【課題】微少量の流体(おもに液体)をマイクロポンプなどの送液手段を必要としないで、効率的に安定して供給でき、小型で一体構造内に複雑な３次元流路を簡便に作製できるマイクロ流体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】このマイクロ流体デバイス１は、積層されたシート状部材２〜５で構成され、各シート状部材２〜５は多孔質材に充填材が充填されて流体が透過できない流体非透過部２Ａ,２Ｂ,２Ｃ,３Ａ,３Ｂ,３Ｃ,４Ａ,４Ｂ,５Ａ,５Ｂと、多孔質材からなり流体が通過可能な領域である流路６〜１１とを有する。流路６〜１１が多孔質材で形成されているので、この流路の多孔質構造内の毛管流動によって流体が移動する。よって、気泡などによって流路が閉塞することなく、微少量の流体に対してもマイクロポンプなどの送液手段を必要としないで、効率的に安定して流体を搬送,供給することができる。 （もっと読む）

【課題】安価かつ簡便に、溝構造または中空構造を有する部材、特に微細な部材を製造する。
【解決手段】パターン形成された硬化性樹脂組成物のある基板上に、当該硬化性樹脂組成物とは違う組成の硬化性樹脂組成物を塗布し、パターンを形成し、その後、最初に形成した硬化性樹脂組成物パターンを溶剤によって除去することで、２番目の硬化性樹脂組成パターンを離型する。 （もっと読む）

本発明は、基板背面からアクセスされる、マイクロメカニカル技術によるメンブラン構造体の特に容易かつ低コストの方法を提案する。この方法はｐ型ドーピングされたＳｉ基板（１）から出発し、以下のプロセスステップを有する：すなわち、基板表面の、連続している少なくとも１つの格子状領域（２）をｎ型ドーピングするステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の下の基板領域（５）を多孔性にエッチングするステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の下の基板領域（５）内に空洞（７）を形成するステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）上に、第１の単結晶シリコンエピタキシャル層（８）を成長させるステップ、とを有している。本願発明は次のような特徴を有している。すなわち、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の少なくとも１つの開口部（６）を、開口部が成長する第１のエピタキシャル層（８）によって封鎖されず、空洞（７）へのアクセス開口部（９）を形成するように定め；空洞壁部上に酸化物層（１０）を形成し；空洞（７）への背面アクセス部（１３）を設け、ここで空洞壁部上の酸化物層（１０）を、エッチングストップ層として用い；酸化物層（１０）を空洞（７）の領域内で除去し、空洞（７）上に形成されているメンブラン構造体（１４）への背面アクセス部（１３）を生じさせる、ことを特徴とする。
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【課題】ピエゾ抵抗部とそのコンタクトホールとのアライメント精度を向上させる。
【解決手段】半導体層の表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層に複数のコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールが形成された前記絶縁層の表面に通孔を有する保護膜を形成し、前記通孔から露出している前記絶縁層を貫通させて前記半導体層に不純物を注入することにより複数の前記コンタクトホールの間にピエゾ抵抗部を形成する、ことを含むＭＥＭＳ製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスに温度補償用の温度センサを組み込む。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスは、シリコンサブアセンブリに接続されたシリコンピン１０８上に形成されたＰ−Ｎデバイス１１６を含み、このＰ−Ｎデバイスは、シリコンピンが第１ガラスウェーハの中に埋め込まれる前に、シリコンピンを製作するために使用されるシリコン基板の上に形成される。１つの実施形態では、Ｐ−Ｎデバイスを形成するステップは、不純物をシリコンピンの内部に選択的に拡散させるステップと、Ｐ−Ｎデバイスを温度センサとして動作するように構成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】内部に段差を有する高アスペクト比の凹部を高い加工精度で容易に形成することができるシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなる基材１に初期凹部４２を形成する初期凹部形成工程と、初期凹部４２の内側面４２ａの基材１を隔壁１ｗとして残存させた状態で、初期凹部４２及び初期凹部４２に隣接する周回領域４Ｅ１の基材１とを深さｄ１，ｄ２方向に異方性エッチングして、初期凹部４２を深さｄ２方向に掘り下げるとともに、周回領域４Ｅ１に初期凹部４２と深さｄ１の異なる初期凹部４１を形成するエッチング工程と、深さｄ１，ｄ２が異なる複数の初期凹部４１，４２の内表面４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂと隔壁１ｗとを酸化して酸化部Ｏｘを形成する凹部酸化工程と、酸化部Ｏｘを除去して凹部４の全体の形状を形成し、凹部４の内側に深さＤ１，Ｄ２方向の段差Ｇ１を形成する酸化部除去工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ミラーを有する片持ち梁を備えており、耐久性の高い光学素子及び光学装置を提供する。
【解決手段】 光学装置２は、光学素子４，６で構成されている。光学素子４は、基板１０と密着用膜１８と片持ち梁３０とを備える。片持ち梁３０は、密着用膜１８と反対側の面に成膜されたアルミニウム膜２６（反射面）を有する。片持ち梁３０は、外力が作用しない場合、内部応力によって密着用膜１８から大きく離反する屈曲形状をとっている。片持ち梁３０と密着用膜１８の間に外力を作用させた場合、片持ち梁３０の密着面２８と密着用膜１８の密着用基準平面２０とを密着させることができる。光学素子４は、外力を利用して形状を変化させることにより、光ビームの進行方向を切換えることができる。 （もっと読む）

【課題】有機物質ヒンジを用いたＡＶＣにおけるドリフトの原因が、リフロー後における有機物質の機械的、化学的または電気的不安定性にあると考え、リフロー後に更に有機物質を高温加熱（アニール処理）することによりＡＶＣの安定動作を実現できる安定化処理方法を提供する。有機物質を構成物質の少なくとも１つとして含むＭＥＭＳ素子を改良する。
【解決手段】有機物質を加熱による架橋の後にフッ化水素処理し、所定温度以上で所定時間以上アニール処理すること（とくに２００℃以上２５０℃以下で３時間以上アニール処理すること）により安定化させる。有機物質は、テトラメチルシロキサンジビニルベンゾシクロブテンを主成分とする。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗部の上に圧電層を備えるＭＥＭＳの電気的特性を向上させる。
【解決手段】半導体層に不純物を注入することにより前記半導体層にピエゾ抵抗部を形成し、前記半導体層の表面に結合している絶縁層の表面の平坦な領域に下層電極となる導電層を形成し、前記下層電極となる導電層の表面の平坦な領域に圧電層を形成し、前記圧電層の表面に上層電極となる導電層を形成し、前記下層電極となる導電層と前記圧電層と前記上層電極となる導電層とをエッチングすることにより圧電素子を形成する、ことを含むＭＥＭＳ製造方法。
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【課題】ＭＥＭＳの特性を均一化する。
【解決手段】梁部と錘部と接続部とを備え前記接続部によって前記梁部に前記錘部が接続されているＭＥＭＳの製造方法であって、バルク材からなり前記錘部となる基部の平坦面に形成され前記基部を残してエッチング可能な材料からなる犠牲層に、前記基部を露出させる通孔を形成し、前記犠牲層とともにエッチングされない材料の堆積によって前記通孔内に前記接続部の少なくとも表層を形成し、前記基部の前記通孔を囲む位置に前記犠牲層を露出させる環状溝を形成し、前記環状溝から露出している前記犠牲層を等方性エッチングによって除去することを含み、前記接続部の表層となる材料の堆積によって前記犠牲層の上において前記梁部と前記接続部と前記錘部とが一体となる。 （もっと読む）

本発明はマイクロ流体チャネルが備えられたマイクロ流体回路素子に関するものであって、マイクロ流体チャネルの両側面にマイクロ流体チャネルの中央部の高さより低い高さのナノ隙間を備えることによって、マイクロ流体チャネルの駆動力を向上させることができ、安定した流体の流れを得ることができる。
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複数の低次元構造体を有する構造体を製造する方法であって、２つ以上の低次元構造体を基板に接続させるフレキシブル素子（１ｂ、１４）を設けるステップを含む。フレキシブル素子によって、低次元構造体は、例えば、基板に対して略平行になるように再配向する。それに加えて、またはそれの代わりに、フレキシブル素子によって、互いに並んでいない低次元構造体は、同じ方向に配列する。
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マイクロ構造（１００）を作製するための方法が提案される。この方法は、主面を有するシリコン基板（１０２）を設けるステップで始まる。次に、主面からシリコン基板の中へ延びる多孔質シリコン層（１０３）が形成される。この方法は、多孔質シリコン層を選択的にエッチングすることによって継続し、多孔質シリコンの突出マイクロ素子（１１２）のセットを得る。各突出マイクロ素子は、シリコン基板（１０６）の残りの部分から突き出し、それによって、対応する外面を露出させる。次に、突出マイクロ素子を処理して、対応する導電性（１１５）または絶縁性（１１５’）マイクロ素子のセットを得る。各導電性または絶縁性マイクロ素子は、（対応する突出素子の中へ外面から延びる）多孔質シリコンの少なくとも主要部分を多孔質金属またはセラミックスにそれぞれ変換することによって得られる。 （もっと読む）

自己組織化ブロック共重合体を使用して、改良された長距離秩序を有する、ポリマーマトリクスにおけるナノスケールの交互ラメラもしくは円筒のアレイを作製するための方法、ならびに、これらの方法から形成される膜およびデバイスが提供される。
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【課題】両面が滑らかな曲面からなるコルゲート部を形成することが可能なコルゲート部を備えた構造体の製造方法およびＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板１の一表面側に形成するコルゲート部４の曲面形状に応じて半導体基板１との接触パターンを設計した陽極２を半導体基板１の他表面側に形成する陽極形成工程と、陽極２と電解液中で半導体基板１の上記一表面側に配置される陰極との間に通電して多孔質部３を形成する陽極酸化工程と、多孔質部３を選択的にエッチング除去することにより上記曲面形状に対応する曲面１ｃを形成する曲面形成工程と、半導体基板１の上記一表面側にコルゲート部４の基礎となるコルゲート部材料層４ａを形成するコルゲート部材料層形成工程と、半導体基板１におけるコルゲート部材料層４ａの周囲の不要部を選択的にエッチング除去することでコルゲート部４を形成する選択エッチング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】単一のシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェハからＭＥＭＳ装置を製造する方法の提供。
【解決手段】ＳＯＩウェハ２０は、シリコン（Ｓｉ）ハンドル層２８、Ｓｉ機構層２４、およびＳｉハンドル層とＳｉ機構層との間に位置する絶縁層２６を含む。Ｓｉ機構層から活動部品をエッチングする工程を含む。その後、露出されたＳｉ機構層の表面にボロンがドープされる。次に、Ｓｉ機構層のエッチングされた活動部品の近くの絶縁層の一部が取り除かれ、エッチングされた活動部品の近くのＳｉハンドル層が、エッチングされる。 （もっと読む）

【課題】外部への熱の影響を抑制しながら高効率の触媒反応を可能とする信頼性の高いマイクロリアクターを簡便に製造するための方法を提供する。
【解決手段】マイクロリアクター１を、真空筐体２と、この真空筐体内の真空密閉キャビティ３内に配設されたマイクロリアクター本体４とを備えるものとし、筐体用部材作製工程では、筐体を構成するための複数の筐体用部材２Ａ，２Ｂを作製し、穿設工程では筐体用部材２Ｂに排気用孔部２ｂを形成し、接合工程では、マイクロリアクター本体４を筐体用部材に装着し、複数の筐体用部材を接合して筐体２を作製し、気密検査工程では、排気用孔部２ｂを除く筐体２についてリークの有無を検査し、脱ガス工程では、真空チャンバー２１内に筐体２を載置して前記筐体に脱ガス処理を施し、閉塞工程では、真空チャンバー内で排気用孔部２ｂを閉塞して、筐体２内に真空密閉キャビティ３を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造中に可動部が他の部分と接触することを抑止する方法を提案する。
【解決手段】小型機械装置および／またはナノ機械装置１００を製作する方法であって、第１の層１０６と基板１０２の間に配置された犠牲層１０４を部分的にエッチングして少なくとも一つのキャビティ１１０を形成し、犠牲層の少なくとも一つの部分１１２を配置するステップと、キャビティに前記第１の層の少なくとも一つの壁および／または前記基板に熱酸化によって酸化層１１４を形成し少なくとも一つの停止部１１６，１１８を区画するステップと、前記犠牲層１０４の部分と前記熱酸化された前記第１の層の壁および／または前記基板とを除去するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の改質方法と比較して、より簡単および安定的に表面処理の効果や持続性を向上させる基板の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被加工物に集束イオンビームを選択的に照射することにより該被加工物のあらかじめ決められた領域に表面改質部を形成する表面改質方法であって、該集束イオンビームの照射は表面改質用ガスの雰囲気中においてなされ、および該集束イオンビームの照射によって該表面改質用ガスの成分を該被加工物の内部に導入することを特徴とする表面改質方法。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械装置の特性向上および製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】微小電気機械装置を、半導体層(1)と、前記半導体層中のチャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域(13)と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜(19)と、前記ゲート絶縁膜上に形成された空洞(15a)と、前記空洞上に形成されたゲート電極(17)と、を有し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜と接触するよう可動に構成され、前記ゲート電極上に加わる力を、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との接触面積により検出するように構成する。このように、上記接触面積によりゲート電極上に加わる力を検出することができる。また、一時的なＦＥＴ構造を利用することにより、装置および製造工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）