【課題】少なくとも１つが単結晶半導体からなる数層によって形成される活性部を備える構造を形成する、ＳＯＩ基板を用いるよりも低コストであり、より速い方法を提供すること。
【解決手段】第１の単結晶シリコン基板から少なくとも２つの層を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、ａ）第１の基板に少なくとも１つの多孔質シリコン領域を形成する段階、ｂ）第１の基板の表面全体及び多孔質シリコン領域の表面に単結晶シリコン層をエピタキシャル成長成膜させる段階、ｃ）多孔質シリコン領域にエピタキシャル成長された単結晶層を加工して第１の懸架領域を形成する段階、ｄ）多孔質シリコンを除去または酸化する段階、ｇ）シリコンに対して選択的な犠牲層を成膜する段階、ｆ）第１の基板を加工する段階、及びｇ）犠牲層を除去することによって懸架領域をリリースする段階を備える方法である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第１工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第２工程と、前駆体組成物層を８０℃〜２００℃の範囲内にある第１温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第３工程と、前駆体組成物層を８０℃〜３００℃の範囲内にある第２温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第４工程と、前駆体組成物層を第２温度よりも高い第３温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第５工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】梁部が疲労破壊することを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０の上方に配置された窒化シリコン層３０と、窒化シリコン層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、シリコン基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５４、および窒化シリコン層３０の上方に配置され、梁部５４を支持する支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、第１電極４０および第２電極５０の材質は、導電性を有する単結晶シリコンである。 （もっと読む）

【課題】ナノインプリントプロセス法において、中間スタンパを用いて光硬化性樹脂に微細な凹凸パターンを形成する方法であって、その中間スタンパと、微細な凹凸パターンが転写された光硬化性樹脂との離型性が向上された方法及びそれに用いる装置を提供する。
【解決手段】加圧により変形可能な光硬化性組成物からなる光硬化性転写層３１を有する光硬化性転写シート３０の転写層３１に、表面に微細な凹凸パターンを有する金型３４の当該凹凸パターンを転写し、転写層３１に微細な反転凹凸パターンを形成する工程、及び前記反転凹凸パターンを基板４０上に形成された光硬化性樹脂組成物からなる光硬化性樹脂層４１に転写し、光硬化性樹脂層４１に金型３４と同一の凹凸パターンを形成する工程、を含む凹凸パターンの形成方法において、前記反転凹凸パターンが形成された転写層３１ｃに対してＵＶオゾン処理を行うことを特徴とする凹凸パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】ねじり振動と別の振動モードが励振されることを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、ねじり振動する可動電極３０と、可動電極３０と間隙を介して形成された第１固定電極４０および第２固定電極５０と、を含み、可動電極３０は、第１面３２と、第１面３２に接続され互いに反対を向く第２面３４および第３面３６と、を有し、第１固定電極４０は、第１面３２と対向する第４面４２と、第２面３４と対向する第５面４４と、を有し、第２固定電極５０は、第１面３２と対向する第６面５２と、第３面３６と対向する第７面５４と、を有し、第２面３４と第５面４４との間隔Ｄ２は、第１面３２と第４面４２との間隔Ｄ１よりも大きく、第３面３６と第７面５４との間隔Ｄ４は、第１面３２と第６面５２との間隔Ｄ３よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより金属酸化物又は金属となる液体材料を準備する第１工程と、基材上に液体材料を塗布することにより金属酸化物又は金属の前駆体組成物からなる前駆体組成物層を形成する第２工程と、前駆体組成物層に対して凹凸型を用いて型押し加工を施すことにより前駆体組成物層に残膜を含む型押し構造を形成する第３工程と、型押し構造が形成された前駆体組成物層に対して大気圧プラズマ又は減圧プラズマによるアッシング処理を施すことにより残膜を処理する第４工程と、前駆体組成物層を熱処理することにより、前駆体組成物層から金属酸化物又は金属からなる型押し構造体を形成する第５工程とをこの順序で含む型押し構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】形状精度が高い微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る微細構造体の製造方法は、被加工材上に、開口部が形成され、上面が親水性であり前記開口部の側面が疎水性であるガイド膜を形成する工程と、疎水性部分及び親水性部分を含み、前記疎水性部分の長さが前記親水性部分の長さよりも長い両親媒性高分子を含有した溶液を、前記被加工材及び前記ガイド膜に被着させ、前記溶液を前記疎水性部分が集合した疎水性ブロックと前記親水性部分が集合した親水性ブロックとに分離させ、前記溶液を固化させて固化膜を形成する工程と、前記固化膜から前記親水性ブロックを除去することにより、マスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして前記被加工材に対して処理を施す工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造効率性の低下を抑え、かつ反射膜の劣化を防止可能な干渉フィルターの製造方法を提供する。
【解決手段】波長可変干渉フィルター５の製造方法は、固定基板５１に固定反射膜５４と第一接合膜５３１とを成膜して、固定基板５１を形成する第一基板形成工程と、可動基板５２に可動反射膜５５と、第二接合膜５３２とを成膜して、可動基板５２を形成する第二基板形成工程と、第一接合膜５３１及び第二接合膜５３２を接合することで、固定基板５１及び可動基板５２を接合する接合工程と、を備え、第一接合膜５３１及び第二接合膜５３２は、シロキサンを含有し、接合工程は、第一接合膜５３１及び第二接合膜５３２に対して、Ｎ_２プラズマ処理またはＡｒプラズマ処理を行って表面を活性化させた後、これらの第一接合膜５３１及び第二接合膜５３２をシロキサン結合により接合する。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した物理量センサー素子、物理量センサー素子を備える物理量センサー、および、物理量センサー素子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、絶縁基板２と、絶縁基板２の上方に設けられている可動部３３と、可動部３３に設けられている可動電極指３６１〜３６５、３７１〜３７５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ可動電極指３６１〜３６５、３７１〜３７５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８、３９１〜３９８と、を含み、絶縁基板２には、配線４１、４２、４３を有する凹部２２、２３、２４が設けられ、平面視で配線４１、４２、４３と重なる位置の素子片３に凸部４７１、４７２、４８１、４８２、５０が設けられ、配線４１、４２、４３と凸部４７１、４７２、４８１、４８２、５０とが接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一体化されたＭＥＭＳおよび半導体電気回路センサを提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサであって、第一の層と、基層と、該第一の層と該基層との間に配置された第一の絶縁層と、該第一の層と該基層と該第一の絶縁層のうちの任意の層に形成された空洞であって、該第一の層は半導体電気回路の基板であり、アクティブなＭＥＭＳ要素として存在する、空洞とを備えている、ＭＥＭＳセンサ。本発明の一実施形態において、上記第一の層内にインプラントエリアがさらに備えられ得る。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化、高コスト化することなく、共振周波数の変動を低減したＭＥＭＳ共振器を提供する。
【解決手段】静電力が印加されると機械的に振動する梁状の振動子１０１と、前記振動子１０１を振動可能に支持する支持部と、空隙１０３を介して前記振動子１０１と対向する面を有する少なくとも１つの電極１０２とを有し、前記振動子１０１の振動により発生する電流を前記振動子１０１又は前記少なくとも１つの電極１０２に接続された出力端子を介して出力するＭＥＭＳ共振器２００であって、前記振動子は前記梁の長手軸を中心としたねじり共振モードで振動を行い、前記振動子１０１および前記電極１０２の互いに対向する面は、互いに異なる導電型の半導体からなり、前記振動子１０１において、前記電極１０２に対向する面を含む表面部分１１１は、他の部分より高い密度で不純物がドープされている。 （もっと読む）

【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第１ドーピング領域２０と、該第１ドーピング領域２０と反対の型のドーピング領域であり、第１振動部分３２を含む第２ドーピング領域３０と、該第１ドーピング領域と該第１振動部分３２との間に備えられた、空間６０と、を備えるトランスデューサ。第１及び第２ドーピング領域２０，３０は、一体である。第１振動部分は複数の貫通ホール４０を含み、振動部分上に貫通ホール４０を密封する物質膜５０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法に係り、該エネルギー変換素子は、複数のドーピング領域を含むモノリシック単結晶シリコン層、単結晶シリコン層に内在し、複数のドーピング領域のうち１つのドーピング領域３０にのみ連結された振動体３２、３４、振動体３２、３４に印加される入力信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第１ダイオード）、及び振動体３２、３４から出力される信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第２ダイオード）を含み、単結晶シリコン層は、内部に密閉された空間６０を含み、振動体３２、３４は、空間６０に備えられてもよい。 （もっと読む）

【課題】振動系を有する基体上に導体パターンを設けた構成にいて、比較的簡単に、長寿命化を図ることができるアクチュエーター、アクチュエーターの製造方法、光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー（アクチュエーター）１の製造方法は、基板をエッチングした後に平坦化処理することにより、所定の軸まわりに回動可能な可動部と、前記可動部に連結された連結部と、前記連結部を支持する支持部とを有する基体を形成する第１の工程と、基体上に絶縁層を形成する第２の工程と、基体の一方の面の絶縁層上に導電性を有する導体部を形成する第３の工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、周波数特性の管理が容易なＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部３２、および梁部３２を支持する支持部３４を有する第２電極３０と、を含み、第１電極２０の側面２２は、第１電極２０の上面２１に接続された第１面２２ａと、第１面２２ａおよび基板１０の上面１１に接続された第２面２２ｂと、を有し、第１面２２ａは、基板１０の上面１１に対して傾斜し、基板１０の上面１１に対する第１面２２ａの角度は、第１角度αであり、基板１０の上面１１に対する第２面２２ｂの角度は、第１角度αよりも大きい第２角度βである。 （もっと読む）

【課題】振動系を有する基体上に導体パターンを設けた構成において、比較的簡単に、長寿命化を図ることができるアクチュエーターの製造方法、アクチュエーター、光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー１の製造方法は、基板をエッチングした後に平坦化処理することにより、所定の軸まわりに回動可能な可動部、可動部に連結された連結部、連結部を支持する支持部、可動部および連結部に対して基板を貫通する貫通孔２２５を介して離間するとともに支持部に対して構造的な強度が前記支持部よりも弱い脆弱部を介して接続された除去可能な除去部２６、を含む基体３０２を形成する第１の工程と、基体３０２の上方に導体パターン８を形成する第２の工程と、除去部２６を除去する第３の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】応力が過度に集中する鋭角な部分や直角な部分が形成されていない断面形状を有するマイクロ流路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ流路基板１０は、内部にマイクロ流路１１が設けられたマイクロ流路本体１５を備え、マイクロ流路１１の天井部とマイクロ流路１１の内側壁が交わる第１の角部１６、およびマイクロ流路１１の底部と内側壁が交わる第２の角部１７が曲面をなしていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロシステムおよび／またはナノシステムタイプの新規作製方法、ならびに新規構造体を提供すること。
【解決手段】下部電極と呼ばれる少なくとも１つの電極（１０２）、および少なくとも１つの誘電体層（１０３）を含む第１の基板（１００）と、
可動部分（２１０）を含めた、デバイスのメイン平面と呼ばれる平面全体に延在する中間基板（２００’）と、
中間基板（２００’）に付着された上部基板（３００）であって、前記可動部分が下部電極と上部基板との間を移動することができる、上部基板と
を含む、マイクロシステムおよび／またはナノシステムタイプのデバイスについて記載されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスとの熱膨張の整合がよくとれた基板を有する構造の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングされたエッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩ方法はＳＯＩウェハ４０を含み、該ＳＯＩウェハ４０は、ハンドル・レイヤ４６、二酸化ケイ素からなる誘電体レイヤ４４、及びデバイスレイヤ４２を有する。ＳＯＩウェハ４０のデバイスレイヤ４２をメサ・エッチングによってパターン形成した後、該ＳＯＩウェハ４０を、パターン形成されたデバイスレイヤを有する別の基板にボンディングする。その後、ＳＯＩウェハ４０のハンドル・レイヤ４６、及び誘電体レイヤ４４をエッチングによって除去される。さらに、デバイスレイヤ４２をエッチングしてＭＥＭＳ装置を形成する。このＢＥＳＯＩ方法では、二酸化ケイ素誘電体レイヤ４４が除去された後に構造エッチングが実行される。 （もっと読む）

【課題】圧力センサなどのデバイスの製造工程中に空洞内の上下のシリコン面の固着がない半導体基板およびその製造方法を提供する。また、精度良い小型のダイアグラムを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＮ構造１０１のダイアフラム１００を有するシリコン基板１およびその製造方法において、ＳＯＮ構造１０１を構成する空洞２内の下側のシリコン面３に凸状の島４を形成する。半導体基板の表面に深さの異なるホール群を形成し、高温アニール処理することにより一つの大きな空洞を形成する。 （もっと読む）