【課題】少なくとも１つが単結晶半導体からなる数層によって形成される活性部を備える構造を形成する、ＳＯＩ基板を用いるよりも低コストであり、より速い方法を提供すること。
【解決手段】第１の単結晶シリコン基板から少なくとも２つの層を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、ａ）第１の基板に少なくとも１つの多孔質シリコン領域を形成する段階、ｂ）第１の基板の表面全体及び多孔質シリコン領域の表面に単結晶シリコン層をエピタキシャル成長成膜させる段階、ｃ）多孔質シリコン領域にエピタキシャル成長された単結晶層を加工して第１の懸架領域を形成する段階、ｄ）多孔質シリコンを除去または酸化する段階、ｇ）シリコンに対して選択的な犠牲層を成膜する段階、ｆ）第１の基板を加工する段階、及びｇ）犠牲層を除去することによって懸架領域をリリースする段階を備える方法である。 （もっと読む）

【課題】異なる厚さを有する少なくとも２つの領域を備える活性部を備え、これらの領域の少なくとも一つが単結晶半導体材料からなる構造を製造する、コストを減少させ欠点を有しない方法を提案すること。
【解決手段】第１の基板と異なる厚さの第１及び第２の懸架領域を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、前記方法は、以下の、ａ）第１の基板の前面を加工して第１の基板よりも薄い第１の厚さの少なくとも１つの第１の懸架領域の水平方向の輪郭を画定し、ｂ）懸架領域下部の第１の懸架領域のエッチング停止層を形成し、これが第１の懸架領域下部に配置された半導体材料を除去する段階に先立って行われ、ｃ）第１の基板の前面上に犠牲層を形成し、ｄ）第１の基板の背面から加工して犠牲層をリリースし、少なくとも１つの第２の懸架領域を形成し、第１の懸架領域の停止層に到達させ、ｅ）第１及び第２の懸架領域をリリースする段階を備える。 （もっと読む）

【課題】梁部が疲労破壊することを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０の上方に配置された窒化シリコン層３０と、窒化シリコン層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、シリコン基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５４、および窒化シリコン層３０の上方に配置され、梁部５４を支持する支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、第１電極４０および第２電極５０の材質は、導電性を有する単結晶シリコンである。 （もっと読む）

【課題】不要な振動モードが生じることを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、第１電極２０との間の静電力によって基板１０の厚み方向に振動可能となる梁部３２、および梁部３２を支持する支持部３４を有する第２電極と、を含み、第２電極３０は、梁部３２を複数有する。 （もっと読む）

【課題】ねじり振動と別の振動モードが励振されることを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、ねじり振動する可動電極３０と、可動電極３０と間隙を介して形成された第１固定電極４０および第２固定電極５０と、を含み、可動電極３０は、第１面３２と、第１面３２に接続され互いに反対を向く第２面３４および第３面３６と、を有し、第１固定電極４０は、第１面３２と対向する第４面４２と、第２面３４と対向する第５面４４と、を有し、第２固定電極５０は、第１面３２と対向する第６面５２と、第３面３６と対向する第７面５４と、を有し、第２面３４と第５面４４との間隔Ｄ２は、第１面３２と第４面４２との間隔Ｄ１よりも大きく、第３面３６と第７面５４との間隔Ｄ４は、第１面３２と第６面５２との間隔Ｄ３よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上を図るＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】本実施形態によるＭＥＭＳ素子は、基板１０上に固定された平板形状の第１電極１１と、前記第１電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である平板形状の第２電極１５と、前記基板上において、前記第１電極および前記第２電極を収納するキャビティ２０を有する膜２６と、を具備する。前記第２電極は、ばね部１６を介して前記基板上に接続されたアンカー部１４に接続されるとともに、その上方において前記膜に接続される。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスをカプセル化する構造体およびこのような構造体を作る方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの電子デバイスをカプセル化するための構造体であって、支持体および前記支持体上に提供された少なくとも１つのキャップで囲まれた少なくとも１つの第１キャビティを含み、前記電子デバイスはカプセル化され、少なくとも１つの開口部は、前記キャップを通過し、前記第１キャビティ内部と前記支持体上に配置され前記第１キャビティに隣接する少なくとも１つの第２キャビティに提供されたゲッター材料の少なくとも一部分とを連通し、ゲッター材料の前記部分の少なくとも一部分は、前記支持体上および／または第１キャビティの少なくとも１つの外側壁に接して提供され、前記第１キャビティおよび前記第２キャビティが密封して密封体積をともに形成する、構造体を提供する。 （もっと読む）

【課題】ミラーアレイの構成を簡略化する。
【解決手段】ミラーアレイ１００は、ベース部２と、ベース部２に支持された複数のミラー１１０と、ミラー１１０に連結されてミラー１１０を駆動する複数のアクチュエータ１，１とを備え、ミラー１１０を互いに直交する主軸Ｘ及び副軸Ｙ回りに回動させる。アクチュエータ１は、副軸Ｙ方向に延びるアクチュエータ本体３と、アクチュエータ本体３の表面３１に積層された圧電素子４とを有し、圧電素子４を伸縮させることによってアクチュエータ本体３を傾動させるように構成されている。各ミラー１１０には、副軸Ｙを挟んで並ぶ２つのアクチュエータ１，１が主軸Ｘに対して一方の側だけに設けられている。 （もっと読む）

【課題】機械的な干渉、過度の湿気、及び損傷を及ぼす可能性がある物質からインターフェロメトリックモジュレータを保護するバックプレートを備えたインターフェロメトリックモジュレータアレイを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳを基本にしたディスプレイデバイス６００であり、インターフェロメトリックモジュレータアレイ６０４が透明基板を通じて光を反射させるように構成されている。透明基板は、シール６０６を介してバックプレート６０８に取り付けられており、バックプレートは、インターフェロメトリックモジュレータアレイを制御するための電子回路を内蔵することができる。バックプレートは、ディスプレイの状態を制御するために使用することができるデバイス構成要素（例えば電子構成要素、等）に関する物理的支持物となることができる。さらに、バックプレートは、デバイスに関する構造上の主支持物として利用することもできる。 （もっと読む）

【課題】応力関連の変形を最小限に抑えるように構成された支持構造を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの実施形態は、上位の支持構造によって支持される移動可能層を含み、更に、下位の支持構造を含むことができる。１つの実施形態では、上位の支持構造内の残留応力と、移動可能層内の残留応力とが、実質的に等しい。別の実施形態では、上位の支持構造内の残留応力と、下位の支持構造内の残留応力とが、実質的に等しい。特定の実施形態では、実質的に等しい残留応力は、同じ厚さを有する同じ材料で形成される層の使用を通じて得られる。更なる実施形態では、実質的に等しい残留応力は、互いの鏡像である支持構造および／または移動可能層の使用を通じて得られる。 （もっと読む）

【課題】真空の空洞内にＭＥＭＳ構造体が封止されたＭＥＭＳ素子において、封止の気密性が長期間安定に保持されるようにする。
【解決手段】ＭＥＭＳ構造体２０１が、基板３０１および積層構造体１２０により、空洞１１０内に気密封止されているＭＥＭＳ素子５００において、積層構造体１２０を構成する、２つの層の間に界面封止層１０１、１０２、１０３を設けて、気体が基板３０１の表面と平行な方向において、２つの層の界面を通過して空洞１１０内に侵入することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】カプセル化構造（１００）を作製する方法を提供すること。
【解決手段】方法は、加熱されると少なくとも１つの気体を放出することが可能な少なくとも１つの材料部分（１１０）を作製するステップであって、材料部分が、カプセル化構造の気密封止された空胴（１０２）の内側と連通する、ステップと、気体の少なくとも一部が空胴内の前記材料部分から放出されるように、前記材料部分のすべてまたは一部を加熱するステップとを含み、加熱されると少なくとも１つの気体を放出することが可能な前記材料部分は、前記材料部分内に閉じ込められた要素を含み、前記閉じ込められた要素は、前記材料が加熱されると気体の状態で前記材料部分から放出される。 （もっと読む）

【課題】ＰＡＧ（光酸発生物質）二重層を用い、残留物が無くＬＥＲも僅かな犠牲ポリマー層、及び犠牲ポリマー層の分解方法と、これを使用して改良されたエアキャビティー、又はエアギャップを作製するための方法を提供する。
【解決手段】ＰＡＧ二重層はその中に光酸発生物質を組込み、上部のＰＡＧ濃度は構造物の低部より高い。ＰＡＧが非存在の犠牲層１５が基板１０上に形成される。犠牲層が乾燥された後、ＰＡＧ単層２０が形成され、層１５と層２０はＰＡＧ二重層２５を形成する。次いで二重層２５の像様暴露（光線照射３５）遮蔽物３０を使用して行われる。暴露部分は熱分解法によって除去されて、基板上に残った非暴露部分４０を残す。次いで保護被覆層５０が構造体上に配置され、部分４５の分解及び保護被覆５０を通る分解生成物の浸透のために適当な温度に加熱した後、エアギャップ５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法に係り、該エネルギー変換素子は、複数のドーピング領域を含むモノリシック単結晶シリコン層、単結晶シリコン層に内在し、複数のドーピング領域のうち１つのドーピング領域３０にのみ連結された振動体３２、３４、振動体３２、３４に印加される入力信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第１ダイオード）、及び振動体３２、３４から出力される信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第２ダイオード）を含み、単結晶シリコン層は、内部に密閉された空間６０を含み、振動体３２、３４は、空間６０に備えられてもよい。 （もっと読む）

【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第１ドーピング領域２０と、該第１ドーピング領域２０と反対の型のドーピング領域であり、第１振動部分３２を含む第２ドーピング領域３０と、該第１ドーピング領域と該第１振動部分３２との間に備えられた、空間６０と、を備えるトランスデューサ。第１及び第２ドーピング領域２０，３０は、一体である。第１振動部分は複数の貫通ホール４０を含み、振動部分上に貫通ホール４０を密封する物質膜５０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された機能素子２０と、機能素子２０が収容された空洞部１を画成する被覆構造体３０と、を含み、被覆構造体３０は、空洞部１に連通する第１貫通孔５２および第１貫通孔５２よりも大きい第２貫通孔５４を有し、かつ空洞部１の上方に配置される第１被覆層５０と、第１被覆層５０の上方に配置され、第１貫通孔５２および第２貫通孔５４を塞ぐ第２被覆層５８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】静電アクチュエータと当該静電アクチュエータを駆動するための駆動集積回路を縦方向に集積することによって実装面積を小さくする。
【解決手段】
第１部材３２には静電アクチュエータ４６を設けている。第２部材３３には、静電アクチュエータ４６を駆動するための駆動用ＩＣ７２を設けている。第１部材３２と第２部材３３は、静電アクチュエータ４６を設けた面と駆動用ＩＣ７２を設けた面を対向させて、外周部の接合部３５と接合部３６で接合されている。第１部材３２、第２部材３３及び接合部３５、３６によって構成された空隙部３４内には、静電アクチュエータ４６と駆動用ＩＣ７２が気密的に封止されている。駆動用ＩＣ７２に用いられているコンデンサ７５は、コンデンサ７５に発生する電界の向きと静電アクチュエータ４６を駆動するための電界の向きとが交差、好ましくは直交するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】高い周波数精度を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置され、開口部２２が形成された第１絶縁層２０と、開口部２２を覆って、第１絶縁層２０の上方に配置された第２絶縁層３０と、第２絶縁層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５２、梁部５２の一端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第１支持部５４、および梁部５２の他端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第２支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、基板１０の厚み方向からの平面視において、開口部２２の少なくとも一部は、第１支持部５４と第２支持部５６との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、周波数特性の管理が容易なＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部３２、および梁部３２を支持する支持部３４を有する第２電極３０と、を含み、第１電極２０の側面２２は、第１電極２０の上面２１に接続された第１面２２ａと、第１面２２ａおよび基板１０の上面１１に接続された第２面２２ｂと、を有し、第１面２２ａは、基板１０の上面１１に対して傾斜し、基板１０の上面１１に対する第１面２２ａの角度は、第１角度αであり、基板１０の上面１１に対する第２面２２ｂの角度は、第１角度αよりも大きい第２角度βである。 （もっと読む）

【課題】標準的なＣＭＯＳプロセスに適合し、かつゲッタ材料又は反応性ガスに依存しないでキャビティをシールする方法を提供する。
【解決手段】キャビティ９１０は犠牲材料をエッチングにより除去することで形成され、キャビティのシールはキャビティより下側の材料がスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路の上及び中に再堆積されることでシールされる。キャビティに通じる通路の上に堆積された材料９０４も再びスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路内に再堆積される。スパッタエッチングを不活性雰囲気で行うことにより、スパッタエッチングの後にはキャビティ内は不活性ガスで充填される。 （もっと読む）