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Fターム[3C081CA17]の内容

マイクロマシン (28,028) | プロセス (6,263) | 加工方法、手段 (4,742) | 除去加工 (2,002) | ビーム加工 (104)

Fターム[3C081CA17]に分類される特許

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【課題】材料コストが安く、しかもパッケージとした際に、薄型化が可能で、異物の発生を抑制可能な電子部品素子搭載用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材14の一方の面が開放し他方の面が閉塞されて底部となる非貫通孔6と、この非貫通孔6の底部に設けられた電子部品素子搭載部12と、を有する配線基板2と、配線基板2の基材14の一方の面上に接着層4を介して配置され、電子部品素子搭載部12上に空隙部15を形成するスペーサ層3と、スペーサ層3上に接着層4を介して空隙部15を塞ぐように配置される蓋基板5と、を有する。 (もっと読む)


【課題】材料コストが安く、しかもパッケージとした際に、薄型化が可能で、異物の発生を抑制可能な電子部品素子搭載用基板及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】一方の面に設けられた内部接続端子と他方の面に設けられた外部接続端子とこれらの接続端子同士を電気的に接続する層間接続とを有する配線基板と、この配線基板の前記一方の面上に接着層を介して配置され、開口を有するキャビティ層と、このキャビティ層上に接着層を介して前記開口を塞ぐように配置される蓋基板とを有し、前記キャビティ層が補強材を有しない基材によって形成される電子部品素子搭載用基板及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】複合テンプ輪を製造する方法の改善。
【解決手段】基板(21)上に少なくとも1つの金属層(23、23’、24、24’)を選択的に堆積させて、テンプ輪の少なくとも1つの金属部分のパターンを形成するステップ(5、13)と、
前記基板(21)に少なくとも1つのキャビティ(26、27、28、29、30、31、32、33、34、26’、27’、28’、29’、30’、31’、32’、33’、34’)を選択的にエッチングして、前記少なくとも1つの金属層を含む前記テンプ輪(45、45’)のパターン(35、35’)を形成するステップ(7、17)と、
前記基板(21)から複合テンプ輪(45、45’)を解放するステップ(9)と
を含む。 (もっと読む)


【課題】振動子内に共振周波数制御機構を組み込むことが容易で、かつ広い周波数帯域での共振周波数制御が可能な微小機械振動子を提供する。
【解決手段】微小機械振動子は、シリコン基板1上に形成されたシリコン酸化膜2と、シリコン酸化膜2上に形成された電極4,5と、一端が電極4に接続され、電極4およびシリコン酸化膜2で固定されていない一部が開口部6内に突出するように形成される振動子部7と、一端が電極5に接続され、電極5およびシリコン酸化膜2で固定されていない方の先端部が開口部6内に突出した振動子部7の先端部と対向するように形成される制御極部8とを備える。 (もっと読む)


【課題】揺動部の慣性モーメント或いは重心位置の調整を比較的大きな範囲で比較的高速に行うことが可能な光偏向器などの揺動体装置、その製造方法を提供する。
【解決手段】揺動体装置は、揺動部と弾性支持部305、306と支持体301とを備え、揺動部が弾性支持部により揺動軸304回りに揺動可能に支持されている。揺動部は、該揺動部の質量を調整するための突出部303、321を持つ可動子302、320で構成されている。突出部は可動子から揺動軸と平行な方向に突出しており、突出方向の何れの個所でも切断可能に形成されている。突出部の揺動軸を法線とする断面積は、揺動軸方向に一定である。
【選択図】図10
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【課題】低い電圧で上部電極が可動してON,OFFし、かつ寒極温度が高く変化しても動作電圧に影響を与えるようなデバイスの形状変化が起こらないMEMS素子を提供する。
【解決手段】絶縁基板1の上に形成される第1の支柱5と、第1の支柱5から間隔をおいて絶縁基板1の上に形成される第2の支柱6と、第1の支柱5に固定される固定端8aと第2の支柱6の上に移動自在に配置される自由端8bとを有する第1の電極8と、絶縁基板1の上における第1の支柱5と第2の支柱6の間の領域で、第1の支柱5及び第2の支柱6より低い位置に形成される第2の電極4と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 透明媒体中の埋設路を利用する光学的測定を容易にする。
【解決手段】 本発明のある態様においては、少なくとも一部において外部と連通する埋設路110が内部に形成された透明媒体102と、埋設路110を囲む壁面の少なくとも一部に配置された透明被覆体120とを備えた光学デバイス100が提供される。ある典型的な透明被覆体120は、前駆体ゾルからゾルゲル法により形成された透明導電体であり、別の典型的な透明被覆体120は、透明媒体102より高い屈折率を有しているとともに、埋設路の内部に流体用通路130を残すように配置されている。 (もっと読む)


【課題】ストリート幅を大きくすること無くストリートに沿って変質層を形成することができ、分割することができるウエーハの分割方法を提供する。
【解決手段】デバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハ2の分割方法であって、レーザー光線をウエーハ2の裏面側から内部に集光点Pを位置付けて照射し、ウエーハ2の内部に表面側に未加工領域を残して第1の変質層251を形成する第1の変質層形成工程と、ウエーハ2の裏面2bを環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウエーハ支持工程と、レーザー光線をダイシングテープに貼着されたウエーハ2の表面側から内部の未加工領域に集光点を位置付けて照射し、ウエーハ2の未加工領域に第2の変質層を形成する第2の変質層形成工程と、ウエーハ2に外力を付与し第1の変質層および第2の変質層が形成されたストリートに沿って破断する破断工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】犠牲層の改質度をさらに上げて、犠牲層のエッチングレートを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】犠牲層領域17に対応する支持基板11にレーザ光の焦点54aを合わせ、半導体層13側からレーザ光を照射する。これにより、レーザ光の焦点54aからレーザ光の入射側に伝達する熱応力によって犠牲層領域17に位置する犠牲層12にマイクロクラック12aを形成する。この後、半導体層13の開口部15からエッチング媒体を導入し、マイクロクラック12aが形成された犠牲層12をエッチングして除去することにより、支持基板11に対して構造体22〜24を浮遊させる。このように、犠牲層12にマイクロクラック12aを形成して改質度を向上させているので、犠牲層12の深部にエッチング媒体が入り込みやすくなり、犠牲層12のエッチングレートがさらに向上する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの表面に形成されたデバイスを破壊することなく、ウェーハの内部に改質層を精度良く形成することができるレーザダイシング装置及び方法並びにウェーハ処理方法を提供する。
【解決手段】レーザ光を透過可能に形成されたウェーハテーブル20の保持面22AにはウェーハWの裏面側が屈折液26を介在させた状態で密着保持される。これにより、ウェーハが撓みなく平坦な状態で保持される。そして、レーザ光をウェーハWの裏面側からウェーハテーブル20を介して照射することにより、ウェーハWの内部に改質層を精度良く形成することが可能となる。また、ウェーハWの表面に一切触れることなく、ダイシング処理を行うことができる。したがって、ウェーハWの表面に形成されたデバイスを破壊することなく、ダイシング処理を行うことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】外部マニホールドを備えた高密度インクジェット印字ヘッドアセンブリの製造方法。
【解決手段】インクジェット印字ヘッドの形成方法は、ダイアフラム36に複数の圧電素子20を付着させるステップと、ダイアフラムと複数の圧電素子との上に誘電性充填層を供給し、圧電素子を封止するステップと、誘電性充填層を硬化させ、隙間層50を形成するステップと、次に、複数の圧電素子の上面から隙間層をプラズマエッチングによって除去するステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】炭化ケイ素を用いたMEMSの一層の小型化を実現する。
【解決手段】半導体素子1は、半絶縁性の支持基板11と、支持基板11の表面における一部の領域に形成されたドープ層12と、支持基板11の表面を覆うとともにドープ層12の一部が露呈されるようにドープ層12を覆うグラフィン層13と、グラフィン層13の支持基板11が配置される表面の反対の表面に形成された電極層21,22とを有する。 (もっと読む)


【課題】均一な又は調整されたコーティングを有する新規なマイクロチャネル装置、及び、これらのコーティングを製造する新規な方法を提供する。
【解決手段】マイクロチャネル装置内の内部マイクロチャネルは、均一にコーティングされる。注目すべきことには、これらの均一なコーティングは、装置が組み立てられた後もしくは製造された後に内部チャネルに適用した材料から形成される。コーティングは、マイクロチャネルのコーナーにおいて、及び/又は、複数マイクロチャネルのアレイの多数のマイクロチャネル全体にわたって、マイクロチャネルの長さに沿って均一に作られ得る。マイクロチャネル上へのウォッシュコートの塗布を調整するための技術も記述される。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチングを用いてシリコン基板における凹部の底部に垂直な開口を設けることができるシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】第1の開口4の底部に、パターン開口10を有するパターニングマスク14’を用いて、プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより第2の開口5を形成するシリコン基板の加工方法であって、前記プラズマに対する前記第1の開口内の露出を妨げる遮蔽構造11’を前記シリコン基板内又は上に形成した状態で前記反応性イオンエッチングを行うシリコン基板の加工方法である。これにより、第2の開口の傾きの原因である、プラズマモールディング効果と呼ばれるシースの歪みを緩和することが出来る。 (もっと読む)


【課題】周期構造に対応する周期的パターンを有するレジストを形成する必要がなく、周期的パターン及び周期構造を基板表面に直接形成できる、マイクロ流体チップの製造方法、マイクロ流体チップ、及び表面プラズモン共鳴光の発生装置の提供。
【解決手段】基板表面の凹部を設ける領域に、ピコ秒オーダー以下のパルス時間幅を有するレーザー光Lを照射して、該レーザー光Lの集光域Fに、自己組織的に形成される周期的パターン14を有する改質部11を形成する工程Aと、エッチング処理を行い、該改質部11の少なくとも一部を除去して前記凹部を設けると共に、周期的パターン14に基づく表面プロファイルを有する、一方向に沿った複数の溝部を含む周期構造を、該凹部の底面に、形成する工程Bと、前記底面の周期構造を覆う金属層を形成する工程Cと、を含むことを特徴とするマイクロ流体チップの製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、全般的に適用可能でありながら、特定の加工および方法論的要求に適応することができる加工を可能にする、容易で柔軟性のある方法を創造することにある。
【解決手段】広スペクトル帯域幅を有するレーザ・パルスによって材料を加工する方法および装置、ならびに前記方法を実行する装置を提供する。本発明によれば、レーザ・パルスの1つまたは数個のスペクトル・パラメータ、即ち、スペクトル振幅および/またはスペクトル位相および/またはそのスペクトル偏波を、好ましくは測定加工変数に応じて、材料を加工するために、あるいは前記加工の実行の間に、特定的に改変する。本発明は、広スペクトル帯域幅、特にフェムト秒パルスおよびピコ秒パルスを有するレーザ・パルスによって材料を加工するために用いられる。 (もっと読む)


【課題】可動状態に形成した可動部に、破損を抑制した状態で様々な処理が行えるようにする。
【解決手段】デバイスウエハ101とマスクウエハ103とを位置合わせして貼り合わせた後、MEMS素子102に対してマスクウエハ103の開口部104を介した選択的なドライ処理を行う。例えば、MEMS素子102の可動部(不図示)に対し、物理的気相堆積または化学的気相堆積などのドライ処理により金属などの膜を選択的に形成する。一例として、MEMS素子102に対して選択的に金からなる金属膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】複雑な流路パターンを有し、小型化、集積化したマイクロチップにおいて、未接合を防止する脱気孔を配置制限やスペース制限を受けることなく簡易に配置することができ、また流路パターンに適合するように簡易に配置することができるマイクロチップの製造方法を提供すること。
【解決手段】カバー用基材22をフィルム状とすることにより、相対的に厚いカバー部材を用いる場合に比べて加工性がよく、直径が小さい脱気孔23を容易に形成することができる。また、脱気孔23を成形以外の方法で形成することにより、脱気孔23の形成が比較的容易になる。さらに、フィルム状のカバー用基材22の厚み方向に、接合の際に閉塞可能な0.3mm以下の直径を持つ脱気孔23を設けることにより、配置制限やスペース制限を受けることなく簡易に所望の位置に脱気孔23を配置することができる。これにより、接合の際の位置合わせを容易にしつつ、効率的に未接合を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】ミラー部の反射面に影響を与えることなく該ミラー部の共振周波数の調整を行うことができる光スキャナの製造方法を提供する。
【解決手段】反射ミラー部12の共振周波数が規格上限値よりも高い場合には、反射ミラー部12の共振周波数と規格上限値との差から各捻れ梁部16A、16Bの梁幅削り量と各基端部を削除する削り量を決定する。そして、各捻れ梁部16A、16Bの梁幅削り量が決定されている場合には、各捻れ梁部16A、16Bの反射ミラー部12の両端面から所定距離L2離れた軸線21に対して対称な位置から、それぞれ揺動軸15方向の基端部までレーザ光により削除する。また、各捻れ梁部16A、16Bの各基端部を削除する削り量が決定されている場合には、各基端部から各捻れ梁部16A、16Bの厚さ、つまり、基板2の厚さにほぼ等しい幅の位置までレーザ光により削除する。 (もっと読む)


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