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【課題】少なくとも1つが単結晶半導体からなる数層によって形成される活性部を備える構造を形成する、SOI基板を用いるよりも低コストであり、より速い方法を提供すること。
【解決手段】第1の単結晶シリコン基板から少なくとも2つの層を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、a)第1の基板に少なくとも1つの多孔質シリコン領域を形成する段階、b)第1の基板の表面全体及び多孔質シリコン領域の表面に単結晶シリコン層をエピタキシャル成長成膜させる段階、c)多孔質シリコン領域にエピタキシャル成長された単結晶層を加工して第1の懸架領域を形成する段階、d)多孔質シリコンを除去または酸化する段階、g)シリコンに対して選択的な犠牲層を成膜する段階、f)第1の基板を加工する段階、及びg)犠牲層を除去することによって懸架領域をリリースする段階を備える方法である。 (もっと読む)


【課題】異なる厚さを有する少なくとも2つの領域を備える活性部を備え、これらの領域の少なくとも一つが単結晶半導体材料からなる構造を製造する、コストを減少させ欠点を有しない方法を提案すること。
【解決手段】第1の基板と異なる厚さの第1及び第2の懸架領域を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、前記方法は、以下の、a)第1の基板の前面を加工して第1の基板よりも薄い第1の厚さの少なくとも1つの第1の懸架領域の水平方向の輪郭を画定し、b)懸架領域下部の第1の懸架領域のエッチング停止層を形成し、これが第1の懸架領域下部に配置された半導体材料を除去する段階に先立って行われ、c)第1の基板の前面上に犠牲層を形成し、d)第1の基板の背面から加工して犠牲層をリリースし、少なくとも1つの第2の懸架領域を形成し、第1の懸架領域の停止層に到達させ、e)第1及び第2の懸架領域をリリースする段階を備える。 (もっと読む)


【課題】 圧電アクチュエータを用いた光偏向器において、デバイスサイズの増大や偏向・走査性能の低下を防止しつつ、振動や衝撃を緩和して破損を効果的に回避できる光偏向器を提供する。
【解決手段】 光偏向器A1は、反射面を有するミラー部1と、トーションバー2a、2bに一端が連結され他端が支持部10に連結されて支持された圧電アクチュエータ8a、8bとを備え、圧電アクチュエータに駆動電圧を印加することでトーションバーを介してミラー部を回転駆動する。ミラー部1と支持部10との間の空隙に設けられる衝撃緩和部9a、9bは、支持部10のトーションバーと直交する方向のミラー部1と対向する部分に、弾性を有する感光性の高分子材料をフォトリソグラフィ処理によりパターニング加工して形成される。 (もっと読む)


【課題】捻り振動を用いた光走査装置において温度変化による走査特性の変化を抑制する
【解決手段】光を反射させる反射面を有するミラー31と、ミラー31を捻り振動させるための回転軸kとなる弾性連結部16a,16bを備え、回転軸kを中心にしてミラー31を揺動させて光を走査する。そしてミラー支持枠32と熱アクチュエータ33が、ミラー31と弾性連結部16a,16bとを連結するとともに、温度が高くなるほどミラー31の回転軸k周りの慣性モーメントが低くなるようにミラー31を変位させる。なお、ミラー31の慣性モーメントを変化させるために、ミラー31の反射面は、円以外の形状(図では楕円形状)を有し、熱アクチュエータ33は、反射面に垂直な回転軸を中心にミラー31を回転させる。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置100は、基板10と、基板10の上方に配置された機能素子20と、機能素子20が収容された空洞部1を画成する被覆構造体30と、を含み、被覆構造体30は、空洞部1に連通する第1貫通孔52および第1貫通孔52よりも大きい第2貫通孔54を有し、かつ空洞部1の上方に配置される第1被覆層50と、第1被覆層50の上方に配置され、第1貫通孔52および第2貫通孔54を塞ぐ第2被覆層58と、を有する。 (もっと読む)


【課題】複数のセンサー素子間での特性バラツキを抑制し、所望の歩留まりが得られる超音波アレイセンサーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】超音波アレイセンサーにおいて、センサー素子2は、圧電体層8の平面パターンが下部電極5の平面パターンよりも外側にはみ出しておらず、上部電極3の平面パターンが圧電体層8の平面パターンよりも外側にはみ出していない。下部電極引き回し配線6は、コンタクトホール13を介して下部電極5と電気的に接続され、コンタクトホール13の箇所を除いて圧電体層8の一面上に配置されている。上部電極引き回し配線4は、下部電極引き回し配線6の延在方向と交差する方向に延在して上部電極3と一体に形成され、圧電体層8の一面上に配置されている。 (もっと読む)


【課題】導電性が皆無又はほとんど無い活性層を必要とする構造を低コストで製造可能なMEMS構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロシステム又はナノシステム型デバイスは、可動部分120を有する第1基板100と、第2基板200と、第1基板及び第2基板の間に配置されている第1電極102及び誘電層101とを備えている。第1基板100が、第1電極102に対して当接している導電性材料により充填されている貫通状態の縦導電経路111を有する。 (もっと読む)


【課題】最適化された感度を有するMEMSおよび/またはNEMS圧力測定デバイスを提供する。
【解決手段】基板2上で懸架された変形可能な膜4であって、膜の面の1つが測定される圧力を受けるように意図された膜と、歪みゲージを備え、膜4の変形を検出する手段であって、基板2上に形成される検出手段6と、膜4の変形を増幅された形で検出手段6に伝達する変形不能なアーム14とを備え、アーム14が、膜4の面にほぼ平行な軸線Yの周りで回転可能に基板2にヒンジ留めされ、膜4の変形を増幅された形で検出手段6に伝達するように膜と一体である。 (もっと読む)


【課題】圧力センサーの小型化を可能とする。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、基板の一つの面の一部の上方に、第1の膜を形成する工程(a)と、第1の膜の上方と基板の第1の膜を囲む領域の上方とにまたがる第2の膜を形成する工程(b)と、第2の膜に貫通孔を形成することにより、第1の膜の一部を露出させる工程(c)と、第1の膜をエッチングする工程(d)と、第2の膜の貫通孔を封止する工程(e)と、基板の第1の膜がエッチングされた領域の上方に位置する第2の膜の上方に、歪みセンサー膜を形成する工程(f)と、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は三次元構造体の製造効率の低下を招くことなく、電極パッドをシリコン基板に形成可能な三次元構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の三次元構造体の製造方法は、シリコン基板T、B、Hを用いて形成された三次元微細構造体の電極パッド16P3、16P4の形成領域16P3’、16P4’に金Auを堆積させる金属堆積工程と、シリコン基板T、B、Hを熱により酸化させて金Auの形成領域以外の表面にシリコンの酸化膜SiO2を形成する酸化膜形成工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】基板面に対して大きく傾斜した(或いは垂直に近い)半透過反射面に酸化シリコン膜を均一に形成し得る光学部品の製造方法、並びにこの方法により製造された光学部品を提供する。
【解決手段】光透過性光学部品12を製造する方法であって、板状部材のシリコン領域11をエッチングして凹部を形成する第1のエッチング工程と、凹部の内側面を熱酸化させて酸化シリコン膜14を形成する熱酸化工程と、酸化シリコン膜14を覆う窒化シリコン膜16を形成する窒化膜形成工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】コントラストの改善を図ることが可能であり、製造が容易なアパーチャープレートを提供すること。
【解決手段】本発明の表示装置においては、(A)透光性の基板130上に金属層132を形成し、(B)金属層132上に開口パターンが形成されたレジストマスク136を設け、この状態で金属層132の露出部分をエッチングして開口部126を形成し、(C)その後レジストマスク136を除去し、(D)金属層132の表面及び開口部126の側壁面を酸化して金属の酸化物層134を形成することにより、アパーチャープレートの表裏の反射率を異ならせる。酸化物層134は、レジストマスク136をアッシングするときに、レジスト除去と同時に形成することができる。 (もっと読む)


【課題】ジャイロメータは、基板と、基板の上に懸架された慣性質量部(2)であって、励振部(6)および検出部(8)を含む慣性質量部(2)と、前記慣性質量部(2)の平面内に含まれる、励振部(6)を少なくとも1つの方向(X)に移動させる手段と、前記質量部の平面の外側での前記検出部(8)の移動を検出する静電容量検出手段とを含む。
【解決手段】前記静電容量検出手段は、前記検出部(8、108)と共に可変コンデンサを形成するように、基板に面して位置する検出部(8)の上に配置された、少なくとも1つの懸架電極(16)を含み、前記電極(16)は、慣性質量部(2)を貫通する少なくとも1つの柱状体(22)によって、前記検出部(8)の上に保持される。 (もっと読む)


【課題】キャビティ、好ましくはMEMS又はNEMSデバイスが位置するキャビティを簡単な工程で封止するための方法を提供する。
【解決手段】薄膜層を犠牲層2上に堆積し、その後放出孔を薄膜層内でエッチングし放出工程を実施する。その際、少なくとも犠牲層の一部を放出孔を通じて除去し、キャビティを形成する。前記放出工程の前に狭窄層を放出孔の側壁に形成する。狭窄層を封止層5とする場合は封止層のリフローにより放出孔を閉鎖し、狭窄層が封止層でない場合には薄膜層上部に封止層を堆積し、直接封止層をリフローすることで放出孔を閉鎖する。 (もっと読む)


【課題】エッチング装置へのダメージを減らしながら、小型なMEMSミラーデバイスを提供すること。
【解決手段】底部が開放されたミラー用空洞18およびビーム用空洞19と、底部が閉塞された電極用空洞20とが互いに繋がるように形成された半導体基板12の一部を加工することにより、ミラー用空洞18の直上にミラー8を下側から支持する揺動部22を形成し、ビーム用空洞19の直上に揺動部22を横側から支持する一対のビーム23を形成する。また、電極用空洞20の直上には、互いに間隔を空けて噛み合う固定電極24および可動電極25を形成する。 (もっと読む)


【課題】高アスペクト比のホールやトレンチの多段構造を高い加工精度で容易に形成することができるシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなる基材1に凹部4の一部である初期凹部4aを形成する初期凹部形成工程と、初期凹部4aの凹部側壁42aに保護膜を形成する保護膜形成工程と、凹部側壁42aの保護膜に隣接した基材1の一部を隔壁12として残存させて、初期凹部4aに隣接する周回領域の基材1を深さ方向に異方性エッチングするエッチング工程と、残存した突起状の隔壁を酸化してシリコン酸化物を形成する突起状隔壁酸化工程と、酸化した突起状の隔壁を除去する突起状隔壁除去工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 透明媒体中の埋設路を利用する光学的測定を容易にする。
【解決手段】 本発明のある態様においては、少なくとも一部において外部と連通する埋設路110が内部に形成された透明媒体102と、埋設路110を囲む壁面の少なくとも一部に配置された透明被覆体120とを備えた光学デバイス100が提供される。ある典型的な透明被覆体120は、前駆体ゾルからゾルゲル法により形成された透明導電体であり、別の典型的な透明被覆体120は、透明媒体102より高い屈折率を有しているとともに、埋設路の内部に流体用通路130を残すように配置されている。 (もっと読む)


【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間(絶縁体層)で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板1は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部1aと、他方の面において、絶縁体層2における基板1の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部1bと、を有したものである。絶縁体層2は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板1の凹部1aの内部に形成されているものである。また、絶縁体層2の厚さは、2μmより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 (もっと読む)


【課題】小型化を図りながらも高出力化を図ることが可能な発電デバイスおよびそれを用いた発電モジュールを提供する。
【解決手段】発電デバイス1は、支持部11、支持部11に揺動自在に支持されたカンチレバー部12、およびカンチレバー部12における支持部11側とは反対の先端部に設けられた錘部13を有するデバイス基板10と、カンチレバー部12に設けられカンチレバー部12の振動に応じて交流電圧を発生する発電部20とを備えている。発電部20は、カンチレバー部12の厚み方向の一面側に形成された圧電体21と、圧電体21における錘部13側の側面に形成された電極23と、圧電体21における支持部11側の側面に形成された電極22とを備えている。要するに、発電部20は、互いに対向する2つ1組の電極22,23を有している。また、発電部20は、圧電体21の分極の向きが上記両側面のうちの一方から他方へ向う向きである。 (もっと読む)


【課題】高感度でありながら小型であり、かつ、製造コストも削減できる静電容量型MEMSセンサを提供すること。
【解決手段】静電容量型MEMSセンサの一例としての静電容量型マイクロフォン1は、互いに対向する第1電極部Xおよび第2電極部Yを有している。静電容量型マイクロフォン1は、第1電極部Xとしての側壁12を有する凹所9が厚さ方向に掘り込まれた半導体基板2と、凹所9の深さ方向に沿う姿勢で第1電極部Xに対向するように凹所9内に配置され、凹所9の底面から離隔した底面20Cを有し、半導体基板2の材料からなる第2電極部Yとしての膜20と、膜20を半導体基板2に結合する絶縁膜21とを含む。 (もっと読む)


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