【課題】輝度を落とすことなく表面防汚機能や室内の空気浄化性能が高く、さらに長期保存時にも輝度低下や膜物性が劣化することがないエレクトロルミネッセンス照明装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】エレクトロルミネッセンス素子を用いた照明装置の最表面に、平均深さ５ｎｍ〜３００ｎｍ、平均周期１０ｎｍ〜３００ｎｍの凹凸形状を持つ光触媒層１０９を設けたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス照明装置。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域において、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第１の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】高い開口率を有し、安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼
性のよい表示装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動
回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物
半導体によって構成された駆動回路用薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動
回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体に
よって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用薄膜トランジスタ
と、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する。 （もっと読む）

【課題】ホログラムを用いたホログラムシートにおいて、その真正性を高めるために、照明光と同一の波長のホログラム再生像を再生するホログラムとは異なり、電圧を印加することで、照明光とは異なる波長のホログラム再生をする新規なホログラムシートを提供する。
【解決手段】ホログラム形成層２上にエレクトロルミネッセンス素子層３及び、全反射性薄膜４を設け、そのエレクトロルミネッセンス素子層３及び、全反射性薄膜層４が、ホログラムレリーフの形状を有することで、通常照明光下では通常のホログラムシートＡとしか認識できないホログラムシートＡに、所定の電圧を印加したときに、空間にその所定の波長のホログラムが浮き上がり、このことによって、そのホログラムが真正品であると判定可能な、偽造防止性の高いホログラムシートＡ。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用いた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。
同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】一次粒径が１００ｎｍ以下で、凝集がなく、単結晶であり、高結晶性のペロブスカイト型構造を有する蛍光体微粒子、該蛍光体微粒子を比較的低温かつ短時間で、更に環境負荷の極めて低い水媒体中で製造可能な蛍光体微粒子の製造方法、該蛍光体微粒子を用いた蛍光体薄膜及びＥＬデバイスを提供すること。
【解決手段】本発明の蛍光体微粒子は、下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型構造を有する蛍光体微粒子であって、一次粒径が大きくとも１００ｎｍ以下で、凝集がなく、単結晶であることを特徴とする。
ＡＢＯ_３：Ｐｒ^３＋ （１）
ただし、前記式（１）において、Ａは、Ｃａ、Ｂａ及びＳｒのいずれかの金属元素若しくはこれらの金属元素うちの少なくとも２つの金属元素の組み合わせを示し、Ｂは、Ｔｉ及びＴｉとＡｌの組み合わせのいずれかを示す。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第１の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成し、該酸化物半導体膜に酸素を導入して少なくとも一部を非晶質化し酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第２の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光素子を提供し、また、複数の発光素子をアレイとして配列する表示装置を提供する。
【解決手段】この発明にかかる実施形態は、発光素子を提供し、それが密閉容器と低圧ガスと陽極と陰極と蛍光層とを含む。密閉容器が密閉空間を定義し、かつ密閉空間が密閉容器の内部に位置する。低圧ガスが密閉空間内に充填される。陽極が密閉容器の外部に配置される。陰極が密閉容器の外部に配置され、そのうち、陽極と陰極とがそれぞれ密閉容器の外部の対向する両側に位置する。蛍光層が密閉空間中に配置される。この発明にかかる別な実施形態は、また、表示装置を提出し、それが複数の上記発光素子を含み、そのうち、これらの発光素子がアレイとして配列される。 （もっと読む）

【課題】支持基板に凹凸構造を設けた薄膜ＥＬ素子において、光取り出し効率の向上と発光特性の安定化を両立させた薄膜ＥＬ素子及びその作製方法の提供
【解決手段】（１）少なくとも支持基板、導電層、絶縁層、発光層の積層構成を有し、導電層と接する側の支持基板面に断面形状が略半球形状又は略円錐形状の周期的な凸部が設けられ、該凸部の傾斜面に周期的な段差が設けられている薄膜ＥＬ素子。
（２）支持基板加工工程及び薄膜形成工程からなり、該支持基板加工工程は、レジストマスク形成工程とエッチング工程を含み、該エッチング工程において、レジストマスクをエッチングする条件と、支持基板をエッチングする条件を交互に切り替えることにより、断面形状が略半球形状又は略円錐形状の周期的な凸部であって、その傾斜面に周期的な段差を有する凸部を形成する（１）記載の薄膜ＥＬ素子の作製方法。 （もっと読む）

【課題】既存のシリコン集積回路との親和性の高い薄層シリコン層を用いた発光素子で、発光波長が変更できるようにする。
【解決手段】この半導体発光素子は、シリコンから構成されて量子効果が示される範囲の層厚とされた発光層１０１と、発光層１０１にキャリアを注入するキャリア注入部１０２と、発光層１０１に印加する電界を制御する電界制御部１０３とを備える。こ半導体発光素子では、キャリア注入部１０２によりキャリアを注入することで発光する発光層１０１に、電界制御部１０３により任意の電界を印加し、量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）を生じさせることで、発光と同時に発光波長の変調を行う。 （もっと読む）

【課題】 Ｅｕ添加ＢａＡｌ_２Ｏ_４を二硫化炭素を含む不活性ガス中で熱処理して還元硫化することにより、高蛍光輝度のＥｕ添加バリウムチオアルミネート硫化物（ＢａＡｌ_２Ｓ_４）蛍光体を、有毒な硫化水素を用いずに製造する無機ＥＬ用蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 一般式［Ａ_ｘＡｌ_ｙＳ_ｚ：ＲＥ］で表され、Ａがアルカリ土類金属元素、希土類元素がＲＥである希土類添加硫化物蛍光体の製造方法であって、希土類元素ＲＥが、均一に分散した一般式［Ａ_ｘＡｌ_ｙＯ_ｚ：ＲＥ］の希土類添加酸化物を合成する第１の工程と、第１の工程で得られた一般式［Ａ_ｘＡｌ_ｙＯ_ｚ：ＲＥ］の希土類添加酸化物を、二硫化炭素を含む不活性ガス流通下で熱処理し、９００℃以上で流す二硫化炭素のモル数が第１の工程で得られる酸化物の酸素分モル数の７倍以上、３０倍以下の条件で還元硫化する第２の工程とからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタ
を有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成す
る。酸化物半導体層を減圧されたチャンバー内に導入後、窒素雰囲気下で加熱処理工程、
プラズマ（少なくとも酸素プラズマを含む）の導入工程を行い、成膜ガスを導入して酸化
物絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバＩＣの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化し、表示装置の大型化又は高精細化するための技術を提供する。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極に、オンしたトランジスタを介して信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのしきい値電圧のシフト及びオンしたトランジスタのしきい値電圧のシフトを抑制するものである。すなわち、高電位（ＶＤＤ）がゲート電極に印加されているトランジスタを介して（若しくは抵抗成分を持つ素子を介して）、交流パルスを劣化しやすいトランジスタのゲート電極に加える構成を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノクリスタルを含む発光デバイスを提供する。
【解決手段】発光デバイスが、層内に半導体ナノクリスタルを含む。該層は、半導体ナノクリスタルの単層にすることができる。該単層は、基板１上にパターンを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバＩＣの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第１のスイッチングトランジスタを介して高電位が供給される配線、及び第２のスイッチングトランジスタを介して低電位が供給される配線に接続し、第１のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック信号を入力し、第２のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板とＦＰＣとの貼り合わせにおいて、接続端子の電極（パッド）の線幅方向に位置ずれが生じると、ＦＰＣ端子と接続端子との接続面積が小さくなり、接触抵抗が大きくなってしまう。とくに、電源の電源電位が入力されている接続端子での接触抵抗の増加は表示不良の原因となる。そこで、電源供給ラインの抵抗を小さくし、電源供給ラインでの電圧降下を抑制し、表示不良を防止することを課題とする。
【解決手段】接続端子部には、複数の接続端子を有し、該複数の接続端子は、それぞれ接続端子の一部を成す接続パッドを備え、該複数の接続パッドには、第１の接続パッドと、該第１の接続パッドと線幅の異なる第２の接続パッドが含まれ、複数の接続パッドのピッチは等しくする。 （もっと読む）

【課題】電圧の印加に伴う発熱が抑制された発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光装置は、半導体層と、第１電極と、前記半導体層と第１電極とに挟まれた誘電体層と、前記半導体層の中、前記誘電体層の中、前記半導体層と前記誘電体層との間、または第１電極と前記誘電体層との間に形成された発光体とを含む発光素子と、前記半導体層と第１電極との間に電圧を印加するための電源回路とを備え、前記発光素子は、前記半導体層を正極とし第１電極を負極として前記誘電体層に電流を流した場合および前記半導体層を負極とし第１電極を正極として前記誘電体層に電流を流した場合のうち、一方の場合では電流を流すと発光するのに対し、他方の場合では電流を流しても実質的に発光せず、前記電源回路は、向きが一定の電流が発光を伴い前記誘電体層を流れるように前記発光素子と電気的に接続することを特徴とする。 （もっと読む）