【課題】単結晶シリコン基板を用いた半導体装置を製造する際に、エッチング速度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコン基板１１０に対してレーザー光Ｌを照射して、そのレーザー光Ｌの焦点を移動させることによって、少なくとも一部が単結晶シリコン基板１１０の表面に露出するように単結晶シリコン基板１１０の内部を部分的に多結晶化して改質部１５０を形成する改質工程と、改質工程にて単結晶シリコン基板１１０を多結晶化した部位をエッチャントにて連続的にエッチングするエッチング工程とを備える半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来よりも分光帯域の広いファブリペロー干渉計及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１ミラー構造体と第２ミラー構造体とがギャップを介して対向配置されたファブリペロー干渉計であって、第１ミラー構造体を構成する第１ミラーと第１電極、及び、第２ミラー構造体を構成する第２ミラーと第２電極、の少なくとも一方が電気的に絶縁分離されている。また、電圧が印加されない初期状態で、第１電極を含む電気的に結合された部分と、第２電極を含む電気的に結合された部分との対向距離ｄｅｉが、第１ミラーと第２ミラーとの対向距離ｄｍｉよりも長くされている。 （もっと読む）

【課題】圧電層をＡｌＮ薄膜により構成する場合に比べて圧電定数ｅ_３１を大きくでき且つ圧電層をＰＺＴ薄膜により構成する場合に比べて、比誘電率を小さくできるとともに、より圧電定数ｅ_３１を大きくすることが可能な発電デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】素子形成用基板２０ａを用いて形成した振動子形成基板２０と、振動子形成基板２０の撓み部２２に形成され下部電極２４ａ、圧電層２４ｂ、上部電極２４ｃを有する発電部２４とを備え、圧電層２４ｂを、ＰＺＴとリラクサーペロブスカイトとからなる多成分ペロブスカイト構造を有する圧電薄膜（ＰＭＮ−ＰＺＴ薄膜）により構成してある。製造時、圧電層２４ｂをスパッタ法により形成する際は、素子形成用基板２０ａの温度を５００℃以上の規定温度として素子形成用基板２０ａの一表面側に圧電薄膜をヘテロエピタキシャル成長させた後、素子形成用基板２０ａを規定温度から急速冷却する。 （もっと読む）

【課題】接着力、観察性、無不純物、耐圧性の観点において実用性に優れた小型反応器を提供する。
【解決手段】
複数の無機透明基板１１〜１３を接着して小型反応器を製造する際に、各無機透明基板１１〜１３の互いに接触して接着される接着面１６〜１９を、先ず、研磨して平坦化した後、接着面１６〜１９の表面を部分的に加工する。次いで、接着面１６〜１９を親水化処理し、純水洗浄を行った後、遠心力によって純水膜を振り切って除去し、接着面同士を接着させた状態で加熱する。接着面間が酸素を介する化学結合によって接着され、複数の無機透明基板１１〜１３が強固に接着された小型反応器１、２が得られる。透明であるから反応が観察でき、強固であるから耐圧が高く、接着剤を使用しないから不純物の溶出がない。 （もっと読む）

【課題】微細構造体を高精度に製造する。
【解決手段】基板１１上に被陽極酸化金属膜２１を形成する工程（Ａ）と、被陽極酸化金属膜２１に、基板１１に形成する凹部１２のパターンに合わせたパターンで凹部２２を形成する工程（Ｂ）と、凹部２２のピッチに合ったピッチで微細孔２３が開孔する陽極酸化条件で被陽極酸化金属膜２１を部分的に陽極酸化して、微細孔膜部２４とバリア層部２５とからなる陽極酸化膜２６を形成する工程（Ｃ１）と、バリア層部２５において微細孔２３の下方に位置する部分をエッチング除去する工程（Ｄ）と、非陽極酸化部分２７において微細孔２３の下方に位置する部分をエッチング除去する工程（Ｅ）と、微細孔膜部２４をマスクとしてエッチングを行い、基板１１に凹部１２を形成する工程（Ｆ）と、陽極酸化膜２６と非陽極酸化部分２７とを除去する工程（Ｇ１）とを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】構造体の機械的な特性を保持しながら電気的な抵抗値を軽減し、優れた動作特性を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に形成された多結晶シリコンからなる固定電極１０と、シリコン基板１上に形成された窒化膜３と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置された多結晶シリコンからなる可動電極２０と、可動電極２０の周囲に形成され且つ固定電極１０の一部を覆うように形成された第１層間絶縁膜１３、第１配線層２３、第２層間絶縁膜１４、第２配線層２４、および保護膜１９がこの順に積層された配線積層部と、を有し、固定電極１０の前記配線積層部に覆われた部分がシリサイド化されてシリサイド部分２５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコンをエッチング液による侵食から保護するとともに、熱変形、剥がれ、シリコンの割れおよび不完全な侵食防止という不良の改善、製造工程の工数低減、作業性の改善およびコスト低減をすることができるシリコンデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】物理量を検出する素子またはシリコンを変形させる素子をシリコンの一方の面に形成し、シリコンの他方の面の一部および一方の面を保護膜で覆い、シリコンをエッチングするシリコンデバイスの製造方法において、保護膜に金属膜を用いてシリコンの他方の面の一部および一方の面を覆う第１工程(Ｓ１２０)と、金属膜を侵食しないエッチング液を用いてシリコンをエッチングする第２工程（Ｓ１３０）と、素子に接続される電極を金属膜から形成する第３工程（Ｓ１４０）とを有することを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】圧電膜の膜応力によるメンブレンの不均一な撓みが原因の圧電素子特性のばらつきを抑制し、圧電素子の感度や信頼性を向上させることが可能な圧電ＭＥＭＳ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電ＭＥＭＳ素子であって、基板の表面側に形成され、不純物がドープされており下部電極として機能する支持体１１１と、基板の裏面側に形成され支持体の下部に位置する裏面空洞１２１と、が設けられた基板１０１と、支持体１１１上に形成された圧電膜１１２と、圧電膜上に形成された上部電極１１３とを備える。支持体１１１は、少なくとも、第１の厚さを有する第１の支持体部分Ｍと、第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有する第２の支持体部分Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の方法は、より正確に画定された機械部材および／または電気機械部材を有するＭＥＭＳデバイスを製造するためのプロセスを提供する。
【解決手段】本発明の方法は、部分犠牲基板および支持基板を提供することにより始まる。結果として生じるＭＥＭＳデバイスの機械部材および／または電気機械部材を、支持基板上方に間隔を置いて配置するために、支持基板上にメサが形成される。部分犠牲基板ではなく支持基板上にメサを形成することにより、部分犠牲基板の内面がエッチングされずに平面のままで残るため、機械部材および／または電気機械部材を、部分犠牲基板からより正確に形成することができる。したがって、部分犠牲基板の平面の内面を通して溝を正確にエッチングして、ＭＥＭＳデバイスの機械部材および／または電気機械部材を画定することができる。 （もっと読む）

【課題】機械的強度が高く長期信頼性に優れていて、圧電アクチュエータの変位量とキャパシタの容量との関係が安定し、可変可能な容量の幅が広い圧電駆動型の可変キャパシタを提供可能とすること。
【解決手段】２以上の圧電体層のうち何れか一の外表面側に位置する圧電体層に分極処理を施し、その圧電体層の残留分極を制御することによって、平板状の形状を調節した圧電アクチュエータを、圧電駆動型の可変キャパシタの駆動部として用いる。 （もっと読む）

【課題】 特に、剥離応力を分散し最大剥離応力を低下させることが出来るＭＥＭＳセンサの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１シリコン基板１０の表面１０ａ側に有底の凹部１１を形成し、このとき、前記凹部１１の側壁１４に、開口側縁部１１ａから凹部１１の底面１１ｂ方向に向けて前記凹部１１の幅寸法を広げる方向へ後退する後退領域１４ａを設ける。続いて、第１シリコン基板１０の表面、あるいは前記第２基板の表面の少なくとも一方に酸化絶縁層を形成する。続いて、前記第１シリコン基板１０の表面と前記第２シリコン基板の表面とを接合し、前記凹部１１を閉鎖空間とした状態で、熱処理を施す。側壁１４の第２シリコン基板との接合側に後退領域１４ａを設けたことで、熱処理を施したときに凹部１１の縁部付近に加わる剥離応力を分散でき、最大剥離応力を低減できる。 （もっと読む）

【課題】備える機能素子を直接測定することなく、機能素子の寸法を精度よく測定することにより、機能素子の状態が把握されることができる電子装置を提供すること。
【解決手段】電子装置１は、基板２と、基板２上に配置され、固定電極３１および固定電極３１と空隙を隔てて対向配置された可動板３２２を備える可動電極３２を有する機能素子３と、基板２上に設けられ、機能素子３が配置された空洞部６を画成する素子周囲構造体５と、基板２上の空洞部６の外部に設けられ、固定電極３１に対応する第１の検査用膜４１と、可動電極３２に対応する第２の検査用膜４２とを有する検査体４とを有し、検査体４は、所定の部位の寸法が測定されることにより、機能素子３の所定の部位の寸法を求めるために用いられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電気信号により抵抗値を連続的に変化させることが可能な小型の可変抵抗を提供する。
【解決手段】 電極Ｂは電極Ｃと間隙を挟んで対向するように一端が固定されている。電極Ｃにおける電極Ｂとの対向面には複数の突起状の抵抗体ｒが面状に配列されている。電極Ｄは、電極Ｃとの間に絶縁層２０４を挟んで電極Ｃに固定されている。電極Ａは、電極Ｂとの間に絶縁層２０９を挟み、電極Ｄと対向している。電極ＡおよびＤ間には、制御電圧が与えられる。制御電圧を大きくすると、電極ＡおよびＤ間の吸引力が大きくなって電極Ｂが電極Ｃに向かって撓み、電極Ｂと電極Ｃの抵抗体ｒとの接触面積が増加し、電極ＢおよびＣ間の抵抗値が低下する。 （もっと読む）

【課題】機能素子の寸法を精度よく求めることができ、精度よく機能素子の周波数特性を推定することのできる機能素子の寸法の測定方法を提供すること。
【解決手段】 機能素子の寸法の測定方法は、基板２と、基板２上に設けられた固定電極３１および可動電極３２を有する機能素子３とを有する機能素子付き基板１に対し、機能素子３の寸法を測定する方法であって、固定電極３１の形成と同時に、固定電極３１と同様の方法で第１の検査用膜４１を形成する工程と、可動電極３２の形成と同時に、可動電極３２の形成と同様の方法で第２の検査用膜４２を形成する工程と、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２とからなる検査体４の所定の部位の寸法を測定する工程と、測定の結果から、機能素子３の所定の部位の寸法を求める工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体と半導体基板との間の寄生容量を低減させるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に絶縁層を介して形成された固定電極２０と可動電極２６とを有するＭＥＭＳ構造体３０が備えられたＭＥＭＳデバイス１であって、固定電極２０の下方の半導体基板１０にウェル１３が形成されており、固定電極２０に正の電圧が印加されウェル１３がｐ型ウェルである。そして、ウェル１３が空乏状態となるようにウェル１３には電圧が印加されている。この電圧はウェル１３が空乏状態を維持する電圧となっている。 （もっと読む）

【課題】固定電極に対する可動電極（可動部）の形成位置に関わらず、所望の振動特性を発揮することができるアクチュエータおよび電子装置を提供すること。
【解決手段】アクチュエータ１は、基板２と、基板２上に設けられた固定電極３と、可動電極４とを有している。可動電極４は、可動部４２と、可動部４２を支持する支持部４１と、可動部４２と支持部４１とを連結する連結部４３を有している。また、可動部４２は、連結部４３を介して支持部４１に片持ち支持されるとともに、固定電極３と空隙を隔てて対向配置されている。このような可動電極４には、可動電極４から固定電極３の連結部４３側の縁部の少なくとも一部が露出するように、開口５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 小型化可能で、特性のばらつきが少なく高精度なＭＥＭＳを製造する。
【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板の第一の主面から第一の不純物イオンを導入することによって環状の第一不純物拡散部を前記基板に形成し、前記第一の主面に第一の層を形成し、前記第一の主面の裏面に相当する前記基板の第二の主面から前記第一不純物拡散部に到達する環状溝を形成し、前記第一不純物拡散部を選択的に除去することによって環状の空洞を前記基板に形成する、ことを含み、前記環状の空洞と前記環状溝の形成に伴って、前記環状の空洞に囲まれた支柱部と、前記支柱部の一端に結合し前記第一の層によって少なくとも一部が構成される薄肉部と、前記環状溝の内側に位置し前記支柱部を介して前記薄肉部と連結され前記空洞を間に挟んで前記薄肉部と対向する錘部と、前記環状溝および前記薄肉部の外側に位置し前記薄肉部を支持する枠部と、が形成される。 （もっと読む）

【課題】 小型化可能で、特性のばらつきが少ない高精度なＭＥＭＳを製造する。
【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板の第一の主面の環状領域に複数の凹部を形成し、前記基板を非酸化性雰囲気中で熱処理することによって、前記複数の凹部から前記基板内に環状の空洞を形成するとともに、前記空洞によって隔てられた薄肉部と厚肉部と、前記空洞に囲まれ前記薄肉部と前記厚肉部とを連結している支柱部とを形成し、前記第一の主面の裏面に相当する前記基板の第二の主面から、前記空洞に到達する環状溝を形成することによって、前記環状溝の外側に位置し前記薄肉部と結合する枠部と前記環状溝の内側に位置し前記支柱部に結合する錘部とに前記厚肉部を分割する、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）式熱応動スイッチを提供する。
【解決手段】スイッチは、基板内にソースとドレインを有するＦＥＴと、基板から分離されている梁を含んでいる。梁は、ソースとドレインの上方に配置されており、所定の空隙によって離されている。熱的設定点に達すると、梁が動いてソースをドレインに電気的に接続する。 （もっと読む）

小さい流体体積を取り扱うための磁気的に駆動されるマイクロポンプ。マイクロポンプは第一のチャンバ及び第二のチャンバを含む。可撓性膜は第一のチャンバと第二のチャンバの間に配列される。可撓性膜は、膜を変位させるためのアクチュエータに磁気的に連結される。 （もっと読む）