫通孔103もしくは溝が形成された材料の酸化物102から成る。 (もっと読む)


【課題】系全体の圧力損失を小さくできるマイクロリアクタを提供することにある。
【解決手段】2種類の原料101,102を混合させる混合流路を有する混合リアクタ103と、混合流路の下流側に接続され、混合流路から流出した混合物を受け入れて、その内部で前記混合物が化学反応を起こす反応流路を有する反応リアクタ109を有する。反応リアクタ109は、反応流路の表面積/体積比(S/V比)が大きい上流側の第1のリアクタ部107と、反応流路の表面積/体積比(S/V比)が小さい下流側の第2のリアクタ部108とを有する。 (もっと読む)


【課題】バンプを介して基板上に素子を搭載した電子部品において、素子をバンプに接合する際に生じる応力が素子に作用することを抑制し、電子部品の品質のばらつきを抑え、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】第1平面を有する基板11と、前記基板11の第1平面に固定された第1バンプ14と、前記基板11の第1平面に固定され、第1バンプ14の周囲に配置された第2バンプ18と、前記基板11の第1平面に非接触かつ相対する位置で、前記第1バンプ14及び前記第2バンプ18に固定された素子12と、前記第1バンプ14、前記基板11及び前記素子12に接触する接着領域とを備える。 (もっと読む)


1 - 20 / 31