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Fターム[3C081DA27]の内容

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Fターム[3C081DA27]に分類される特許

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【課題】小型化および低コスト化を図るとともに、コンクリートの品質劣化を防止しつつ、測定対象物の状態を測定し、その測定結果に基づく情報を鉄筋の腐食前の計画的または予防的な保全に活用することができるセンサー装置およびセンサー装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のセンサー装置1は、不測定対象部位の環境変化に伴って表面に不動態膜を形成するか、または、表面に存在した不動態膜を消失させる第1の金属材料で構成された第1の電極3と、第1の電極3に対して離間して設けられ、第1の金属材料とは異なる第2の金属材料で構成された第2の電極4と、基板21と、基板21の一方の面側に設けられ、第1の電極3と第2の電極4との電位差を測定する機能を有する集積回路50とを含む機能素子5とを備え、第1の電極3および第2の電極4は、それぞれ、集積回路50上に設けられている。 (もっと読む)


【課題】磁石の剥離を防止することができ、磁路を設けることで磁石に作用する磁界の磁束密度を高くすることができ、可動部を第1の軸の周りに回動(搖動)させることのできるミラーデバイス、ミラーデバイスの製造方法、光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】ミラーデバイス1は、光反射性を有する光反射部12を備える可動板11と、1対の軸部材13a、13bと、可動板11に設けられ、両極が第1の軸を挟んで配置された永久磁石20と、可動板11と永久磁石20との間に介在して可動板11と永久磁石20とを接合し、半田で構成された半田層21と、可動板11と半田層21との間に介在し、可動板11よりも半田の濡れ性が高く、軟磁性体を含む下地層22とを備え、可動板11の平面視で、下地層22は、永久磁石20を包含し、下地層22の少なくとも一部が永久磁石20から突出している。 (もっと読む)


【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも1つを実現した物理量センサー素子、物理量センサー素子を備える物理量センサー、および、物理量センサー素子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子1は、絶縁基板2と、絶縁基板2の上方に設けられている可動部33と、可動部33に設けられている可動電極指361〜365、371〜375と、絶縁基板2上に設けられ、且つ可動電極指361〜365、371〜375に対向して配置された固定電極指381〜388、391〜398と、を含み、絶縁基板2には、配線41、42、43を有する凹部22、23、24が設けられ、平面視で配線41、42、43と重なる位置の素子片3に凸部471、472、481、482、50が設けられ、配線41、42、43と凸部471、472、481、482、50とが接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と回路素子を縦積みにした半導体装置において、半導体素子と回路素子を結ぶ接続用配線の寄生抵抗を小さくし、さらに接続用配線どうしの短絡が起きにくくする。
【解決手段】基板45の上面にバンプ接合パッド61を設け、回路素子43のバンプ70をバンプ接合パッド61に接続する。バンプ接合パッド61は、パターン配線64によってカバー44との対向面に設けられた基板側接合部69に接続されている。カバー44の下面にはマイクチップ42が実装される。カバー44の、基板45と対向する面には第1の接合用パッド(ボンディング用パッド48、カバー側接合部49)が設けられ、マイクチップ42はボンディングワイヤ50によって第1の接合用パッドに接続される。カバー44の第1の接合用パッドと基板45の基板側接合部69は導電性材料65によって接合されており、その結果マイクチップ42と回路素子43が電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】高い信頼性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置100は、基板10と、基板10の上方に形成された機能素子20と、機能素子20が配置された空洞部1を画成する包囲壁40と、基板10の上方に形成され、機能素子20に接続された配線層30,32と、を含み、配線層30,32は、基板10と包囲壁40との間を通って、包囲壁40の外側まで延出され、包囲壁40は、窒化シリコン層42と、金属層およびシリコン層の少なくとも1層である導電層と、を有し、配線層30,32と導電層44との間には、窒化シリコン層42が配置されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は三次元構造体の製造効率の低下を招くことなく、電極パッドをシリコン基板に形成可能な三次元構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の三次元構造体の製造方法は、シリコン基板T、B、Hを用いて形成された三次元微細構造体の電極パッド16P3、16P4の形成領域16P3’、16P4’に金Auを堆積させる金属堆積工程と、シリコン基板T、B、Hを熱により酸化させて金Auの形成領域以外の表面にシリコンの酸化膜SiO2を形成する酸化膜形成工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】繰り返しの応力に対して信頼性の高いアクチュエータを提供する。
【解決手段】配線14を備えた可動部9と、この可動部9を捩れ運動または曲げ運動、もしくはその両方で駆動させるための駆動部12と、からなり、配線14は導電性有機高分子としたことを特徴とするアクチュエータである。このように、繰り返しの応力が印加される可動部9に設けた、下部電極、上部電極、配線などを金属でなく導電性有機高分子で形成することにより、マイグレーションが生じることはなく、また可動部の可撓性を高めることができるので、高い信頼性を有するアクチュエータを提供することができる。 (もっと読む)


【課題】微小電気機械(MEMS)装置(1300)が、基板(20)、該基板(20)上の可動素子(1340)、及び該可動素子(1340)上の作動電極(142)を備える。
【解決手段】可動素子(1340)が、可変層(1302)及び反射素子(1314)を備える。可変層(1302)が、反射素子(1314)から分離される。 (もっと読む)


【課題】 電気機械変換装置の振動膜の特性のばらつきを低減する。
【解決手段】 本発明の電気機械変換装置は、基板と、前記基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極と間隙を隔てて形成されたメンブレンと、前記メンブレン上に形成され前記第一の電極と対向する第二の電極と、を有する振動膜と、を備える電気機械変換装置であって、前記第一の電極は、表面粗さの二乗平均平方根値が6nm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】駆動コイルと外部接続端子を接続する引出し配線の応力により、トーションバーの動きが阻害されることを防止し、可動部の駆動効率を向上させる。
【解決手段】固定部3、可動部4及びトーションバー3を半導体基板で一体形成し、可動部4に配置した駆動コイル5A、固定部2に配置した外部電極端子7及び駆動コイル5Aと外部電極端子7間を接続するようトーションバー3上を介して配線する引出し配線5Bを含む導電パターン5を、半導体基板表面の絶縁層8上に形成し、駆動コイル5Aに電流供給することにより、可動部4を駆動するプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、トーションバー3上の引出し配線5B部分を除いて、絶縁層8と導電パターン5との間に、絶縁層8に対する密着性が導電パターン5より高い密着層9を設け、密着層9のないトーションバー3上の引出し配線5が絶縁層8と接するよう構成した。 (もっと読む)


【課題】振動系を有する基体上に絶縁層を介して導体パターンを設けた構成にいて、比較的簡単に、長寿命化を図ることができるアクチュエーター、アクチュエーターの製造方法、光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー1は、可動板21と、支持部22と、可動板21を支持部22に対して回動可能に連結する1対の連結部23、24とを備え、これらがシリコンで一体的に形成された板状の基体2と、基体2の板面上に設けられた絶縁層62と、絶縁層62の基体2とは反対側の面上に設けられた導体パターン8とを有し、絶縁層62は、基体2を平面視したときに、連結部23、24の縁部、および、可動板21および支持部22の縁部のうちの連結部23、24近傍部分を除くように設けられている。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスの製造方法において、封止用のキャビティ内の真空度を高めることを目的とする。
【解決手段】シリコンを含む第1の基板11の一方の主面11a側に可動部14aを形成する工程と、シリコンを含む第2の基板20の一方の主面20c側にキャビティ20bを形成する工程と、第1の基板11と第2の基板20の少なくとも一方の主面に、酸素及び窒素のいずれかの原子を含むプラズマを照射する工程と、プラズマを照射した後、キャビティ20bを可動部14aに対向させた状態で、第1の基板11と第2の基板20の各々の主面同士を真空中で接合することにより、キャビティ20b内を真空に保ちつつ、可動部14aを第2の基板20で封止する工程と、封止の後、シリコンと上記原子とが反応する温度以上の温度に第1の基板11と第2の基板20をアニールする工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 (もっと読む)


【課題】デバイス特性に影響を与えてしまうのを抑制することのできる静電容量式デバイスの製造方法および静電容量式デバイスを得る。
【解決手段】固定側基板2aの両面に露出するようにシリコンを貫通させて形成した貫通シリコン23a、23b、24a、24bを固定電極20a、20b、21a、21bとし、貫通シリコン23a、23b、24a、24bの外側露出面に金属膜25を成膜するとともに、固定側基板2aの表面における貫通シリコン23a、23b、24a、24bの外側露出面以外の部位に金属膜25と離間するように金属膜26を成膜する。そして、可動体基板1と固定側基板2aとを陽極接合する際に、金属膜25,26を用いて、固定側基板2aと可動体基板1との間に電位差を設ける一方、貫通シリコン23a、23b、24a、24bと可動体基板1とが同電位となるようにした。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止後に電子デバイス内に残留する脱ガスの量を低減すること。
【解決手段】基板20の上に下地膜21を形成する工程と、下地膜21の上に、感光性樹脂を露光及び現像してなる封止体25bを形成する工程と、封止体25bを加熱することにより、該封止体25bをキュアする工程と、基板1に形成されたスイッチ素子19に封止体25bを貼付することにより、封止体25bでスイッチ素子19を封止する工程と、封止の後、下地膜21を境にして封止体25bから基板1を剥離する工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 (もっと読む)


【課題】空洞内に位置する可動部を品質良く作動できる電子装置を提供する。
【解決手段】基板2上の側壁部23及び第1封止層30に覆われた空洞部33内に位置する可動部7bと、空洞部33内に設置され空洞部33内の気体を吸着する第1ゲッター部34及び第2ゲッター部35と、基板2と対向する場所に位置する第1封止層30及び第2封止層32と、を備え、第1封止層30は第1孔30a及び第2孔30bを有し、第2封止層32は第1孔30a及び第2孔30bを封止する。 (もっと読む)


【課題】MEMS構造体の可動部が固定部に密着するときにも可動部と固定部とを離すことができる電子装置を提供する。
【解決手段】基板2上の包囲壁26及び第1封止層33に覆われた空洞部36内に位置する可動部7bと、可動部7bと対向する場所に位置する第1封止層33と、を備え、可動部7bは基板2と第1封止層33との間に位置し、可動部7bと第1封止層33とは少なくとも一部が導電体である。 (もっと読む)


【課題】MEMS構造体が内在する空洞部を覆う被覆部の外にエッチング液が流出し難い構造の電子装置を提供する。
【解決手段】基板2上の空洞部33内に位置し電気駆動される振動素子5と、空洞部33の周囲を取り巻く絶縁層29と空洞部33とを画成する電気伝導性の包囲壁25と、振動素子5と接続し包囲壁25を貫通する第1配線8及び第2配線9と、を有し、第1配線8及び第2配線9が包囲壁25を貫通する場所には絶縁層29を溶解するエッチング液が空洞部33から絶縁層29に流動することを防止し包囲壁25と第1配線8及び第2配線9とを絶縁する第1耐食絶縁膜19及び第2耐食絶縁膜20を備える。 (もっと読む)


【課題】MEMS素子の耐衝撃性、気密性、信頼性を向上させ、低背化することができるMEMSデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固定部、固定部に対して変位する可動部、及び固定部に配置された端子を有するMEMS素子と、可動部に対向して配置され、貫通電極を有する貫通電極基板と、端子及び貫通電極との間に配置され、端子及び貫通電極を電気的に接続する導電性部材と、少なくとも導電性部材の配置位置の周囲の一部に導電性部材と接して配置された樹脂層、を備え、導電性部材及び樹脂層の高さは、それぞれ、可動部の変位を貫通電極基板で規制する高さであり、導電性部材及び/又は樹脂層は、可動部と前記貫通電極基板とを封止することを特徴とするMEMSデバイス。 (もっと読む)


【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも1つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子1は、絶縁基板2と、可動部33と、可動部33に設けられた可動電極指361〜365と、絶縁基板2上に設けられ、且つ、可動電極指361〜365に対向して配置された固定電極指381〜388と、を含み、固定電極指381〜388は、可動電極指361〜365の一方の側に配置された第1固定電極指382、384、386、388と、他方の側に配置された第2固定電極指381、383、385、387と、を含み、第1固定電極指と第2固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 (もっと読む)


【課題】可動電極構造体に安定した状態で接点電極が形成できるようにする。
【解決手段】第2電極103の上部の後述する接点部が形成される接点部形成領域において、第2開口部105aを有する密着膜105を犠牲膜104の上に形成し、次に、第2開口部105aを覆って密着膜105の上に接点電極膜106を形成する。密着膜105は、例えば、チタン、クロム、ジルコニウム、タンタルなどの遷移金属、およびこれらの酸化物から構成することができる。接点電極膜106は、例えば、ルテニウム,ロジウム,パラジウム,オスミウム,イリジウム,および白金などの白金属の金属および金などから構成することができる。 (もっと読む)


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