【課題】青色発光半導体ナノクリスタル物質を提供する。
【解決手段】半導体ナノクリスタルは、第一半導体物質含有コア、及び第二半導体物質含有オーバーコーティングを含む。該ナノクリスタルの単分散集団は、高い量子効率で、波長範囲の狭い青色光を発する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する第１のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第１のゲート絶縁膜上に積層する第２のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成する。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ層の劣化を抑制し、陽極などの電極のエッジ部における電界集中の影響を抑制させた軽量な発光装置。
【解決手段】基板上に薄膜トランジスタを有し、薄膜トランジスタ上に絶縁膜を有する。絶縁膜はコンタクトホールを有し、コンタクトホールを介して、陽極が薄膜トランジスタと電気的に接続されている。当該コンタクトホール内には、陽極及び別の絶縁膜を有し、当該陽極はコンタクトホール内で凹形状となる。別の絶縁膜は、樹脂を有することができ、凹形状を埋めることができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ素子の色のバランスが良く、なおかつ発光輝度のバランスが良い、色鮮やか
な画像を表示することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】ＥＬ素子に流す電流を大きくしたい画素ほど、該画素のＥＬ素子に電圧また
は電流を供給する引き回し配線の幅を大きくした。これによって、ＥＬ素子に流す電流を
大きくしたい画素ほど、該画素のＥＬ素子に電圧または電流を供給する引き回し配線の配
線抵抗が小さくなる。配線抵抗が小さくなると、引き回し配線における電位降下が小さく
なり、ＥＬ素子に流す電流を大きくすることが可能になる。なお実際のパネルでは、引き
回し配線を配置するスペースは限られているので、各色における引き回し配線の幅の比を
変えることで、各色のＥＬ素子に流れる電流の大きさのバランスを取ることが可能である
。 （もっと読む）

【課題】 量子ドット層製造方法及び量子ドット層を含む量子ドット光電子素子を提供する。
【解決手段】 ソース基板上に自己組織化単層、犠牲層及び量子ドット層を順次に積層し、量子ドット層上にスタンプを位置させてスタンプで犠牲層及び量子ドット層をピックアップし、犠牲層を溶解させる液体で、前記量子ドット層から前記犠牲層を除去する量子ドット層製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機バインダーの使用なしで実用上十分な機械的強さを有し、無機ＥＬ素子として有用な発光性遷移金属含有アルミナ自立薄膜の提供。
【解決手段】前記発光性自立薄膜は、ゾルゲル法により製造され、３０〜５０００のアスペクト比と、１０nm以下のナノオーダーファイバー幅を有するファイバー状アルミナナノ粒子からなる自立薄膜形成成分と、この自立膜形成成分により担持されている発光性遷移金属（例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｓｍなど）を含有する発光源成分とを含み、前記発光源成分に含まれる遷移金属の、前記自立薄膜成形成分に含まれるアルミニウムに対するモル比は１／０．００１〜１／１の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体層を酸化物半導体層とする逆スタガ型薄膜トランジスタを含む半導体
装置において、酸化物半導体層上にバッファ層を有する。バッファ層は、半導体層のチャ
ネル形成領域と、ソース電極層及びドレイン電極層とに接する。バッファ層は膜内に抵抗
分布を有し、半導体層のチャネル形成領域上に設けられる領域の電気伝導度は半導体層の
チャネル形成領域の電気伝導度より低く、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域
の電気伝導度は半導体層のチャネル形成領域の電気伝導度より高い。 （もっと読む）

【課題】高輝度の赤色乃至橙色発光が可能な新規なダブルぺロブスカイト系の無機蛍光材料を提供する。
【解決手段】ダブルぺロブスカイト型構造である母材に希土類元素をドープしてなる無機蛍光材料。母材の組成が、Ｂａ_２Ｒ（III）Ｍ(Ｖ)Ｏ_６（但し、Ｒ（III）：Ｅｕを除くＹ又はＬｎ、Ｍ(V)：Ｎｂ、Ｔａ又はＳｂ）である。ドープ金属をＥｕ(III)とする。本無機蛍光材料は、励起波長(常温)２５０ｎｍの場合の光ルミネセンス（ＰＬ）スペクトルが、中心波長５８０〜６００ｎｍである山部を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板にＯＬＥＤのような発光素子を含む画素回路を形成する。
【解決手段】画素回路１１０は、駆動トランジスター１２５、スイッチングトランジスター１２２、発光素子１３０を含み、これらの素子が半導体基板に形成されている。スイッチングトランジスター１２２には、第１基板電位Ｖ4が供給され、駆動トランジスター１２５には、第１基板電位Ｖ4とは異なる第２基板電位Ｖ3が供給される。 （もっと読む）

【課題】周期的パターンを有する光学フィルタと組み合わせても、モアレが生じず且つ表示画像の明暗ムラも生じない画像表示パネルと、これを用いた画像表示装置を提供する。
【解決手段】多数の画素３が配置されてなる画像表示パネル１０は、ガラス基板１ｆ，１ｒ間を放電セル３ｃに仕切る隔壁２などとして画素を区画する区画パターン２Ｐが、二つの分岐点Ｂの間を延びて画素を画成する多数の境界線分Ｌから構成され、一つの分岐点から延びる境界線分の数の平均値Ｎが、３．０≦Ｎ＜４．０であり、且つ、画素の配置に繰返周期を持つ方向が存在しない領域を含んでなるパターンとする。さらに、メッシュパターンの電磁波遮蔽フィルタ、コントラスト向上フィルタや覗き見防止フィルタとなるマイクロルーバーフィルタなど周期的パターンを有する光学フィルタを備えても良い。画像表示装置はこの画像表示パネルを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図る。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層１０４ａ、１０４ｂを薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層１０３は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層１０５ａまたはドレイン電極層１０５ｂの材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】表示素子へ電流を供給する電源線の電位を一行ずつ変化させずに、信号書き込み動作時に表示素子へ電流が流れてしまうのを防ぐことが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ１０１に所定の電流を流してトランジスタのゲートソース間電圧を設定する際、トランジスタのソース端子に接続された負荷に電流がながれないようにするため、トランジスタのゲート端子の電位を調整する。そのため、トランジスタのゲート端子の接続された配線とトランジスタのドレイン端子の接続された配線とを異なる電位にする。 （もっと読む）

【課題】輝度むらの抑制および薄型化を図ることが可能で、且つ、天井材に取り付ける場合の取付強度を高めることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】エレクトロルミネッセンスパネルを有する表示パネル１と、外部電源に接続可能な端子台２と、端子台２と電気的に接続され表示パネル１を点灯制御する点灯制御部３と、少なくとも一面が開放され点灯制御部３を収納する収納部４ａを有し上記一面側に表示パネル１が配置される装置本体４とを備える。装置本体４の上壁４ｆに、天井材へ取り付けるための本体取付部５を有する。表示パネル１と装置本体４とで構成される表示ユニット１２は、上壁４ｆから離れるに従って厚さ寸法が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】バックゲート効果の発生を抑制し得る構成、構造を有する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、それぞれが、発光部、及び、発光部を駆動するための駆動回路を備えた発光素子を、複数、有する表示素位置であって、駆動回路は、少なくとも、ＭＯＳＦＥＴから成る駆動トランジスタＴ_Drv及び映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、並びに、容量部Ｃ₁から構成されており、駆動トランジスタＴ_Drvは、第１導電型のシリコン半導体基板１０に形成された第２導電型の第１ウエル１１内に形成された第１導電型の第２ウエル１２内に形成されており、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigは、第１導電型のシリコン半導体基板１０に形成されており、駆動トランジスタＴ_Drvの他方のソース／ドレイン領域２５と第２ウエル１２とは電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、２０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ａ＞０，ｂ＞０，ｃ＞０，ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ｄ＞０）で表され、ａ≦３７／６０、ｂ≦９１ａ／７４−１７／４０、ｂ≧３ａ／７−３／１４、ｃ≦３／５を満たす第１の領域Ａ１及びＩｎ（ｐ）Ｇａ（ｑ）Ｚｎ（ｒ）Ｏ（ｓ）（ｑ／（ｐ＋ｑ）＞０．２５０，ｐ＞０，ｑ＞０，ｒ＞０，ｓ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層と、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】開口率の向上された発光装置である。
【解決手段】薄膜トランジスタと、容量と、発光素子と、発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線とを、プラスチック基板上に有する発光装置であって、配線は、容量の上に設けられ、容量は、配線の少なくとも一部と重なる領域を有する。発光素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に設けられたＥＬ材料とを有し、容量は、第２の領域と、第２の領域上に第１の絶縁膜を介して設けられる第３の領域とを有する。第１の絶縁膜は、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となり、さらに容量の絶縁膜となることができる。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上することができるＥＬ表示装置である。
【解決手段】薄膜トランジスタと、容量と、発光素子と、発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線と有するＥＬ表示装置である。発光素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に設けられたＥＬ材料とを有し、容量は、第２の領域と、第２の領域上に第１の絶縁膜を介して設けられる第３の領域とを有する。第１の絶縁膜は、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となり、さらに容量の絶縁膜となることができる。 （もっと読む）