Fターム[3J071CC23]の内容
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Fターム[3J071CC23]に分類される特許
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半導体製造装置のガス供給システム及びガス供給集積ユニット
【課題】 半導体製造装置に腐食性ガスを供給する際に,被処理基板に対する金属性汚染物質の混入を極力抑える。
【解決手段】 複数の流体制御機器(ハンドバルブ231,減圧弁(レギュレータ)232,圧力計(PT)233,逆止弁234,第1遮断弁235,第2遮断弁236,マスフローコントローラ(MFC)237,ガスフィルタ(FE)238)を備え,これらを接続する流路を構成する流路ブロック241〜249を非金属の炭素材料で構成した。
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