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Fターム[3C081DA22]の内容

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Fターム[3C081DA22]に分類される特許

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【課題】捩り撓みヒンジで連結されて相対的に回転する微細加工部材の改良された構造体を提供する。
【解決手段】基準フレームを動的プレート58に連結し、フレームを捩りバーでではなく、折返し捩り撓みヒンジ96でプレート58に連結する。そして、折返し捩り撓みヒンジ96はプレート58をフレーム側から支持するもので、3つの基本ヒンジ素子102a、102b、102cから成り、各基本ヒンジ素子102a、102b、102cの縦軸98の向きは、プレート58の回転軸62に垂直ではなく、折返し捩り撓みヒンジ96の中間部104が、基本ヒンジ素子102a、102b、102cの直隣接端106を相互に連結し、基本ヒンジ素子102bは、フレームに対して、軸62を中心とするプレート58の角回転を測定する捩りセンサ108を備えるように構成する。 (もっと読む)


【課題】少なくとも1つのパケットに対して汚染なしに化学的または物理的処理を行うためのマイクロ流体デバイスおよび方法を提供する。
【解決手段】マイクロ流体デバイス1において、該デバイスが、軸Xを有するマイクロチャネル2、および下記の少なくとも1つを含むパケット操作手段を含むところのデバイス、発電ユニット9、および上記発電ユニット9に連結されかつ、上記マイクロチャネルの少なくとも一部分の内部に、上記マイクロチャネルの軸Xと実質的に共線的である電場を作るように構成された電極アッセンブリ3、ここで、上記発電ユニット9は、マイクロチャネルにおいて少なくとも1つのパケットを変形させるまたは少なくとも2つのパケットを互いの方に移動させるような振幅および周波数を有する電場を発生させることができる。 (もっと読む)


【課題】真空の空洞内にMEMS構造体が封止されたMEMS素子において、封止の気密性が長期間安定に保持されるようにする。
【解決手段】MEMS構造体201が、基板301および積層構造体120により、空洞110内に気密封止されているMEMS素子500において、積層構造体120を構成する、2つの層の間に界面封止層101、102、103を設けて、気体が基板301の表面と平行な方向において、2つの層の界面を通過して空洞110内に侵入することを抑制する。 (もっと読む)


【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第1ドーピング領域20と、該第1ドーピング領域20と反対の型のドーピング領域であり、第1振動部分32を含む第2ドーピング領域30と、該第1ドーピング領域と該第1振動部分32との間に備えられた、空間60と、を備えるトランスデューサ。第1及び第2ドーピング領域20,30は、一体である。第1振動部分は複数の貫通ホール40を含み、振動部分上に貫通ホール40を密封する物質膜50が備えられる。 (もっと読む)


【解決課題】特殊な技術や装置を必要とせず、接合の際に電気的な接続を歩留まりよく確立可能な、パッケージされたデバイス及びパッケージング方法並びにそれに用いられるパッケージ材の製造方法を提供する。
【解決手段】電子回路、MEMSその他のデバイスを搭載したデバイス基板10と、ビア配線21を配設してかつキャビティ22を有するパッケージ材20とを接合して成る。ビア配線21と一体化した接続用バンプ24がキャビティ22内に突出しており、かつデバイスに接続された配線接続用パッド12が接続用バンプ24と対向して接続していることにより、接続用バンプ24を経由してデバイスがビア配線21に配線接続している。 (もっと読む)


【課題】密閉キャビティ形成のためのフリップチップハイブリダイゼーション方法、およびこのような方法によって得られるシステムを提供する。
【解決手段】一方が他方の上に置かれ、その間に充填材料に埋め込まれた少なくとも1つの密閉キャビティが形成される、少なくとも1つの第1および第2マイクロ電子部品を含むマイクロ電子アセンブリの製造方法であって、側壁を用いてキャビティを規定する段階と、側壁と共同して充填材料に対するバイパスダクトを形成できる妨害物を形成する段階と、前記第1部品および前記第2部品のフリップチップハイブリダイゼーションを実施する段階と、前記2つのハイブリッド化部品の間に液体形態の充填材料を注入する段階と、を含む、マイクロ電子アセンブリの製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は三次元構造体の製造効率の低下を招くことなく、電極パッドをシリコン基板に形成可能な三次元構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の三次元構造体の製造方法は、シリコン基板T、B、Hを用いて形成された三次元微細構造体の電極パッド16P3、16P4の形成領域16P3’、16P4’に金Auを堆積させる金属堆積工程と、シリコン基板T、B、Hを熱により酸化させて金Auの形成領域以外の表面にシリコンの酸化膜SiO2を形成する酸化膜形成工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】製造コストの低減できる微細構造体の液体封入パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に形成された微細構造体2の少なくとも一部を液体3で被覆し、この少なくとも液体3の表面を被覆する封止膜4を形成することによって、微細構造体2の液体封入パッケージを製造する。これにより、低圧環境下において液体3のハンドリングする必要がなくなり、結果として、製造工程が簡便となるために製造コストを低減させることができる。 (もっと読む)


【課題】ミラー基板の高剛性化と軽量化を同時に実現できる電磁型マイクロミラー装置を提供する。
【解決手段】電磁型マイクロミラー装置1は、ミラー基板2と、ミラー基板2を往復振動させるための駆動手段とを備えている。ミラー基板2の表面2aには、光ビームを反射するためのミラーが形成されている。ミラー基板2の裏面2bには、構造補強材10が形成されている。この構造補強材10は三次元規則配列多孔体から構成され、構造補強材10中には磁性材料が含まれている。 (もっと読む)


【課題】コントラストの改善を図ることが可能であり、製造が容易なアパーチャープレートを提供すること。
【解決手段】本発明の表示装置においては、(A)透光性の基板130上に金属層132を形成し、(B)金属層132上に開口パターンが形成されたレジストマスク136を設け、この状態で金属層132の露出部分をエッチングして開口部126を形成し、(C)その後レジストマスク136を除去し、(D)金属層132の表面及び開口部126の側壁面を酸化して金属の酸化物層134を形成することにより、アパーチャープレートの表裏の反射率を異ならせる。酸化物層134は、レジストマスク136をアッシングするときに、レジスト除去と同時に形成することができる。 (もっと読む)


【課題】この発明は、段差などを設けて勘合部保護を行い、気密封止性能が得られるセンサー素子を提供するものである。
【解決手段】主面上にダイヤフラムが構成される第1の基材と、前記第1の基材の反ダイヤフラム面側に配設される第2の基材と、前記第1の基材の前記ダイヤフラム直下に設けられるキャビティと、前記キャビティを気密封止するため前記第1の基材と前記第2の基材との接合位置に設けられる勘合部と、前記勘合部に設けられ、前記第1の基材と前記第2の基材との勘合状態を保護する段差部とを備えたものである。 (もっと読む)


【課題】キャビティ、好ましくはMEMS又はNEMSデバイスが位置するキャビティを簡単な工程で封止するための方法を提供する。
【解決手段】薄膜層を犠牲層2上に堆積し、その後放出孔を薄膜層内でエッチングし放出工程を実施する。その際、少なくとも犠牲層の一部を放出孔を通じて除去し、キャビティを形成する。前記放出工程の前に狭窄層を放出孔の側壁に形成する。狭窄層を封止層5とする場合は封止層のリフローにより放出孔を閉鎖し、狭窄層が封止層でない場合には薄膜層上部に封止層を堆積し、直接封止層をリフローすることで放出孔を閉鎖する。 (もっと読む)


【課題】マイクロ電気機械システムマイクを提供する。
【解決手段】 基板21は第一チャンバー21aを有する。マイクロ電気機械システム部品エリア22は、基板21の上方に位置し、かつ金属層22a、スルーホール層22b、絶縁材エリア22cおよび第二チャンバー22dを有する。遮蔽層23は、マイクロ電気機械システム部品エリア22の上方に位置する。第一キャップ25は、遮蔽層23の上方に固定され、かつ第二チャンバー22dに繋がる少なくとも一つの開口部を有する。第二キャップ26は基板21の下方に固定される。 (もっと読む)


【課題】低コストのマイクロ電気機械システムセンサを提供する。
【解決手段】マイクロ電気機械システムセンサ20は、基板21、基板21に位置するマイクロ電気機械システム部品エリア27、薄膜層29、接着層22、および、複数のSi貫通電極26を備える。基板21は、第一表面211および第二表面212、ならびにマイクロ電気機械システム部品エリア27を有する。薄膜層29は、マイクロ電気機械システム部品エリア27に被さってチャンバを密閉することによって密閉空間を形成する。キャップ24は、接着層22によってマイクロ電気機械システム部品エリア27に固着する。複数のSi貫通電極26は、第二表面212まで伸びるようにマイクロ電気機械システム部品エリア27に電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】機械構造及びこれらの機械構造を基板に固定するためのアンカーを含むMEMS装置及びその製造技術を提供する。
【解決手段】アンカー30a、30b、30cは、機械構造20a、20b、20cの解放プロセスによる影響を比較的受け難い材料で形成される。エッチング解放プロセスは、機械構造20a、20b、20cをアンカー30a、30b、30cを構成する材料に固定する材料に対し、選択的又は優先的である。更に、アンカー30a、30b、30cは、絶縁層の除去が機械構造20a、20b、20cの基板14に対する固定にほとんど又は全く影響を及ぼさないように基板14に固定される。 (もっと読む)


【課題】機能部を有する機能性素子が配線基板上に搭載されるとともに、少なくとも配線基板と機能性素子との接合部を保護するための封止層が設けられている電子部品において、封止層の機能部への侵入を防止し、当該機能部が動作できるような空間を、電子部品のサイズを大型化させることなく、また工程数を増大させることなく形成する。
【解決方法】配線基板の導電層における非接続領域を保護するための保護層を、前記配線基板の主面上において、前記配線基板上に搭載した機能性素子と相対向する位置であって、その機能部と相対向する位置を除く領域にまで延在させ、封止層を配線基板と機能性素子との接合部から前記機能性素子の前記機能部にまで延在させることなく、前記配線基板の前記主面と前記機能部との間に空隙を形成するようにして、電子部品を構成する。 (もっと読む)


【課題】微細加工デバイスの素子間を絶縁するための装置および方法を提供すること。
【解決手段】一実施形態では、微細加工デバイスは、基層と、微細加工の熱的素子と、微細加工の熱的素子に接触して、基層上の微細加工の熱的素子を支持する非犠牲エーロゲル層とを備える。非犠牲エーロゲル層は、微細加工の熱的素子と基層の間に、熱的絶縁、電気的絶縁、または音響絶縁のうち少なくとも1つをもたらすように配置される。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止による気密性を高めること。
【解決手段】SOI基板1にカンチレバー(可動部分)4xを形成する工程と、カンチレバー4xの上方に、隙間gにより互いに分離された複数の電極膜25A、25B、25C、25G、25を形成する工程と、電極膜25A、25B、25C、25G、25の上に第1の保護膜31を形成する工程と、第1の保護膜31の上に、該第1の保護膜31よりも段差被覆性の良い第2の保護膜32を形成することにより、第2の保護膜32で隙間gを塞ぐ工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 (もっと読む)


【課題】高粘度流体や異粘性流体均一に混合でき、酸性溶液等を流通させた場合でも腐食が起こりにくいマイクロミキサーの提供。
【解決手段】第一の微小管状流路を有するプレート5に第二の流体を流通する第二の微小管状流路を有するプレート7が積層した積層部11と、第一の微小管状流路の出口と第二の微小管状流路の出口とに通じ、流体が混合する混合部とを有し、プレートが金属材からなり、第一のプレートと第二のプレートの少なくとも一方が、流体供給路に通ずる微小管状流路の入り口部と、混合部に通ずる微小管状流路の出口部とを有し、該入り口部の微小管状流路が1本の流路で、出口部における微小管状流路内を液密状に流通する流体断面積が、入り口部における1本の微小管状流路内を液密状に流通する流体断面積より小さい断面積を有するプレートで、しかも、微小管状流路及び混合部がフッ素樹脂で被覆されている。 (もっと読む)


【課題】 基板に沿った方向に相対的に移動可能な一対の対向電極を有するMEMSデバイスにおいて、他方の対向電極の下端部を削ることなく、一方の対向電極の下端部を短く削ることが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、半導体ウェハを準備する工程と、半導体ウェハの下側表面から第1導電体層と絶縁体層を貫通して第2導電体層に達する第1溝部を形成する工程と、前記第1溝部に導電体からなる保護部を形成する工程と、半導体ウェハの上側表面にレジストパターンを形成する工程と、反応性イオンエッチング法により第2導電体層に一対の対向電極を形成する工程と、反応性イオンエッチング法を継続して一方の対向電極の下端部を削る工程と、絶縁体層を選択的に除去する工程を備えている。その製造方法では、前記第1溝部は一対の対向電極が対向する方向に関して他方の対向電極の両側面の外側に配置されている。 (もっと読む)


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