【課題】大電流の注入による熱破壊を防ぎ、電流励起によるレーザ発振を実現する。大電流駆動を可能とした高輝度の有機エレクトロルミネッセンス装置を提供する。
【解決手段】この有機半導体レーザ装置は、有機半導体レーザ活性層２と、有機半導体レーザ活性層２に正孔を供給する第１透明導電膜としての陽極１と、有機半導体レーザ活性層２に電子を供給する陰極３とを備えている。陽極１を支持する透明基板１０は、サファイヤ基板からなる。 （もっと読む）

【課題】 高輝度化および省電力化を図ることが可能な有機ＥＬ素子、これを用いた有機ＥＬ表示装置、および有機ＥＬ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 互いに対向配置された陽極２および陰極４と、陽極２および陰極４の間に介在し、かつ発光層３ｂを含む有機層３と、を備える有機ＥＬ素子Ａ１であって、陽極２と有機層３との間には、Ｍｏ酸化物層５が介在している。 （もっと読む）

【課題】 製造工程における有機層の損傷を抑制し、高輝度化および省電力化を図ることが可能な有機ＥＬ素子、これを用いた有機ＥＬ表示装置、および有機ＥＬ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 互いに対向配置された陽極２および陰極４と、陽極２および陰極４の間に介在し、かつ発光層３ｂを含む有機層３と、を備える有機ＥＬ素子Ａ１であって、陰極４は、ＭｇＡｇ合金からなり、かつその厚さが２００Å以下である。 （もっと読む）

【課題】低消費電力、高密度、及び大規模のＩＣの用途に適した電界発光ダイオードを実現する。
【解決手段】本発明の電界発光ダイオードは、下部電極１０２と上部電極１０８との間に蛍光体を含む蛍光体層１０６が設けられた構成であって、下部電極１０２は、ナノメートルオーダーの微小突起が下部電極表面に複数設けられたナノ突起ダイオード部１０４を有するとともに、各微小突起は、ｐｎ接合の構造になっているので、低出力及び高密度化を実現することができ、大スケールのＩＣの用途に適したものになる。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造を有する電極とそれを覆う蛍光体層との間に隙間および空洞（エアーポケット）が形成されず、強度を増加させる。
【解決手段】本発明の電界発光素子は、下部電極２０２と上部電極２１２とからなる一対の電極を有し、下部電極２０２と上部電極２１２との間に蛍光体を含む蛍光体層２０６が設けられた電界発光素子であって、下部電極２０２は、ナノメートルオーダーの微小突起２０４が下部電極２０２表面に複数設けられたナノ構造を有し、蛍光体層２０６は、その底面２１０及び上面２０８が微小突起２０４の輪郭に沿った凹凸面になるように形成されているので、ナノ構造を有する下部電極２０４と蛍光体層２０６との間に、隙間または空洞部分（エアーポケット）が形成されにくくなる。 （もっと読む）

【課題】短波長で発光するシリコンエレクトロルミネセンス素子を実現する。
【解決手段】本発明のシリコンエレクトロルミネセンス素子１００の製造方法は、基板１０２を用意する工程と、基板１０２の上に重ねて、一絶縁層１０４を形成する工程と、第一絶縁層１０４の上に重ねて、大きさが０．５〜５ｎｍであるナノ結晶性Ｓｉが埋め込まれたシリコン過剰酸化ケイ素（ＳＲＳＯ）層１０６を形成する工程と、ＳＲＳＯ層１０６の上に重ねて、第二絶縁層１０８を形成する工程と、上部電極１１０を形成する工程とを含む。通常、ＳＲＳＯ層１０６のＳｉ濃度は５〜４０％である。一つの形態では、ＳＲＳＯ層１０６は、ＤＣスパッタリング工程を用いて形成される。別の形態では、ＳＲＳＯ層１０６を形成する工程には、ＳＲＳＯ層１０６の堆積に続く瞬時熱アニール（ＲＴＡ）工程が含まれる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型のＥＬ表示装置において、ソース信号線の充放電に要する消費電力を低減する。
【解決手段】バイポーラトランジスタ（Ｂｉ１）は、ベース端子Ｂがオペアンプ（ＯＰ１）の出力端子ｃ１に、コレクタ端子Ｃが低電源電位（ＧＮＤ）に、エミッタ端子Ｅが抵抗Ｒ２に接続されている。また、４つの抵抗Ｒ１〜Ｒ４が設けられている。高電源電位（ＶＢＨ）は発光素子の高電源電位に同期する電位である、オペアンプ（ＯＰ１）の出力端子ｃ１の電位は、バッファの低電源電位（ＶＢＬ）として出力される。この低電源電位（ＶＢＬ）は高電源電位（ＶＢＨ）と高電源電位（Ｖ１）の差分になる。よって、低電源電位（ＶＢＬ）は高電源電位（ＶＢＨ）、すなわち発光素子の高電源電位に追従させることができる。 （もっと読む）

【課題】 集積回路基体や可撓性基体と一体化されたカラー表示が可能な電界効果発光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 信号処理回路や駆動回路が集積化されたｐ形Si基体10やこのｐ形Si基体10を薄膜化して可撓性を持たせた基体上に形成した層間絶縁体膜20の上面に、IV族半導体元素を高濃度にドーピングしたSi元素を主要構成要素とする発光用絶縁性膜22と第１の電極21及び第２の23で構成された電界効果発光素子を形成し、必要に応じてカラーフィルタや蛍光体膜を用いてカラー表示を可能とした交流駆動の電界効果発光素子である。 （もっと読む）

【課題】 電極取り出し用の配線と各電極層とを電気的に接続させる際の段差を取り除き、抵抗値の増加と断線不良の可能性がない発光装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１に第１、第２の埋め込みチャンネル層3a,3bを設け、半導体基板上に、第１の電極層7aと有機ＥＬ発光層8aと透明な第２の電極層9aが順次積層構造に形成された発光積層体を形成し、第１の埋め込みチャンネル層と第１の電極層、第２の埋め込みチャンネル層と第２の電極層をそれぞれ電気的に接続し、発光積層体を覆うように非透湿性保護板11を配置して半導体基板１の縁部と気密に封止し、保護板の外側で第１、第２の接続端子6a,6cそれぞれを第１、第２の埋め込みチャンネル層3a,3bそれぞれと接続し、第１、第２の接続端子と第１、第２の埋め込みチャンネル層を通じて第１、第２の電極層7a,9aに外部より電気的エネルギーを供給するようにした発光装置。 （もっと読む）

エレクトロルミネッセンス物質は、構造式(I)に示した、1-フェニル-3-メチル-4-トリメチルアセチル-ピラゾール-5-オン（ 1-phenyl-3-methyl-4-trimethylacetyl-pyrazol-5-one ）である。構造式(I)の化合物をルミネッセンス層に含むエレクトロルミネッセンス装置も、本発明の一部である。
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【課題】 簡易に形成することが可能であり、発光再現性および発光効率が高く、所望の発光スペクトルを有する発光薄膜および発光素子を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ基板２上に形成したａ−Ｓｉに対して＋２価のＥｕを選択的にイオン注入し、その後アニーリング処理を施すことにより発光素子３を形成し、さらにＩＴＯ電極４およびＡｌ電極５を形成する。簡易な手法により、発光再現性および発光効率が高く、不純物ピークのない理想的な白色発光スペクトルを有する発光薄膜および発光素子を得ることができる。ＩＴＯ付き石英ガラス基板上にＳｉやＳｉ酸化物の薄膜を形成し、この薄膜に対してイオン注入することにより、さらにはＳｉ基板に直接イオン注入することにより形成することも可能である。 （もっと読む）