【課題】半導体リソグラフィにおいて、シリコンウェハに同一パターンを複数形成するときに破断を起こしにくいパターン配置方法及びパターニングされたシリコンウェハを提供すること。また、そのパターン配置方法が用いられた半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明によると、シリコンウェハに、第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向に平行に配置された複数のチップパターンを有し、前記複数のチップパターンは、前記第１の方向及び前記第２の方向に配置され、直線状に配置された一つ以上のパターンを含み、前記シリコンウェハのへき開面と前記シリコンウェハの前記パターンを配置する面とが直交する軸と、前記第１の方向とが、異なるように前記複数のチップパターンを配置することを特徴とするシリコンウェハが提供される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳミラーに損傷を与えずにＭＥＭＳミラーを基板から分離する方法を提供する。
【解決手段】ミラーデバイス体が支持部４ｂに支持された基板２０の支持部４ｂにレーザー光７４を集光して照射し、支持部４ｂに改質部７５を形成する改質部形成工程と、支持部４ｂに力を加えて支持部４ｂを切断しミラーデバイス体２と基板２０とを分離する分離工程と、を有し、支持部４ｂの断面形状は台形に形成され、改質部形成工程では台形の平行な２辺のうち長い方の辺の側からレーザー光７４を照射する。 （もっと読む）

【課題】
微小構造体の製造方法およびマイクロリアクターに関して、液体同士が接触により比較的短時間に反応や固化する様な液体の組み合わせや、３種類以上の液体を用いて微小構造体を製造する場合において、製造歩留まり良く、所望の粒子径サイズで、かつ粒子径サイズのばらつきが小さい微小構造体を製造する方法を提供する。

【解決手段】
本発明の微小構造体の製造方法は、メイン流路と複数のサブ流路を備えたマイクロリアクターを用いて微小構造体を製造する方法において、
メインの流路に液体を供給する工程と；
メイン流路に出口を有する複数のサブ流路に異なる液体を供給する工程と；
複数のサブ流路の出口からメイン流路に供給される液体が、メイン流体中で実質上交点をもつ方向に供給され、層流状態で接触させる。

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【課題】簡単な方法で作製可能であり、微小構造の形状変化によって、これまで難しかった表面上の微細な液滴の形状変化および輸送を制御することができ、その結果、微小液体の操作とマイクロパターニングを簡便に可能とする微小構造体を提供する。
【解決手段】伸縮可能な支持体に密着した表面薄膜の微小領域での座屈変形に基づく特性空間周波数を有する微細凹凸構造を備えた微小構造体であって、前記微細凹凸構造に外部から応力などの刺激を加えることができ、その刺激によって前記構造が変形することで、その溝部に液体を導入させ、さらにその液体形状を微細凹凸構造の変化で操作できることを特徴とする液体パターンを備えた微小構造体。また、液体形状の操作には直接液体に光等の刺激を与えても可能であることを特徴とする微小液体パターンを備えた構造体。 （もっと読む）

【課題】犠牲層を自己制御的に除去することができるＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイス５０の製造方法は、まず、第１シリコン酸化膜５１上に、アルミ又はアルミ系合金からなる第１犠牲層５２ａを形成する。第１犠牲層５２ａは、ゲート電極の形成と同時に形成する。次に、第１犠牲層５２ａ上に、ＩＴＯからなる第２犠牲層５２ｂを形成する。第２犠牲層５２ｂは、画素電極の形成と同時に形成する。このような犠牲層５２上に、錘５８として機能する第２シリコン酸化膜５３、シリコン膜５４を形成し、所定の形状にパターンニングする。その後、電食反応を利用して、犠牲層５２に王水を接触させることにより、自己制御的に犠牲層５２を除去し、錘５８の下側に空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ流体の微小流路を形成するための微小流路形成型を簡単に得る製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、マイクロ流体の微小流路を形成するための微小流路形成型を用いて簡単にマイクロ流体デバイスを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のマイクロ流体の微小流路形成型の製造方法は、樹脂材料２０を平板１０上に吐出し、当該樹脂材料２０を固化して、平板１０上に断面凸状の鋳型２０ｂを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リフトオフ工程技術を用いたインターフェロメトリック変調器の製造方法
【解決手段】本開示の実施形態は、リフトオフ工程技術を用いてインターフェロメトリックデバイスを製造する方法を含む。光学的スタックまたは屈曲層などのインターフェロメトリック変調器の種々の層の製造においてリフトオフ工程を用いることは、各層に関連する複数の材料に関する個々の化学現象を有利に避けることができる。さらに、リフトオフ工程を使用することは、インターフェロメトリック変調器の製造に利用される材料及び施設の選択を増やすことを可能にする。 （もっと読む）