説明

Fターム[3C081CA02]の内容

マイクロマシン (28,028) | プロセス (6,263) | 多段階処理による製造 (820) | 基板上での製造 (810)

Fターム[3C081CA02]の下位に属するFターム

Fターム[3C081CA02]に分類される特許

121 - 140 / 210


【課題】反射面を備える可動板の有効面積を確保しつつ、可動板の慣性モーメントを低減させた光偏向器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】反射面と側面を備える可動板と、所定の軸の周りに可動板を回動可能に支持する支持部とを有し、可動板の側面が軸に向かって窪んでいる。 (もっと読む)


【課題】隣り合う素子における揺動主部について近接配置するのに適したマイクロ揺動素子、そのようなマイクロ揺動素子を含んでなるマイクロ揺動素子アレイ、および、そのようなマイクロ揺動素子を備える光スイッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子X1は、フレーム20と、揺動主部(11,11’)を有する揺動部10と、フレーム20および揺動部10を連結して揺動部10の揺動動作の軸心を規定する捩れ連結部40とを備える。フレーム20は、一対の延び部20Aを有する。一対の延び部20Aは、軸心A1の延び方向に離隔し、且つ、揺動動作の方向において空隙を介して揺動主部(11,11’)に対向して当該揺動主部に沿って延びる。 (もっと読む)


【課題】機能素子の可動部分を配置した空間の気密性の低下を抑制しつつ、小型化を実現できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】表面10aに凹部15が形成され、その凹部15内に配置された可動部分を有する機能素子100を備える変位検出用半導体チップ10と、変位検出用半導体チップ10の表面10a上で凹部15を囲んで環状に配置されたダイアタッチ材を含む結合部20と、可動部分の変位を検出した機能素子100が出力する検出信号を処理する処理回路300を有し、空洞を形成するように凹部15の上方を覆って結合部20上に配置された信号処理用半導体チップ30とを備え、結合部20によって凹部15が気密封止されている。 (もっと読む)


【課題】突起の先端径について高い寸法精度を得たり、各突起を均一に形成することができるシリコン基板のエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板Kの表面に形成されたレジスト膜60に、先端部54を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第1工程と、シリコン基板Kの表面を異方性エッチングして溝61を形成する第2工程と、シリコン基板Kの表面に形成されたレジスト膜62に、基部53を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第3工程と、溝61内に埋め込まれた当該溝底部のレジスト62が露出するまでシリコン基板Kの表面を等方性エッチングする第4工程と、シリコン基板Kの表面を異方性エッチングし、基部53を形成する第5工程と、シリコン基板Kのレジスト膜62を除去する第6工程とを順次実施することにより、基部53と先端部54とを備えた複数の突起52をシリコン基板Kに形成する。 (もっと読む)


【課題】デバイス本体の一表面側に設けられた外部接続用電極と気密封止される機能部とを電気的に接続でき、且つ、デバイス特性に悪影響を与える寄生容量を低減できる気密構造体デバイスを提供する。
【解決手段】第1のカバー基板2が、デバイス本体1の上記一表面側に設けられた複数の外部接続用電極18が露出するようにデバイス本体1に接合され、デバイス本体1が、当該デバイス本体1の一部と各カバー基板2,3とで囲まれる空間に配置された機能部である固定電極24と外部接続用電極18とを電気的に接続する配線の少なくとも一部を構成する島部17と、島部17を全周に亘って囲む分離溝11cに埋設された絶縁材料からなり上記空間を気密封止し且つ島部17をデバイス本体1における分離溝11cの外側の支持部11と電気的に絶縁する絶縁分離部19とを有する。 (もっと読む)


【課題】異物が挟まって可動体が動作しなくなさらには電気的短絡が生じるといった不具合が発生しない微小可動デバイスを提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板61上に、絶縁層62を介して単結晶シリコン層63からなる構造体(固定櫛歯電極51,52等)が固定され、基板板面と平行に変位する単結晶シリコン層からなる可動体(可動ロッド46等)が構造体に保持されてなる微小可動デバイスにおいて、単結晶シリコン基板上面の構造体が存在しない全領域に凹部64が形成され、可動体が絶縁層を具えずに凹部上に位置し、異物が挟まらない十分な空隙が確保され、かつ構造体が凹部上に張り出すオーバーハング部を持ち、このオーバーハング部の下側にあって構造体を単結晶シリコン基板に固定している絶縁層の周縁が凹部上に懸からない位置に在り、これによって単結晶シリコン基板と単結晶シリコン層との間に微小な空隙が形成されて電気的短絡が防止される
【選択図】図11
(もっと読む)


【課題】良品歩留まりの高い状態でミラー基板が形成できるようにする。
【解決手段】ミラー基板2300では、基部2301,連結部2332a,連結部2332b,可動枠2303,ミラー連結部2334a,ミラー連結部2334b,及びミラー2335の各間隙に、充填された状態で保護層2307aを備えている。これにより、上述した構造体が回動などの動作を抑制された状態となり、外部からの機械的振動による破損や損傷から保護されるようになる。 (もっと読む)


【課題】 機械電気変換装置の製造時に、素子の物理的強度を補強でき、素子の加工後には容易に短時間で剥離することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 基板とメンブレンとからなるエレメントを有する被処理基板に対し、後の裏面加工に耐えうるような流路を設けたハンドリング部材を用意し、前記素子内の少なくとも一部が前記ハンドリング部材により支持されるように、前記ハンドリング部材を前記被処理基板に固定する。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な低コストの方法で、抵抗値を充分に低くでき、貫通穴に充填される金属の熱応力による基板などの破壊が発生しない貫通電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第1の基板に形成された貫通穴の一端を塞ぐように第2の基板が接合され、前記貫通穴に金属層を設けることにより貫通電極が形成される半導体装置において、前記貫通電極は、前記貫通穴の底面および内壁の表面に形成される第1の金属層と、この第1の金属層の上面に前記貫通穴を充填するように形成される第1の金属層よりも融点の低い第2の金属層、で構成されたことを特徴とするもの。 (もっと読む)


【課題】ほとんどの機械的な時計用パーツに適用することが可能なマイクロ機械パーツを簡単に高品質に製造することを可能にする方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、a)マイクロ機械加工可能材料から構成される基板(53)を用意する(3)ステップと、b)フォトリソグラフィを用いて、前記基板の全体にわたって機械パーツ(51)を含むパターン(50)をエッチングする(5)ステップとを含む、機械パーツ(51)を製造する方法(1)に関する。本発明によれば、さらにこの方法は、c)前記基板の上面および下面がアクセス可能な状態になるように、サポート(55’)の上に前記エッチングされた基板を載置する(7)ステップと、d)前記パーツの外側面の上に、前記マイクロ機械加工可能材料よりも優れたトライボロジー特性を有するコーティングを堆積する(9、C’)ステップと、e)基板からパーツをリリースする(11)ステップとを含む。本発明は、時計製造の分野に関する。 (もっと読む)


【課題】ダイシング専用装置を用いることなくダイシングが行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】SOI基板4を用いてMEMSを形成する場合に、支持基板1のダイシング領域をエッチングにて除去すると共に、シリコン層3のダイシング領域をエッチングにて除去し、その後、埋込酸化膜2におけるダイシング領域もエッチングにより除去することでダイシング工程を行う。このように、ダイシング工程をエッチングのみによって行えるため、ダイシング専用装置を用いることなくダイシングが行える半導体装置の製造方法とすることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】絶縁のために電圧等を印加する必要が無く、機械的強度の低下を抑えることができ、寄生容量を抑制可能な、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を有する構造体及びその製法を提供する。
【解決手段】互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域104を有する構造体は、導電性領域104の上面側に、可動に支持された可動子301が設けられ、可動子301は導電性領域104に対向する電極を有する。導電性領域104の下面を介して電気信号が授受可能に構成され、複数の導電性領域104間が、連続した酸化領域によって絶縁され、酸化領域は、複数の貫通孔103もしくは溝が形成された材料の酸化物102から成る。 (もっと読む)


【課題】加工過程で要するグリスを飛散させないようにしたマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】主基板11の裏面11Rに、その裏面11Rの一部領域を囲い込む初期溝FVが形成された後、この初期溝FVを除く裏面11Rに、グリス12が塗られる。さらに、このグリス12の塗られた裏面11Rを支持基板13が支える状態で、主基板11の表面11Fに対してドライエッチングが行われ、初期溝FVを介して裏面11Rと表面11Fとの間が貫通する。 (もっと読む)


【課題】複雑で高価な蒸着法によることなく導電層を形成し、不良品の発生を防ぎながら効率よく導電層の一部を除去することが可能な、導電層を有する三次元構造物及び三次元金属構造物の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記製造方法は、(A)基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、(B)無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、(C)ゲル状エッチング組成物と接触させることにより前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 (もっと読む)


【課題】内部に段差を有する高アスペクト比の凹部を高い加工精度で容易に形成することができるシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】寸法Wまたは形状が異なる複数の開口部21a〜21f,22を備えたマスクパターン2を形成するマスクパターン形成工程と、複数の開口部21a〜21f,22に露出された基材1を同時に深さd1,d2方向に異方性ドライエッチングして、深さd1,d2の異なる初期凹部11,12を形成するエッチング工程と、複数の初期凹部11,12の内表面を酸化することにより、初期凹部11,12の各々の間に隔壁1wとして残存した基材1の全体を酸化して酸化部を形成する酸化部形成工程と、酸化部を除去して、凹部4を形成する酸化部除去工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】内部に段差を有する高アスペクト比の凹部を高い加工精度で容易に形成することができるシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなる基材1に初期凹部42を形成する初期凹部形成工程と、初期凹部42の内側面42aの基材1を隔壁1wとして残存させた状態で、初期凹部42及び初期凹部42に隣接する周回領域4E1の基材1とを深さd1,d2方向に異方性エッチングして、初期凹部42を深さd2方向に掘り下げるとともに、周回領域4E1に初期凹部42と深さd1の異なる初期凹部41を形成するエッチング工程と、深さd1,d2が異なる複数の初期凹部41,42の内表面41a,41b,42a,42bと隔壁1wとを酸化して酸化部Oxを形成する凹部酸化工程と、酸化部Oxを除去して凹部4の全体の形状を形成し、凹部4の内側に深さD1,D2方向の段差G1を形成する酸化部除去工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ピエゾ抵抗部とそのコンタクトホールとのアライメント精度を向上させる。
【解決手段】半導体層の表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層に複数のコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールが形成された前記絶縁層の表面に通孔を有する保護膜を形成し、前記通孔から露出している前記絶縁層を貫通させて前記半導体層に不純物を注入することにより複数の前記コンタクトホールの間にピエゾ抵抗部を形成する、ことを含むMEMS製造方法。 (もっと読む)


【課題】ピエゾ抵抗部の上に圧電層を備えるMEMSの電気的特性を向上させる。
【解決手段】半導体層に不純物を注入することにより前記半導体層にピエゾ抵抗部を形成し、前記半導体層の表面に結合している絶縁層の表面の平坦な領域に下層電極となる導電層を形成し、前記下層電極となる導電層の表面の平坦な領域に圧電層を形成し、前記圧電層の表面に上層電極となる導電層を形成し、前記下層電極となる導電層と前記圧電層と前記上層電極となる導電層とをエッチングすることにより圧電素子を形成する、ことを含むMEMS製造方法。
(もっと読む)


【課題】メカニカルに動作(振動)する可動構造体を、より高い機械的強度で支持された状態とし、振動のQ値や共振周波数の低下などが抑制できるようにする。
【解決手段】基部パターン103bの基板101の露出部との境界線を含む基板101の平面に垂直な平面に平行な第1方向より反応性イオン104を基板101に入射させることで基板101をエッチングし、ストライプパターン103aの延在方向に垂直な方向の第1の側より基板101に第1空間111を形成する。第1方向を、ストライプパターン103aの中心部に向かう側に基板101の平面の法線と所定の角度とする。例えば、法線と45°の角度を成して、反応性イオン104を基板101に入射させる。このことにより、第1空間111が、ストライプパターン103aの下部にかけて形成された状態とする。 (もっと読む)


複数の低次元構造体を有する構造体を製造する方法であって、2つ以上の低次元構造体を基板に接続させるフレキシブル素子(1b、14)を設けるステップを含む。フレキシブル素子によって、低次元構造体は、例えば、基板に対して略平行になるように再配向する。それに加えて、またはそれの代わりに、フレキシブル素子によって、互いに並んでいない低次元構造体は、同じ方向に配列する。
(もっと読む)


121 - 140 / 210