【課題】 ナノインプリントリソグラフィーにおいて従来使用されているF-SAMと遜色ない離型性を有し、耐久性の点でさらにすぐれている離型処理方法および離型膜を提供する。
【解決手段】 ナノインプリント用モールドの表面に設ける離型膜として、ポリジメチルシロキサン（PDMS）薄膜を使用する。上記のポリジメチルシロキサン薄膜は、ポリジメチルシロキサンの片側末端にシランカップリング基が結合した化合物を用いてモールド表面に成膜するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 機能素子の外周にメタライズを設けたＳｉ基板と、メタライズを設けたＳｉ基
板とを、メタライズ間に設けたはんだを熔融・接合して、気密封止する機能素子パッケー
ジにおいて、Ｓｉ基板どうしをはんだ接合しても、メタライズがＳｉ基板から剥離するこ
となく、封止気密性に優れた機能素子パッケージ構造を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ基板とメタライズとの間にアルミナ層を設けることで、メタライズと
Ｓｉ基板との間の密着力が改善し、封止気密性に優れた機能素子パッケージを得ることが
できる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの可撓部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、錘部と、前記支持部と前記錘部とを連結し前記錘部の運動にともなって変形する可撓部と、が形成されている積層構造体を備え、前記積層構造体は、前記可撓部を構成し下面が平坦である単結晶シリコン層１０と、前記単結晶シリコン層上に積層され前記単結晶シリコン層と異質のＣＭＰストッパ層３０と、を含み、前記ストッパ層の下面と前記単結晶シリコン層の下面とは同一平面に含まれるか、前記ストッパ層の下面は前記単結晶シリコン層の下面から突出している、ＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】ゲッタ材料によりマイクロ電子デバイスを封入する方法を提供する。
【解決手段】基板１０２上に配置されているマイクロ電子デバイス１００を封入する方法であって、ａ）マイクロ電子デバイス１００の少なくとも一部を覆う犠牲材料を形成し、該犠牲材料の一部分の体積が、デバイス１００が封入されることになるキャビティ１１４の少なくとも一部を形成することになる空間を占めるステップと、ｂ）少なくとも１つのゲッタ材料を基礎とする層１０８を蒸着させて、犠牲材料の一部分の少なくとも一部を覆うステップと、ｃ）少なくともゲッタ材料層１０８を貫通する少なくとも１つの開口部１１２を形成して、犠牲材料の一部分への進入路を形成するステップと、ｄ）開口部１１２を経由して犠牲材料の一部分を除去して、マイクロ電子デバイス１００が封入されるキャビティ１１４を形成するステップと、ｅ）キャビティ１１４を密閉するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＬＣＣパッケージ内に微小電気機械（ＭＥＭＳ）装置を貼り付けるリードレスチップキャリア（ＬＣＣ）装置および方法を提供すること。
【解決手段】位置合わせ板は、ＬＣＣの底部内にダイ接着される。位置合わせ板は、上部および底部の金属層内に加工される基準を含み、このようにして、ＬＣＣ内に含まれる基準の許容誤差よりも一桁良好となるであろう許容誤差を生成する。バンプパターンおよびＭＥＭＳダイは、非常に改善されたダイのバンプへの位置合わせを与える位置合わせ板および基準に基づいて貼り付けられる。 （もっと読む）

【課題】広いガス吸収面積と低い熱慣性をもたらす、知られているゲッター材料構造を熱的に活性化するために必要な熱活性化出力よりも低い熱活性化出力で済むゲッター材料ベース構造を提供すること。
【解決手段】ゲッター構造（１００）は、基材（１０２）と、少なくとも１つの支持材（１１０、１１２）を使って基材（１０２）に機械的に接続された少なくとも１つのゲッター材料ベース層（１０８）とを備え、基材（１０２）と接触する支持材（１１０、１１２）の表面はゲッター材料層（１０８）の、支持材（１１０、１１２）と接触している第１の面（１０７）の表面よりも小さく、前記第１の面の反対側の、ゲッター材料層（１０８）の第２の面（１０９）は少なくとも部分的に露出されている。 （もっと読む）

【課題】流路などの微小セル構造を積層形成するための１０μｍ以下の大きさの複数のマイクロパターンを有するマイクロパターン複合材であって、各層の位置合わせを容易とし、かつ加熱の必要なく確実に接着すること可能とするマイクロパターン複合材を提供する。
【解決手段】支持体４と、該支持体４上にマイクロパターンが形成されており、かつ、そのままでは接着力を有しないが、紫外線もしくはそれよりも短波長のエネルギー線の照射により接着能を発現するマイクロパターンフィルム５Ａとを備える、マイクロパターン複合材６。 （もっと読む）

構造化され焼結された物品の形成方法が開示され、この方法は、焼結可能な微粒子材料およびバインダを含む混合物を提供し、その場合、上記バインダは、このバインダの総樹脂含有量の関数として少なくとも５０重量％の熱可塑性バインダ材料と輻射線硬化性バインダ材料とを含み、上記混合物を、構造体を形成するように型を用いて整形し、上記構造体を冷却することによって、またはこの構造体を冷えるままに放置することによって、この構造体を硬化させ、上記構造体を離型させ、上記輻射線硬化性バインダ材料が少なくとも或る程度硬化するように、上記構造体に輻射線を照射し、かつ上記構造体のバインダを除去しかつ焼結させる諸ステップを含む。整形は、１本または複数本の開口溝を有する構造体を形成することを含んでいてもよく、かつ焼結は、少なくとも一つの追加の構造体を、上記溝を覆うまたは取り囲むように一体に接触させて焼結させることを含んでいてもよい。
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パターンを備える金型と、パターンと接触する金属含有層と、金属含有層に結合される官能化ペルフルオロポリエーテルを含んだ離型剤を有する物品が提供される。また、この金型を有する複製の方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させ、ウエハーを個片にした後、パーティクル等を可動機構部分へ付着させることなく、貫通孔を形成可能なＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】物理量検出装置は、ヒンジ部１１ａにより変位可能に支持された可動部１２と、可動部１２と対向する位置に配置された固定電極２２、３２とを有する。この物理量検出装置の製造工程において、まず、可動部１２上に配置される第１の硝子基板２の所定箇所に肉薄部２６ａを形成する。続いて、肉薄部２６ａを長波長レーザ光Ｌａにより溶解させ、第１の硝子基板２を貫通させる。その後、シリコン基板１、第１の硝子基板２、第２の硝子基板３を封止パッケージ５により封止する。 （もっと読む）

半導体デバイスの空洞内に所定の内圧を形成する方法であって、その方法は、半導体デバイスを提供する工程（Ｓ１）であって、半導体デバイスは半導体デバイスの空洞と半導体デバイスの外部表面との間に連続的に配置される半導体酸化物区域を含む工程と、半導体デバイスを、第１の温度で所定の時間の間、希ガスを有する周囲雰囲気に曝露する工程（Ｓ３）と、その所定の時間が経過した後、第１の温度と異なる第２の温度を設定する工程（Ｓ５）とを含み、半導体酸化物区域は、第２の温度に比べて第１の温度で希ガスに対してより高い透過率を示す、方法。 （もっと読む）

結合部位のパターンを有する支持体上にマイクロ構成部品を組み立てる方法および装置を提供する。一方法によれば、冷却に伴い粘性を増加するとともに結合部位に係合可能な第１の種類のマイクロ構成部品を含む第１の流体が、支持体の表面に供給される。その後、選択された結合部位に近接する第１の流体が冷却される。これは、第１の流体内に浮遊する第１のマイクロ構成部品の、選択された結合部位への、係合を防止するためである。
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本発明は、堆積すべき物質または前駆物質を、溶剤または移送媒体中で構造体（５ａ、７ａ）に供給することにより、基板（Ｓｕｂ）上のマイクロメカニック構造体（５ａ、７ａ）の表面上に付着防止層を堆積する方法に関する。使用される溶剤および移送媒体は超臨界ＣＯ_２流体である。前記物質または前駆物質の堆積はＣＯ_２流体の状態の物理的変化によりまたは表面と前駆物質の表面反応により行う。本発明の方法は、接続通路（１５）または穿孔ホールにより堆積すべき材料を供給することにより、構造体のカプセル化後に、空洞（１４）またはキャビティ中でマイクロメカニック構造体（５ａ、７ａ）を被覆することを可能にする。
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【課題】 真空下で密封した装置受け入れキャビティ即ちチャンバ（１２、１４）の内側表面に付着した薄膜ゲッター（３０）を含む、装置パッケージ（１０）を提供する。
【解決手段】 薄膜ゲッターは、例えば、スパッタリング、抵抗加熱蒸着、電子ビーム加熱蒸着、又は任意の他の適当な付着技術を使用して付着される。 （もっと読む）

【解決手段】基板上に少なくとも２つの導電層を形成することを含む微小電気機械素子を製造する方法。絶縁層が２つの導電層の間に形成される。導電層は互いに電気的に結合され、次に絶縁層が除去され、導電層間に隙間を形成する。層の電気的な結合は、除去プロセスの間に素子上に増える静電荷の影響を除く。 （もっと読む）