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【課題】低電圧で駆動したいという要望を満足でき、可動枠体の板厚方向及びこの板厚方向と直交する方向の剛性の向上を図ることのできるMEMS揺動装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS揺動装置は、可動体30B、可動体を揺動可能に支持する第1バネ部33Bを有する可動枠体34B、可動枠体を揺動可能に支持する第2バネ部311B、312T1、312T2とを有する固定枠体38Bとを有し、第2バネ部は可動枠体の厚さ方向から見て厚さ方向に間隔を開けてクロスされた独立変位可能な二本の板バネ体311B、312T1から構成され、この板バネ体は、可動枠体の厚さ方向から板バネ体を見たときのバネ幅が可動枠体の厚さ方向と直交する方向から板バネ体を見たときのバネ幅よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】櫛歯電極構造を高いアライメント精度で製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板151の面151a上に櫛歯電極用マスクパターン152a,152bを形成し、これを介してシリコン基板153を貼り合わせる。シリコン基板151,153の面151b,153bに、櫛歯電極用マスクパターン152a,152bを内包する粗櫛歯マスクパターン154,155を形成する。面153bの側からDRIEをおこなって、粗櫛歯マスクパターン155をマスクにしてシリコン基板153を選択的に除去し、さらに櫛歯電極用マスクパターン152aをマスクにしてシリコン基板151を選択的に除去する。面151bの側からDRIEをおこなって、粗櫛歯マスクパターン154をマスクにして残存シリコン基板151cを選択的に除去し、さらに櫛歯電極用マスクパターン152bをマスクにして残存シリコン基板153cを選択的に除去する。 (もっと読む)


【課題】小型化を図りながらも高出力化を図ることが可能な発電デバイスおよびそれを用いた発電モジュールを提供する。
【解決手段】発電デバイス1は、支持部11、支持部11に揺動自在に支持されたカンチレバー部12、およびカンチレバー部12における支持部11側とは反対の先端部に設けられた錘部13を有するデバイス基板10と、カンチレバー部12に設けられカンチレバー部12の振動に応じて交流電圧を発生する発電部20とを備えている。発電部20は、カンチレバー部12の厚み方向の一面側に形成された圧電体21と、圧電体21における錘部13側の側面に形成された電極23と、圧電体21における支持部11側の側面に形成された電極22とを備えている。要するに、発電部20は、互いに対向する2つ1組の電極22,23を有している。また、発電部20は、圧電体21の分極の向きが上記両側面のうちの一方から他方へ向う向きである。 (もっと読む)


【課題】炭化ケイ素を用いたMEMSの一層の小型化を実現する。
【解決手段】半導体素子1は、半絶縁性の支持基板11と、支持基板11の表面における一部の領域に形成されたドープ層12と、支持基板11の表面を覆うとともにドープ層12の一部が露呈されるようにドープ層12を覆うグラフィン層13と、グラフィン層13の支持基板11が配置される表面の反対の表面に形成された電極層21,22とを有する。 (もっと読む)


【課題】シリコン(Si)基板を用い電鋳法で格子の金属部分をより緻密に形成し得る金属格子の製造方法および前記金属格子ならびにこれを用いたX線撮像装置を提供する。
【解決手段】金属格子DGは、第1Si層11とこの上に形成され第2Si部分12aおよび金属部分12bを交互に平行に配設した格子12とを備え、第2Si部分12aは、第1Si層11との間に第1絶縁層12cを有し、金属部分12bとの間に第2絶縁層12dを有する。金属格子DGは、第1Si層に第1絶縁層を介して付けられた第2Si層を備える基板の第2Si層上にレジスト層を形成し、これをリソグラフィー法でパターニングして除去し、ドライエッチング法で除去部分に対応する第2Si層を第1Si層に到達するまでエッチングしてスリット溝を形成し、その側面に陽極酸化法で第2絶縁層を形成し、電鋳法でスリット溝を金属で埋めることで製造される。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で、迷光が被投影面に照射されるのを防止することのできる光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー1は、光反射性を有する光反射部を備える可動板と、支持部と、可動板を支持部に対して回動可能に連結する1対の連結部とを有し、各連結部は、1対の梁部材で構成され、1対の梁部材間の距離は、可動板の回動中心軸(軸線a)に平行な方向からみたときに、可動板の一方の面側から他方の面側に向けて幅が漸増しており、1対の梁部材の前記一方の面側の端同士の間の距離をWとし、1対の梁部材の可動板の厚さ方向での厚さをtとしたとき、下記式(1)を満たす。
【数1】
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【課題】 効率良く欠けショット領域にパターンを形成し、スループットの向上及び精度良くパターンを形成可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された被加工膜上の第1の領域に第1の膜を形成してパターニングすることにより第1のパターンを形成する。その後、前記第1のパターンを形成した後、前記第1のパターンの寸法が変動しないように前記被加工膜上に密着膜を形成する。次に、前記第1の領域とは異なる前記被加工膜上の第2の領域の前記密着層上に、インプリント法を用いて第2のパターンを形成する。次いで、前記第1のパターン及び第2のパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも1つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子1は、絶縁基板2と、可動部33と、可動部33に設けられた可動電極指361〜365と、絶縁基板2上に設けられ、且つ、可動電極指361〜365に対向して配置された固定電極指381〜388と、を含み、固定電極指381〜388は、可動電極指361〜365の一方の側に配置された第1固定電極指382、384、386、388と、他方の側に配置された第2固定電極指381、383、385、387と、を含み、第1固定電極指と第2固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 (もっと読む)


【課題】簡単な構造で、かつ検出感度に優れる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】内部に空洞10を有する半導体基板2の表面部(上壁11)に、互いに間隔を空けて噛み合うZ固定電極61とZ可動電極62とを形成する。そして、各Z可動電極62の電極部66において、半導体基板2の表面から空洞10へ向かう厚さ方向途中部まで、誘電層70を埋め込む。これにより、Z固定電極61の電極部64とZ可動電極62の電極部66とが対向することによって構成されるキャパシタに、電極間距離d1に基づく容量と、電極間距離d2に基づく容量とを付与することによって、同一キャパシタ内において、静電容量の差を設けることができる。 (もっと読む)


【課題】エアダンピング効果の影響を低減でき、さらに効率よく製造することができるMEMSセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面21および裏面22を有し、振動膜7と、当該振動膜7を支持し、当該振動膜7の直下に空間6を区画するフレーム部8と、振動膜7に保持された錘9とを有するSOI基板2において、フレーム部8の底面(底壁)83に、そのフレーム部8の内側面82から外側面81に至る溝10を形成する。 (もっと読む)


【課題】シリコン単結晶材料を用いる機械構造部品は、強度を補うために結晶方位の異なる単結晶材料を積層した、複合基板が用いられるが、積層面の接合部にシリコン酸化膜を用いるため、高精度の加工が困難であるという課題があった。
【解決手段】本発明の機械構造部品は、積層するシリコン単結晶の接合面に、高融点金属シリサイド膜を用いる。高融点金属シリサイド膜は、従来用いられるシリコン単結晶のエッチング加工と同様のドライエッチングによって、シリコン単結晶と共に連続的に加工することができ、部品の加工精度を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】トランスデューサーの製造コストを低減する。
【解決手段】ナノシートトランスデューサ(1)は、溝(100a)と前記溝によって互いに隔てられた電極支持部(101)と厚さ1μm未満のシート状の可撓電極(104)とが形成されたシリコンからなる基板(100)と、前記電極支持部上に形成された導電膜からなる固定電極(103)と、前記固定電極と前記電極支持部との間に形成された絶縁層(102)と、を備え、前記可撓電極は前記基板の主面に対して垂直である。 (もっと読む)


【課題】 特に、安定して高精細の流路部を形成することが可能な流路デバイスの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明の流路デバイスの製造方法は、第1基材1の基材表面に流路の形状パターンからなるマスク層3を形成する工程、前記基材表面から前記マスク層の表面にかけて第2基材2を接合する工程、前記第1基材あるいは前記第2基材の少なくとも一方に前記マスク層3にまで貫通する貫通孔4を形成する工程、前記貫通孔4から前記マスク層3を除去して前記流路を形成する工程、
を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチングを用いてシリコン基板における凹部の底部に垂直な開口を設けることができるシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】第1の開口4の底部に、パターン開口10を有するパターニングマスク14’を用いて、プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより第2の開口5を形成するシリコン基板の加工方法であって、前記プラズマに対する前記第1の開口内の露出を妨げる遮蔽構造11’を前記シリコン基板内又は上に形成した状態で前記反応性イオンエッチングを行うシリコン基板の加工方法である。これにより、第2の開口の傾きの原因である、プラズマモールディング効果と呼ばれるシースの歪みを緩和することが出来る。 (もっと読む)


【課題】 金属基板に形成した圧電膜の特性を向上させることが可能で、かつ、ミラーの反射性能を低下させない光走査素子及びその製造方法を提供すること。
【解決方法】 金属基板に形成された、ミラー2と、ミラー2を保持するヒンジ部1と、ヒンジ部1を保持する金属フレーム3と、ヒンジ部1に捩れ振動を生じさせる振動部とを有し、振動部はヒンジ部1から離れた金属フレーム3上に形成された圧電膜10と上部電極4とからなり、圧電膜10が金属基板に形成された窪み5の中に形成されている。圧電膜を形成した後、熱処理を施し、その後、圧電膜が形成された側の面に鏡面研磨が施されている。 (もっと読む)


【課題】MEMSトランスデューサの製造工程において、アニール処理によって生じる絶縁層の内部応力による基板の反りや破損を、新たに工程を増やすことなく防止する。
【解決手段】第一絶縁層と第一導電層と第二絶縁層と第二導電層とが形成された後に、第一導電層に到達するコンタクトホールを形成するとともに溝部H3を形成するために、第一絶縁層と第二絶縁層とをエッチングした後、第一導電層または第二導電層の応力を緩和するためのアニール処理を施す。 (もっと読む)


【課題】緩く傾斜する傾斜形状を有する微細構造体を良好に製造する方法を提供する。
【解決手段】感光性樹脂へレーザ光を照射して微細構造体を得る微細構造体の製造方法であって、基板に感光性樹脂を塗布する塗布工程と、感光性樹脂に照射するレーザ光の光量を設定する光量設定工程と、感光性樹脂に、前記設定した光量に応じて、レーザ光の光量を変調させつつスキャニングする露光工程と、露光された前記基板を現像する現像工程と、を備える。製造する微細構造体は、角度が10度以下の傾斜形状を含む。感光性樹脂は、感光性樹脂を感光、現像した後のレジスト残膜量と露光量とを対応づけたレジスト感度曲線のうち、レジスト残膜量の上限値の30%から70%までの範囲において、レジスト感度曲線の傾きが0.28(μm/mW)より小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】比較的安価なマイクロ流体デバイスおよびマイクロアレイを加工する方法として、非極性固体相変化インク、これらのインクを製造する方法、バイオメディカル用途でこれらのインクを使用する方法を提供する。
【解決手段】マイクロ流体デバイスは、第1の基板5と、この第1の基板表面に堆積した相変化インクのパターン4とを含む。この相変化インクは、非極性ポリマー材料と、場合により、着色剤とを含み、相変化インクは、室温で固体であるが、約60〜約150℃の吐出温度では液体であり、前記堆積した相変化インクに対する水接触角が、約90°〜約175°である。 (もっと読む)


【課題】パッドから取り出す電気信号のS/N比を向上させることが可能なMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】SOI基板100を用いて形成されたミラー形成基板(デバイス本体)1を備える。ミラー形成基板1は、第1のシリコン層100aに形成され電気信号を生成する可動電極(機能部)22と、第1のシリコン層100a上に形成され電気信号を取り出すためのパッド13aと、第1のシリコン層100aにおいてパッド13aが形成された島状の導電部11acとを有する。導電部11acと第1のシリコン層100aにおける導電部11acの周辺部位とを絶縁分離するように第1のシリコン層100aに第1の分離部10aaが形成され、第2のシリコン層100bのうち導電部11acおよび絶縁層100cとともに寄生コンデンサを構成する部分の面積を低減するように第2のシリコン層100bに第2の分離部10bが形成されている。 (もっと読む)


【課題】MEMSコンポーネントを収納する密封空洞を備えたMEMSデバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】MEMSデバイス1は、MEMSコンポーネント6を収納した密封空洞5を備え、空洞5は、ある厚さtを有する絶縁体層スタック3の中に形成され、これにより空洞5および絶縁体層6のスタック3は、基板2と、厚さtを有する封止絶縁体層4との間に挟まれており、MEMSコンポーネント6は、絶縁体層スタック3の厚さtおよび封止絶縁体の厚さtに渡って延びた少なくとも1つの溝8によって取り囲まれている。 (もっと読む)


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