【課題】無機ＥＬ素子の寿命の低下および消費電力を抑えつつ、輝度を向上する。
【解決手段】無機ＥＬ発光装置１は、一対の電極を有する無機ＥＬ素子２と、無機ＥＬ素子２の一対の電極に交流電圧を印加する駆動部３とを備え、交流電圧の波形は、半周期期間ごとに、第１の矩形波、および第１の矩形波に対して時間的に離間した第１の矩形波と同極性の第２の矩形波を有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第１のゲート絶縁膜と第２のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下（好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下）とする。 （もっと読む）

【課題】透光性電極層、複数の散乱層からなる散乱層積層体、透光性基板が積層された電子デバイス用基板であり、基板内での多重反射を抑制し、光取り出し効率を高めることを目的とする
【解決手段】透光性基板と、前記透光性基板上に設けられ、屈折率が異なる複数の散乱層からなる散乱層積層体と、前記散乱層積層体上に設けられる透光性電極層とが積層され、前記透光性電極層、前記散乱層積層体、前記透光性基板の順に屈折率が低くなっており、前記散乱層積層体を構成する複数の散乱層は、透光性電極層側から順に、散乱層毎に屈折率が漸次低減するように構成されていることを特徴とする電子デバイス用基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】高輝度白色蛍光体ＡＶＯ₃の吸湿性を抑えることによるハンドリングの向上と材料劣化の抑制。
【解決手段】組成式ＡＶＯ₃で示されるバナジウム酸化物蛍光体に対し、Ａの量とＧｅＯ₂の添加量を調整することによって高輝度蛍光と維持しつつ吸湿性が抑制されたバナジウム酸化物蛍光体を得る。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極
、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し
、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が
除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供
給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜
上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である
。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられたボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接して設けられる絶縁層、及び／または、ソース電極層及びドレイン電極層の形成後に不純物除去処理を行うことで、エッチングガスに含まれる元素が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。酸化物半導体膜の表面における不純物濃度は、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】透光性基板、散乱層、被覆層、透光性電極層が積層された電子デバイス用基板であり、散乱層界面での全反射を抑制することによって、光取り出し効率を高めることを目的とする
【解決手段】透光性基板、散乱層、被覆層、透光性電極層が積層された電子デバイス用基板の製造方法であって、
（ａ）透光性基板上に、散乱層の原料と、前記散乱層の原料の焼成温度で消失する球状樹脂との混合物を配置、焼成して散乱層を形成する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程で形成した前記散乱層上に被覆層の原料を配置、焼成して被覆層を形成する工程、
を有しており、前記透光性基板の屈折率が最も低く、散乱層、被覆層、透光性電極層の順に屈折率が高くなるように各層が構成されていることを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比、高精細の障壁を備えた蛍光体基板を提供する。
【解決手段】本発明の蛍光体基板１は、基板２と、基板２上に設けられ、入射された励起光により発光する蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂと、蛍光体層の側面を囲む障壁４と、を備え、蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂと障壁４とを有する第１の領域Ｍ１と、第１の領域Ｍ１の外側に位置する第２の領域Ｍ２と、を備え、第２の領域Ｍ２には、第１の領域Ｍ１に形成された障壁４を構成する全ての部材あるいは一部の部材で形成された構造物５が設けられ、障壁４と構造物５の少なくとも一部とが連続体をなしている。 （もっと読む）

【課題】回路を構成するトランジスタのソース−ドレイン耐圧を維持したまま、走査回路の最終段のインバータ回路の入力電圧の振幅を増大させることが可能なレベルシフタ回路を提供する。
【解決手段】第１固定電源側の２つのトランジスタ回路が第１導電型のトランジスタから成り、第２固定電源側の２つのトランジスタ回路が第２導電型のトランジスタから成るとともに、第１固定電源側の２つのトランジスタ回路及び第２固定電源側の２つのトランジスタ回路の少なくとも一方側の２つのトランジスタ回路はダブルゲートトランジスタから成るレベルシフタ回路において、一方の電源側の２つのトランジスタ回路が動作状態のとき、他方の電源側の２つのトランジスタ回路のダブルゲートトランジスタの共通接続ノードに第３固定電源の電圧を与えるスイッチ素子を設ける。 （もっと読む）

【課題】検査用の回路を追加することなく、画素容量検査の制御リソースを低減する。
【解決手段】マトリクス基板１０は、行列状に配置された複数の発光画素２０と、複数の発光画素２０の行に対応してそれぞれ配置された第１の制御線及び第２の制御線を備え、発光画素２０をＮ行ごとにまとめた単位のそれぞれを検査用ブロックとしたときに、検査用ブロックごとに１本ずつ設けられ、当該検査用ブロックに属するＮ本の前記第１の制御線同士を電気的に接続した第１の検査用制御線及びこれに接続された第１の検査用端子と、検査用ブロックの各々から１本ずつ選択される第２の制御線同士を電気的に接続したＮ本の第２の検査用制御線及びこれに接続された第２の検査用端子とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】十分な外光が無い場合や外光が強すぎる場合であっても多彩なデザインや情報を視認しやすく、低コストで簡便な発光装置及び発光システムを提供する。
【解決手段】全体として均一色に発光し且つ発光色が可変である面発光パネルを複数有し、前記面発光パネルを組み合わせて発光させることにより発光パターンの形成を制御する発光制御部を備える発光装置であって、前記面発光パネルが透光性構造を有することを特徴とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】量子収率の比較的低い量子ドット発光材料を用いる場合であっても、発光増強性能の高い新規なプラズモン材料による発光増強により、高い発光効率を示すことができる量子ドット発光素子を提供する。
【解決手段】量子ドット発光材料５５を含む発光層５０と、３０個以上の金属系粒子２０が互いに離間して二次元的に配置されてなる粒子集合体からなる層であって、金属系粒子２０は、その平均粒径が２００〜１６００ｎｍの範囲内、平均高さが５５〜５００ｎｍの範囲内、アスペクト比が１〜８の範囲内にあり、隣り合う金属系粒子との平均距離が１〜１５０ｎｍの範囲内となるように金属系粒子２０を配置した金属系粒子集合体層とを備える量子ドット発光素子である。 （もっと読む）