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Fターム[3C081CA40]の内容

マイクロマシン (28,028) | プロセス (6,263) | 加工方法、手段 (4,742) | 改質、熱処理 (203)

Fターム[3C081CA40]に分類される特許

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【課題】樹脂と樹脂もしくは樹脂とガラス基板からなる2枚のワークを、接合の一様性を確保しつつ、アライメントずれや破損といった不具合が生じないように貼り合わせること。
【解決手段】第1のワークW1を反転ステージユニット30の反転ステージ31に載置し、第2のワークW2を加圧ステージユニット20のワークステージ21上に載置し、光照射ユニット10からUV光を照射する。次いで、反転ステージ31を180°反転させて、ワークステージ21上でワークW1,W2を重ね合わせ、ワークW1,W2を加圧して仮接合する。そして仮接合状態のワークを、搬送手段により加熱ステージに搬送し、加熱機構で加熱してワーク温度を所定温度まで昇温させて、接合が完了するまでをこの温度を維持する。 (もっと読む)


【課題】キャビティ、好ましくはMEMS又はNEMSデバイスが位置するキャビティを簡単な工程で封止するための方法を提供する。
【解決手段】薄膜層を犠牲層2上に堆積し、その後放出孔を薄膜層内でエッチングし放出工程を実施する。その際、少なくとも犠牲層の一部を放出孔を通じて除去し、キャビティを形成する。前記放出工程の前に狭窄層を放出孔の側壁に形成する。狭窄層を封止層5とする場合は封止層のリフローにより放出孔を閉鎖し、狭窄層が封止層でない場合には薄膜層上部に封止層を堆積し、直接封止層をリフローすることで放出孔を閉鎖する。 (もっと読む)


【課題】出力が大きく、かつ高い周波数で駆動するMEMS振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS振動子100は、基板10の表面11に固定された第1電極20と、第1電極20の第1面21と対向する第2面31を備えた梁部34、および梁部34を支持し基板10の表面11に固定された支持部32を有する第2電極30と、を含み、梁部34は、梁部34の第1面21の垂線Q方向の長さTが、梁部34の先端35に向かうにつれて単調に減少する第1部分36を有する。 (もっと読む)


【課題】振動系を有する基体上に絶縁層を介して導体パターンを設けた構成にいて、比較的簡単に、長寿命化を図ることができるアクチュエーター、アクチュエーターの製造方法、光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー1は、可動板21と、支持部22と、可動板21を支持部22に対して回動可能に連結する1対の連結部23、24とを備え、これらがシリコンで一体的に形成された板状の基体2と、基体2の板面上に設けられた絶縁層62と、絶縁層62の基体2とは反対側の面上に設けられた導体パターン8とを有し、絶縁層62は、基体2を平面視したときに、連結部23、24の縁部、および、可動板21および支持部22の縁部のうちの連結部23、24近傍部分を除くように設けられている。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスの製造方法において、封止用のキャビティ内の真空度を高めることを目的とする。
【解決手段】シリコンを含む第1の基板11の一方の主面11a側に可動部14aを形成する工程と、シリコンを含む第2の基板20の一方の主面20c側にキャビティ20bを形成する工程と、第1の基板11と第2の基板20の少なくとも一方の主面に、酸素及び窒素のいずれかの原子を含むプラズマを照射する工程と、プラズマを照射した後、キャビティ20bを可動部14aに対向させた状態で、第1の基板11と第2の基板20の各々の主面同士を真空中で接合することにより、キャビティ20b内を真空に保ちつつ、可動部14aを第2の基板20で封止する工程と、封止の後、シリコンと上記原子とが反応する温度以上の温度に第1の基板11と第2の基板20をアニールする工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 (もっと読む)


【課題】 基板とシート部材とによって構成される試料操作素子に対し、その操作構造での所望の領域を選択的に親水化処理することが可能な試料操作素子の表面処理方法、及び処理装置を提供する。
【解決手段】 下部基板12と、上部シート部材14とを有する試料操作素子10を載置するステージ20と、素子10にレーザ光Lを供給するレーザ光源30と、素子10に対し、シート部材14側からまたは基板12側から所定の照射光軸Axに沿って、シート部材と基板との間に形成された操作構造内にビームウエストが位置する集光条件でレーザ光Lを照射する集光光学系35とによって表面処理装置1Aを構成する。そして、試料操作素子10の操作構造内において、レーザ発生プラズマにより、シート部材14で操作構造を構成している凹状構造部の内側表面を親水化処理する。 (もっと読む)


【課題】加熱接合法を利用しても、梁構造体に歪みや変形が生じることを防ぐことができる、梁構造デバイスの製造方法の提供を図る。
【解決手段】犠牲層17を介して支持基板11に梁構造体16を積層して底面側積層体10を形成する。そして、予熱処理によって梁構造体16の結晶構造を安定化させる。その後、犠牲層17を除去して梁構造体16を支持基板11からリリースする。そして、天面側積層体20を底面側積層体10に対して加熱接合法により接合し、梁構造体16を底面側積層体10と天面側積層体20とによるパッケージ構造に内装する。 (もっと読む)


【課題】簡便な方法でありながら狭間隔へもガラスが埋め込まれやすくなるガラス埋込シリコン基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス埋込シリコン基板の製造方法は、シリコン基板10に凹部11を形成する工程と、凹部11に粉末状、ペースト状または前駆体溶液であるガラス材料20aを充填する工程と、ガラス材料20aを加熱して軟化させる工程と、軟化させたガラス材料20aを焼結させる工程と、凹部11にガラス材料20aが充填されたシリコン基板10の表裏面においてガラス材料20aとシリコン基板10とを露出させる工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】懸架された膜を含む弾性波共振器の製作方法を提供する。
【解決手段】第一の基板表面上にある第一圧電材料の少なくとも1つの層を含む第一の堆積を作るステップと、少なくとも1つの第二の基板を含む第二の堆積を作るステップと、次の接合ステップの前に、堆積のうちの一つの表面を、突き出たナノ構造物が局部的に与えられたままにしている、抑制された大きさの粒子の堆積又は生成により、少なくとも1つの非接合の開始領域を作るステップと、非接合の開始領域の存在に起因する、堆積同士の間に気泡を作り出す、2つの堆積をダイレクトボンディングするステップと、少なくとも第一の基板を除去するための、第一の堆積の薄層化ステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】マイクロ電気機械技術の成膜プロセス方法とその方法で製造された装置を提供する。
【解決手段】基板308に、電極310とその上に配置された接点302とを設けることができる。次に、二酸化ケイ素の層330を例えば蒸着によって成膜し、パターン化して電極310と接点302を包囲する。次いで、薄い接着層332、シード層334、及び金属層336を電気メッキによって成膜することができる次に、フォトレジストの層338を設け、パターン化し、その後金属、シード、及び接着層336、334、332をエッチングして梁304を形成した後、フォトレジストを除去する。最後に、二酸化ケイ素の層330を除去する。スイッチ構造体装置は、保護性のキャップ340により封入し気密に封止し得る。 (もっと読む)


【課題】サイズが小さく、大量に効果的に生産できる高感度圧力センサを製造するための方法を提供する。
【解決手段】第1のデバイスウエハーをエッチングされた第2のデバイスウエハーに接合して架設された構造を作る、センサー10を製作するための方法が、開示され、その構造のたわみは、第1のデバイスウエハーのデバイス層110に埋め込まれた相互接続部400を通じてセンサー10の外面と電気的に連通する埋め込まれた感知素子310によって決定される。架設された構造は、封鎖物500によって封入される。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止後に電子デバイス内に残留する脱ガスの量を低減すること。
【解決手段】基板20の上に下地膜21を形成する工程と、下地膜21の上に、感光性樹脂を露光及び現像してなる封止体25bを形成する工程と、封止体25bを加熱することにより、該封止体25bをキュアする工程と、基板1に形成されたスイッチ素子19に封止体25bを貼付することにより、封止体25bでスイッチ素子19を封止する工程と、封止の後、下地膜21を境にして封止体25bから基板1を剥離する工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 (もっと読む)


【課題】空洞内に位置する可動部を品質良く作動できる電子装置を提供する。
【解決手段】基板2上の側壁部23及び第1封止層30に覆われた空洞部33内に位置する可動部7bと、空洞部33内に設置され空洞部33内の気体を吸着する第1ゲッター部34及び第2ゲッター部35と、基板2と対向する場所に位置する第1封止層30及び第2封止層32と、を備え、第1封止層30は第1孔30a及び第2孔30bを有し、第2封止層32は第1孔30a及び第2孔30bを封止する。 (もっと読む)


【課題】MEMS構造体の可動部が固定部に密着するときにも可動部と固定部とを離すことができる電子装置を提供する。
【解決手段】基板2上の包囲壁26及び第1封止層33に覆われた空洞部36内に位置する可動部7bと、可動部7bと対向する場所に位置する第1封止層33と、を備え、可動部7bは基板2と第1封止層33との間に位置し、可動部7bと第1封止層33とは少なくとも一部が導電体である。 (もっと読む)


【課題】MEMS構造体が内在する空洞部を覆う被覆部の外にエッチング液が流出し難い構造の電子装置を提供する。
【解決手段】基板2上の空洞部33内に位置し電気駆動される振動素子5と、空洞部33の周囲を取り巻く絶縁層29と空洞部33とを画成する電気伝導性の包囲壁25と、振動素子5と接続し包囲壁25を貫通する第1配線8及び第2配線9と、を有し、第1配線8及び第2配線9が包囲壁25を貫通する場所には絶縁層29を溶解するエッチング液が空洞部33から絶縁層29に流動することを防止し包囲壁25と第1配線8及び第2配線9とを絶縁する第1耐食絶縁膜19及び第2耐食絶縁膜20を備える。 (もっと読む)


【課題】梁部に高い振動疲労特性と揺動部に高剛性を持たせつつ小型化された振動素子を提供する。
【解決手段】振動素子は、基体3と、前記基体3から梁状に設けられた梁部2と、前記梁部2の前記基体3側とは反対の側に設けられたミラー部4とを備え、前記揺動部4の少なくとも一部及び前記梁部2は金属ガラスで一体に形成される。次に、真空中でYAGレーザ10を振動素子のミラー部4に照射して局所的な構造緩和を行う。 (もっと読む)


【課題】マイクロチップの接合力と、マイクロチップの形状の維持とを両立することのできるマイクロチップの製造方法を提供する。
【解決手段】表面に流路用溝を有する樹脂製の基板と、流路用溝をカバーする樹脂製のカバー部材と、が熱接合されたマイクロチップの製造方法において、基板の表面から所定の深さより深い内部領域の密度、又は基板の表面から前記所定の深さ以内の表面領域の密度を均一にする処理工程を有する。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高く、安定した振動特性を有するMEMS振動子を提供する。
【解決手段】MEMS振動子100は、基板10と、基板10の上方に形成された第1電極20と、基板10の上方に形成された支持部30a、および支持部30aから延出し第1電極20と対向配置された梁部30bを有する第2電極30と、を含み、第1電極20は、平面視において第2電極30の外縁の外側に形成された第1側面22aと、平面視において第2電極30の外縁の内側に形成された第2側面22bと、を有し、第1側面22aは、基板10の上面10aに対して傾斜し、第2側面22bと第1電極20の上面22cとは、角部23を構成している。 (もっと読む)


【課題】ダイヤフラムの厚さのばらつきを抑制することのできる圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】異方性エッチングによって第1凹部13が形成された一面11を有する第1基板10と、第1凹部13が密閉空間となるように第1基板10の一面11に接合された一面21を有する第2基板20と、を備え、第1凹部13を測定媒体の圧力に応じて変形可能な側面を有するものとする。そして、第1基板10に、側面の変形に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗40を設ける。 (もっと読む)


【課題】トランスデューサーの製造コストを低減する。
【解決手段】ナノシートトランスデューサ(1)は、溝(100a)と前記溝によって互いに隔てられた電極支持部(101)と厚さ1μm未満のシート状の可撓電極(104)とが形成されたシリコンからなる基板(100)と、前記電極支持部上に形成された導電膜からなる固定電極(103)と、前記固定電極と前記電極支持部との間に形成された絶縁層(102)と、を備え、前記可撓電極は前記基板の主面に対して垂直である。 (もっと読む)


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