【課題】 小型化可能で、特性のばらつきが少ない高精度なＭＥＭＳを製造する。
【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板の第一の主面の環状領域に複数の凹部を形成し、前記基板を非酸化性雰囲気中で熱処理することによって、前記複数の凹部から前記基板内に環状の空洞を形成するとともに、前記空洞によって隔てられた薄肉部と厚肉部と、前記空洞に囲まれ前記薄肉部と前記厚肉部とを連結している支柱部とを形成し、前記第一の主面の裏面に相当する前記基板の第二の主面から、前記空洞に到達する環状溝を形成することによって、前記環状溝の外側に位置し前記薄肉部と結合する枠部と前記環状溝の内側に位置し前記支柱部に結合する錘部とに前記厚肉部を分割する、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】エッチング中の基板表面のＶｐｐ（ＲＦバイアス電圧のピーク間電圧差）又はＶｄｃ（自己バイアス電圧）を正確に測定し、高精度加工を可能にするとともに、基板間の加工再現性を向上させる。
【解決手段】被エッチング材料の表面に保護膜により所定のマスクパターンが形成された基板(28)をチャンバ(12)内に配置し、チャンバ(12)内にプロセスガスを供給しながら、当該チャンバ内にプラズマを発生させ、マスクパターンの開口部分に対応する被エッチング材料をエッチングするエッチング工程と、エッチング工程におけるエッチング処理中に、基板(28)のマスクパターンが形成されている面の被エッチング材料の表面に接触させた導電性部材(36)を介して当該基板表面の電圧を測定する電圧測定工程と、電圧測定工程の測定結果に基づいてエッチング条件を制御する制御工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】相対的に大きな力学量が加わっても、破損することなく被検知対象である傾斜を検知することができる力学量検出センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサである傾斜センサは、基材上に立設された導電性の固定接点柱１１ｂと、前記基材上であって固定接点柱１１ｂの外側に設けられた枠体１１ａと、前記枠体１１ａに対して梁１１ｄを介して設けられ、前記枠体１１ａと前記固定接点柱１１ｂとの間で揺動可能である導電性の可動部材１１ｃと、を具備し、前記枠体１１ａ及び前記可動部材１１ｃは、前記基材側の第１層と前記第１層よりも上層の第２層とを含み、前記第２層に前記梁１１ｄが設けられており、前記第１層が前記梁１１ｄの下方に部分的に延在部１１ｅを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】駆動時に並進変位動作する可動部について回転変位を抑制するのに適したマイクロ可動素子、および、そのようなマイクロ可動素子を含んでなる光干渉計を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ可動素子Ｘ１は、可動部１０、固定部２０、および連結部３１〜３４を備える。可動部１０は、一対の電極部１２，１３を有する。固定部２０は、電極部１２，１３の離隔方向に交差する方向における可動部１０の並進変位の駆動力を電極部１２，１３と協働して発生させるための一対の電極部２２，２３を有する。複数の連結部３１〜３４のそれぞれは、可動部１０に接続し且つ固定部２０に接続する。連結部３１および可動部１０が接続する接続部Ｐ１と、連結部３３および可動部１０が接続する接続部Ｐ３との離隔方向における、接続部Ｐ１，Ｐ３の間以内に、電極部１２，１３は位置する。 （もっと読む）

【課題】壁電極を用いるミラーアレイを備えるＭＥＭＳ素子が、より容易に製造できるようにする。
【解決手段】第１電極パターン１１３に溝部１１３ａを形成する。同様に、第２電極パターン（不図示）にも溝部を形成する。例えば、公知の技術となっているＳｉの深堀加工技術であるＤＲｌＥエッチング技術で、ＳＦ₆をエッチングガスとして用いることで、上述したエッチングが行える。ここで、溝部１１３を形成するエッチングでは、形成した溝部１１３ａの底部に、第１電極パターン１１３（シリコン層１０３）が残るようにエッチング時間を制御する。例えば、実験などにより、予めエッチングレートを測定しておき、このエッチングレートより、溝部１１３ａの底部に、第１電極パターン１１３（シリコン層１０３）が残る処理時間を算出し、この算出結果を上記エッチングに適用させればよい。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いずに製造することができ、かつ、分離層を必要としない、ＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】シリコン基板２に凹部４が形成されており、その凹部４内に固定電極５および可動電極６が配置されている。固定電極５および可動電極６は、シリコン基板２の材料であるシリコン材料ではなく、タングステンからなり、シリコン基板２のパターニングにより形成されるものではない。そのため、シリコン基板２が高導電性を有している必要がない。したがって、高導電性のシリコン層を備えるＳＯＩ基板を用いなくても、低導電性のシリコン基板２を用いて、加速度センサ１を製造することができる。シリコン基板２が高導電性を有していないので、固定電極５および可動電極６が形成される領域をその周囲から絶縁分離する必要がない。そのため、その絶縁分離のための分離層を必要としない。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの可撓部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、錘部と、前記支持部と前記錘部とを連結し前記錘部の運動にともなって変形する可撓部と、が形成されている積層構造体を備え、前記積層構造体は、前記可撓部を構成し下面が平坦である単結晶シリコン層１０と、前記単結晶シリコン層上に積層され前記単結晶シリコン層と異質のＣＭＰストッパ層３０と、を含み、前記ストッパ層の下面と前記単結晶シリコン層の下面とは同一平面に含まれるか、前記ストッパ層の下面は前記単結晶シリコン層の下面から突出している、ＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】補助基板が取り付けられた本体基板が、所定位置に正確に位置決めされて基板の製造が行われる基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板の製造方法は、まず、本体基板１の表面側にパターンを形成すると共に、アライメントマーク７を形成する。そして、本体基板１の表面側に補助基板９を接着する。そして、形成されたアライメントマーク７とマスク１５とが位置決めされた状態で、マスク１５を介して本体基板１の裏面側に露光させ、本体基板１の裏面側にパターンを形成する。そして、本体基板１の裏面側にパターンが形成されると、本体基板１から補助基板９を剥離する。 （もっと読む）

少なくとも１つの露出面を有する固体状材料を提供する工程と；露出面に補助層を適用して複合物構造（応力パターンを有する補助層）を形成する工程と；その中の深さで面に沿って固体状材料の破壊を促進する条件に複合物構造をさらす工程と；補助層および、それと共に、破壊深さで終了する固体状材料の層（応力パターンに対応する表面トポロジーを有する固体状材料の除去された層の露出面）を除去する工程とを含む印刷方法が開示される。
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【課題】圧電素子をＭＥＭＳに配置できる領域を拡大する。
【解決手段】複数のコンタクトホールが形成された絶縁層と前記絶縁層に接する半導体層とを含み可撓性を有する可撓部と、前記半導体層に形成された複数の不純物拡散領域からなり互いに分離している複数の導線と、前記絶縁層の表面に積層され前記コンタクトホールを通じて前記導線に接している下部電極層と前記下部電極層の表面に積層された圧電層と前記圧電層の表面に積層された上部電極層とを含み前記可撓部上に位置する圧電素子と、前記可撓部に形成された前記コンタクトホールを通じて前記上部電極層と前記導線とを接続する導電層からなる接続手段と、を備えるＭＥＭＳ。 （もっと読む）

【解決手段】 高スループット且つ低コストのサブミクロン３Ｄ構造製品を製造するための３Ｄ鋳型を製造するプロセスが開示される。このプロセスは、２光子レーザリソグラフィと３Ｄ書き込み技術との使用を統合して、３Ｄ構造製品の各層の３Ｄ鋳型を作り、次に、ナノインプリントを使用して、その層の上記３Ｄ鋳型から３Ｄ構造の各層のポリマー薄膜シートを形成する。次に、ポリマー薄膜シートの各層は、サブミクロン３Ｄ構造製品に製造される。高スループット且つ低コストのサブミクロン３Ｄ構造製品の各層の３Ｄ鋳型がさらに使用されて、マスタ鋳型が作られ、次に、マスタ鋳型を使用して、３Ｄ構造の各層のポリマー薄膜シートが形成されて、サブミクロン３Ｄ構造製品が製造される。このプロセスを使用する適用例も開示される。 （もっと読む）

【課題】可撓性変換器ユニットを製造するための新規な方法を提供する。
【解決手段】複数の変換器構造体を含むウェハーから、可撓性変換器ユニットを製造する方法に関するものであり、変換器構造体が、基板１と、金属−酸化物層１０と、金属−酸化物層１０における少なくとも１個のメッシュ構造体４と、金属−酸化物層１０に少なくとも１個の第１コンタクトパッド３を有する電線２とを備える。本製造方法は、メッシュ４を解放するために金属−酸化物層１０をエッチングする工程と、メッシュ４上に密封層７を形成する工程と、金属−酸化物層１０上に第１可撓性材料層８を形成する工程と、変換器構造体を十分可撓性のあるものにするにはために基板１のかなりの厚さを除去する工程とを含む。また、メッシュを解放する前に、第１可撓性材料層８を形成してもよい。さらに、ウェハーの裏側に第２可撓性層９を形成する工程を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳチップを半導体チップ上にフェースダウン実装した場合においても、半導体チップを経由することなくＭＥＭＳチップからパッケージの外部に結線できるようにする。
【解決手段】可動部１６が半導体ウェハ３１に対向するようにして、ＭＥＭＳチップを半導体ウェハ３１上にフェースダウン実装し、ＭＥＭＳチップと半導体ウェハ３１間の段差が解消されるように、ＭＥＭＳチップの周囲の半導体ウェハ３１上に樹脂層３７を形成し、樹脂層３７の表面および半導体基板の裏面の研削を行った後、半導体基板をウエットエッチングすることで、半導体基板を絶縁膜１２から除去し、パッド電極３３ａに接続されたランド電極４０ａおよび電極１５ｂの裏面に接続されたランド電極４０ｂを樹脂層３８上に形成する。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて、簡単な構造にて、センサの薄型化と電気的安定性等とともに質量部の質量を効果的に大きくすることが可能なＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 シリコンで形成され高さ方向にて対向配置された第１の基板１及び第２の基板２を有し、前記第１の基板１には、質量部４及び、前記質量部４と接続されるアンカ部５が形成されており、前記アンカ部５は、前記第２の基板２に固定支持されており、前記質量部４と前記第２の基板２の間には空間６が設けられており、前記質量部４の内部には、前記シリコンよりも比重が大きい金属７が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】 特に、センサ部と第２の基板（支持基板）間の空間構造を改良したＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 第１の基板１と、第２の基板２と、第１の基板１と第２の基板２の間に介在する絶縁層３と、を有する。前記第１の基板１には、可動電極部及び固定電極部を備えて成るセンサ部４と、前記可動電極部及び前記固定電極部の夫々のアンカ部１２，１４，１７，１９が形成されている。前記アンカ部は、第２の基板２の表面に前記絶縁層３を介して固定支持されている。前記センサ部４と対面する前記第２の基板２の表面には凹部５が形成され、前記センサ部４と前記第２の基板２との間に空間が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ミラー面の鏡面性と製造歩留りに優れたＭＥＭＳ走査型ミラーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーであって、ミラーがその最上面ＴＯＰＳよりも下に形成されている。また、少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法では、絶縁層Ｉを除去することによりミラー板１０Ｂの表面１０ＢＳが露出される。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造方法により、横ずれが少ない長寿命のアクチュエータを提供する。
【解決手段】アクチュエータ１は、基体２と、基体２上に固定された微細構造体３とを有する。微細構造体３に、相対向する第１の支持部４と、相対向する第２の支持部５と、Ｖ字状の弾性連結部６を介して第１の支持部４に回動自在に連結され基体２から浮く回動板７と、回動板７の端部に設けられた櫛歯状の可動電極群１１と、ばね部８を介して第２の支持部５に連結され基体２に固定された固定部９と、固定部９の端部に可動電極群１１とかみ合って設けられた櫛歯状の固定電極群１０と、基体２・微細構造体３を位置決めする位置決め部１４とを備える。固定電極群１０を含む固定部９は、第２の支持部５よりも肉薄で、自重とばね部８の変形とにより可動電極群１１を含む回動板７よりも下方に変位して基体２に固定され、可動電極群１１は固定電極群１０よりも上方にずれて位置する。 （もっと読む）

【課題】フレームと可動部とを連結する連結部のバネ定数の変動を抑制するのに適したマイクロ可動素子、および、そのようなマイクロ可動素子を備える光スイッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ可動素子Ｘ１は、フレーム３０、可動部２０、及びこれらを連結する連結部４２が形成されているマイクロ可動基板Ｓ１と、支持基材Ｓ２と、マイクロ可動基板Ｓ１のフレーム３０および支持基材Ｓ２の間に介在してフレーム３０および支持基材Ｓ２に接合する複数のスペーサ９０Ａ，９０Ｂと、フレーム３０および支持基材Ｓ２の間に介在してフレーム３０および支持基材Ｓ２に接合するスペーサ部９１Ｃ，９２ならびに当該スペーサ部を覆ってフレーム３０および支持基材Ｓ２に接合する接着剤部９３を有する少なくとも一つの強固定部９０Ｃとを備える。強固定部９０Ｃは、二つのスペーサ９０Ａ，９０Ｂの間に位置する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサによる物理量の検出精度を高める。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサの製造方法は、支持部と、支持部に一端が結合し支持部よりも薄い梁部と、梁部の他端に結合し梁部よりも厚い錘部と、梁部に設けられ梁部の歪みを検出する歪み検出手段と、を備えるＭＥＭＳセンサの製造方法であって、基板の表面上に膜を積層することによって膜によって構成される歪み検出手段と基板とを含む積層構造体を形成し、第一の通孔が形成されている第一の保護膜と第二の通孔が形成されている第二の保護膜とを基板の裏面上に形成し、第一の通孔から露出している積層構造体を貫通するまでエッチングすることによって、梁部の側面と錘部の側面の梁部から離間している部分とを形成し、第二の通孔から露出している基板をエッチングすることによって梁部の厚さを調整するとともに錘部の側面の基板からなる残部を形成する、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】可動構造体において、ヒンジの強度や剛性を確保しつつ、可動板の共振周波数を大幅に低くする。
【解決手段】光走査ミラー１は、シリコン層２１０−酸化膜２２０−金属層２３０の３層基板２００から形成されている。シリコン層２１０には、可動板５０が、第１ヒンジ５により固定フレーム４に揺動可能に軸支されるように形成されている。可動板５０の下方には、酸化膜２２０と金属層２３０により構成された金属構造体９が可動板５０と一体に揺動可能に形成されている。金属構造体９が設けられていることにより、金属構造体９を含む可動板５０の第１ヒンジ５回りの慣性モーメントが大きくなっている。従って、第１ヒンジ５の強度や剛性を確保しつつ、可動板５０の共振周波数を大幅に低くすることができる。 （もっと読む）