【課題】簡単なプロセスで製造でき、濃淡に富んだ画像を表示することが可能な分散型ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】
分散型ＥＬ素子の製造工程において、連続的に厚みが変化する凸凹が表面に加工された型押し具Ｍを、誘電体層３に押し当てることにより、前記凸凹を反転させた形状の凹凸を誘電体層３に転写する。 （もっと読む）

【課題】輝度を落とすことなく表面防汚機能や室内の空気浄化性能が高く、さらに長期保存時にも輝度低下や膜物性が劣化することがないエレクトロルミネッセンス照明装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】エレクトロルミネッセンス素子を用いた照明装置の最表面に、平均深さ５ｎｍ〜３００ｎｍ、平均周期１０ｎｍ〜３００ｎｍの凹凸形状を持つ光触媒層１０９を設けたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス照明装置。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】表示装置あるいは太陽電池のいずれの半導体素子の製造工程において幅広く利用されている塑型もしくは表面加工工程において、処理工程数が少なく、簡便で選択精度に優れ、製造コストを削減できる塑型もしくは表面加工工程に使用できる水溶性ペーストを提供すること。
【解決手段】（Ａ）水溶性高分子、（Ｂ）界面活性剤並びに（Ｃ）無機物微粒子及び有機物微粒子からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する塑型または表面加工用水溶性ペースト組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】簡単なプロセスで製造出来、安定して高い輝度および発光効率が得られる分散型ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】本発明の分散型ＥＬ素子は、電子受容性の蛍光体粒子４Ａを含むｐ型層４−Ｐと、電子供与性の蛍光体粒子４Ｂを含むｎ型層４−Ｎと、が交互に積層された発光層４を備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域において、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第１の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 量子ドット層製造方法及び量子ドット層を含む量子ドット光電子素子を提供する。
【解決手段】 ソース基板上に自己組織化単層、犠牲層及び量子ドット層を順次に積層し、量子ドット層上にスタンプを位置させてスタンプで犠牲層及び量子ドット層をピックアップし、犠牲層を溶解させる液体で、前記量子ドット層から前記犠牲層を除去する量子ドット層製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】 高輝度な分散型無機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 正面電極と背面電極との間に、蛍光体粉末を樹脂に分散させた蛍光体層と絶縁体層の積層体を挟持してなる分散型無機ＥＬ素子において、少なくとも前記蛍光体層と前記正面電極との間に中間層を有し、該中間層の比誘電率（ε_１）と前記蛍光体粉末の比誘電率（ε_２）との比（ε_１／ε_２）が０．２以下であることを特徴とする分散型無機エレクトロルミネッセンス素子。 （もっと読む）

【課題】高い開口率を有し、安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼
性のよい表示装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動
回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物
半導体によって構成された駆動回路用薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動
回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体に
よって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用薄膜トランジスタ
と、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する。 （もっと読む）

【課題】ホログラムを用いたホログラムシートにおいて、その真正性を高めるために、照明光と同一の波長のホログラム再生像を再生するホログラムとは異なり、電圧を印加することで、照明光とは異なる波長のホログラム再生をする新規なホログラムシートを提供する。
【解決手段】ホログラム形成層２上にエレクトロルミネッセンス素子層３及び、全反射性薄膜４を設け、そのエレクトロルミネッセンス素子層３及び、全反射性薄膜層４が、ホログラムレリーフの形状を有することで、通常照明光下では通常のホログラムシートＡとしか認識できないホログラムシートＡに、所定の電圧を印加したときに、空間にその所定の波長のホログラムが浮き上がり、このことによって、そのホログラムが真正品であると判定可能な、偽造防止性の高いホログラムシートＡ。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用いた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。
同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】発光均一性を向上させつつ、輝度および発光効率の低下を抑制する。
【解決手段】分散型ＥＬ素子１０は、基板１上に形成された透明電極２、発光層３、誘電体層４、および背面電極５を積層して構成される。本発明に係る分散型ＥＬ素子では、発光層３と誘電体層４との間に、バインダー６Ａ中に誘電体粉末６Ｂを分散してなる中間層６が形成されている。中間層６は、誘電体粉末６Ｂがバインダー４Ａ中に分散混合されたペーストを発光層３上に塗布することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第１の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成し、該酸化物半導体膜に酸素を導入して少なくとも一部を非晶質化し酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第２の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成する。 （もっと読む）

【課題】高ＣＲＩのエレクトロルミネセンスランプを提供する。
【解決手段】エレクトロルミネセンス蛍光体とユーロピウム活性化アルカリ土類金属珪素窒化物蛍光体との混合物からなる蛍光体ブレンドであって、該エレクトロルミネセンス蛍光体が青色発光エレクトロルミネセンス蛍光体、青色−緑色発光エレクトロルミネセンス蛍光体又はこれらの組合せから選ばれる蛍光体ブレンドを使用して、高い演色指数（ＣＲＩ）を有するエレクトロルミネセンスランプを作成することができる。好ましくは、該ランプは、少なくとも約７５、更に好ましくは少なくとも約８０のＣＲＩを示す。好ましいブレンドは、約１０重量％〜約２０重量％のユーロピウム活性化アルカリ土金属珪素窒化物蛍光体を含有する。 （もっと読む）

【課題】高い無機ＥＬ蛍光体濃度と優れた塗工性を有する紫外線硬化可能な蛍光体組成物を提供する。
【解決手段】
無機ＥＬ蛍光体粒子、２５℃における比誘電率が１０〜３０の範囲である（メタ）アクリル酸エステル誘導体、およびＨＬＢ値が７以上であるリン酸エステル系分散剤を含む蛍光体組成物。蛍光体粒子は硫化亜鉛を母体とする硫化亜鉛蛍光体粒子であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 発光素子用として十分に高い発光輝度を有する分散型ＥＬ蛍光素子を提供する。
【解決手段】 第一の電極板と、第一の絶縁層と、面状欠陥を有する硫化亜鉛蛍光体粒子が流動性バインダー中に分散している流動性マトリックス層と、第二の絶縁層と、第二の電極板とを、この順に積層した積層体を準備する工程、
前記第一および第二の電極板によって前記流動性マトリックス層に電場を印加して、硫化亜鉛蛍光体粒子数を配向させる配向工程、および前記配向した硫化亜鉛蛍光体粒子を固定する固定工程を含む、分散型無機ＥＬ素子の製造方法。 （もっと読む）

【解決課題】輝点密度が高く、発光輝度を向上させる分散型無機ＥＬ素子を与える硫化亜鉛蛍光体粒子を提供する。
【解決手段】長軸長／短軸長で表される軸長比が１．０５〜１．５０の硫化亜鉛蛍光体粒子であって、長軸が前記粒子における硫化亜鉛立方晶の面状欠陥と平行であり、かつ前記長軸を法線とする面から硫化亜鉛蛍光体粒子を観察して得られる硫化亜鉛蛍光体粒子像の、円形度＝Ｌ^２／４πＡ（Ｌ：前記面から見た場合に観察される硫化亜鉛蛍光体粒子像の円周長、Ａ：前記面から見た場合に観察される硫化亜鉛蛍光体粒子像の面積）で定義される円形度が１．２５０以下である、硫化亜鉛蛍光体粒子およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】発光素子用として充分に高い発光輝度を有する分散型無機ＥＬ素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】平行な２つの電極板間に、面状欠陥を有する硫化亜鉛蛍光体粒子をバインダー中に分散してなる発光層を備える分散型無機ＥＬ素子であって、全硫化亜鉛蛍光体粒子数の９０％以上は長軸長／短軸長で表される軸長比が１．０５〜１．５０であり、かつ全硫化亜鉛蛍光体粒子数の４０％以上は、前記面状欠陥の法線と電極板主面の法線とのなす角度が７０〜９０度である分散型無機ＥＬ素子、および電場を印加して、前記面状欠陥の法線と電極板主面の法線とのなす角度が７０〜９０度となるように、硫化亜鉛蛍光体粒子配向させる工程を含む分散型無機ＥＬ素子の製造方法の提供。 （もっと読む）

【課題】 高い輝度と発光効率を両立させる。
【解決手段】 分散型ＥＬ素子１０は、透明電極２、バインダー３Ａ中に蛍光体微粉末３Ｂを分散してなる発光層３、バインダー４Ａ中に誘電体微粉末４Ｂを分散してなる誘電体層４、および背面電極５を積層して構成される。本発明の分散型ＥＬ素子では、発光層３の膜厚は８０〜１００μｍであり、背面電極５は誘電体層４上に圧着、蒸着もしくはスパッタリングにより形成される。 （もっと読む）