【課題】新規なヘテロ環化合物及びこれを含む有機発光素子を提供する。
【解決手段】下記化学式（1）で表示されるヘテロ環化合物及びこれを含む有機膜を備えた有機発光素子である:


A及びBは、各々独立して、置換または非置換のジベンゾフラン、置換または非置換のジベンゾチオフェン、置換または非置換のカルバゾール、置換または非置換のインダゾール(indazole)及び置換または非置換のフルオレンからなる群から選択される置換または非置換のヘテロ芳香族縮合多環基を表す。 （もっと読む）

【課題】発光素子に電流を供給するトランジスターの特性を十分な精度で補償する。
【解決手段】画素回路１１０は、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給するトランジスター１２４と、トランジスター１２４により供給された電流に応じた輝度で発光するＯＬＥＤ１３０とを含む。トランジスター１２４のゲート・ソース間を、初期化期間にリセットし、閾値補償期間に閾値電圧をセットする。書込期間の開始から階調レベルに応じた時間が経過したタイミングであって、当該階調レベルによって指定される階調が暗くなるにつれて時間的に早まるタイミングで、トランジスター１２４のゲート・ソース間に階調に応じた電圧分、変化させ、発光期間に第１トランジスター１２４のゲート・ソース間の電圧に応じた電流をＯＬＥＤ１３０に供給する。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上することができるＥＬ表示装置である。
【解決手段】薄膜トランジスタと、容量と、発光素子と、発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線と有するＥＬ表示装置である。発光素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に設けられたＥＬ材料とを有し、容量は、第２の領域と、第２の領域上に第１の絶縁膜を介して設けられる第３の領域とを有する。第１の絶縁膜は、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となり、さらに容量の絶縁膜となることができる。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極として機能する第１の導電層を形成する工程と、第１
の導電層を覆うように第１の絶縁層を形成する工程と、第１の導電層と一部が重畳するよ
うに、第１の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、半導体層と電気的に接続されるよう
に第２の導電層を形成する工程と、半導体層および第２の導電層を覆う第２の絶縁層を形
成する工程と、第２の導電層と電気的に接続される第３の導電層を形成する工程と、半導
体層を形成する工程の後、第２の絶縁層を形成する工程の前の第１の熱処理工程と、第２
の絶縁層を形成する工程の後の第２の熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】開口率の向上された発光装置である。
【解決手段】薄膜トランジスタと、容量と、発光素子と、発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線とを、プラスチック基板上に有する発光装置であって、配線は、容量の上に設けられ、容量は、配線の少なくとも一部と重なる領域を有する。発光素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に設けられたＥＬ材料とを有し、容量は、第２の領域と、第２の領域上に第１の絶縁膜を介して設けられる第３の領域とを有する。第１の絶縁膜は、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となり、さらに容量の絶縁膜となることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体層の上面部及び下面部に、酸化物半導体層と同種の成分でなるバッファ層が接して設けられたトランジスタ、及び該トランジスタを含む半導体装置を提供する。酸化物半導体層に接するバッファ層としては、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、又は希土類元素から選択された一以上の元素の酸化物を含む膜を適用することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御するため、薄膜トランジスタのチャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介してゲート電極を設けた際に、プロセス数の増加を招くことなく、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を得る。
【解決手段】酸化物半導体層１３１の上方に設ける第２のゲート電極１３３を形成するとき、酸化物半導体層１３１のパターニングと同時に形成することで、第２のゲート電極１３３の作製に要するプロセス数の増加を削減する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを
目的の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層に対して、窒素、または希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）
の不活性気体雰囲気下、或いは減圧下で脱水化、又は脱水素化処理のための加熱処理を行
い、酸素、酸素及び窒素、又は大気（好ましくは露点−４０℃以下、より好ましくは−５
０℃以下）雰囲気下で加酸化処理のための冷却工程を行うことで高純度化及びＩ型化した
酸化物半導体層を形成する。該酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する半導体装
置を作製する。 （もっと読む）

【課題】 駆動トランジスタのしきい値電圧を補償できる表示システムを提供する。
【解決手段】 第１及び第２節点のレベルをそれぞれ制御するスイッチングユニット及び制御ユニットを含む、少なくとも１つの画素を含み、第１期間では、前記第１節点のレベルは第１参照レベルと等しく、前記第２節点のレベルは第２参照レベルと等しく、第２期間では、前記第１節点のレベルは第３参照レベルと等しく、前記制御ユニットは、前記第１節点及び第２節点の電圧差を前記駆動ユニットのしきい値電圧と等しくし、第３期間では、前記第１節点のレベルは、前記データ信号と等しく、且つ第４期間では、前記駆動ユニットは前記第１節点及び第２節点の電圧差に基づき、前記発光ユニットを点灯する表示システム。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルエッチ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。 （もっと読む）

【課題】簡便な成膜プロセスにより作製した薄膜が良好な電荷移動度を示す、空気中の酸素に対して安定な液晶性半導体材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物又はその混合物を主成分とする液晶性有機半導体材料。


（式中、Ａ¹〜Ａ¹²はそれぞれ独立に、水素原子又はフッ素原子を示し、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基又は、炭素数１〜２０のアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルファニル基、アルコキシメチル基、アルコキシカルボニル基若しくはアルキルカルボニルオキシ基を示す。ｎは０又は１である。） （もっと読む）

【課題】構成する有機分子の配向が制御され、キャリア移動度が高いキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】キャリア輸送性のπ電子共役有機分子を基材上に蒸着させて、キャリア輸送性有機非晶質薄膜を製造する方法であって、前記有機分子のガラス転移点Ｔｇ［Ｋ］、前記薄膜の膜密度から算出される前記有機分子一分子あたりの体積Ｖ_ｍ［Å^３］、及び前記有機分子の蒸着速度Ｒ［Å／ｓｅｃ］を用いて下記式（Ａ）から算出される温度Ｔ_Ａ［℃］以上で、且つ１．１５Ｔｇ［Ｋ］以下である温度に、前記基材の温度を調節しながら、前記有機分子を蒸着させることを特徴とするキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法。
Ｔ_Ａ＝０．８５×Ｔｇ／（１＋０．０１８４６×ｌｎ（Ｖ_ｍ／（６００×Ｒ））−２７３ ・・・・（Ａ） （もっと読む）

【課題】信号の遅延が抑制された表示装置を提供する。また、低消費電力駆動が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素に共通電位を与える共通配線と、画素を駆動する信号を入力するための信号線との間の寄生容量を無くせばよい。具体的には、外部から信号が入力される外部入力端子よりも外側に共通配線を引き回し、信号線と共通配線との交差部を無くすことにより、共通配線と信号線との間の寄生容量がなくなり、表示装置の高速駆動と低消費電力駆動が実現できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による
脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素
ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後において
もトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタと
することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上を図ることが可能で且つ光取り出し効率の向上を図ることが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板１０と、基板１０の一表面側に設けられた第１電極２０と、基板１０の上記一表面側で第１電極２０に対向した第２電極５０と、第１電極２０と第２電極５０との間にあり発光層３２を含む機能層３０とを備えている。また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、機能層３０の側面側に設けられ第２電極５０と第１電極２０とを絶縁する絶縁層６０を備えている。この絶縁層６０は、吸湿剤を含有している。 （もっと読む）

【課題】画素間の発光を抑制するとともに、それぞれの画素の劣化を抑制した有機ＥＬ表示パネルを提供する。
【解決手段】
薄膜トランジスタ素子を含む駆動部が複数配置されてなるトランジスタアレイ基板１０１２と、トランジスタアレイ基板上に形成され、複数の駆動部に対応する各領域の一部分にコンタクトホール１０３ａが形成された層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜上に複数の駆動部に対応して配置され、対応するコンタクトホールを介して駆動部と電気的に接続された複数の画素電極１０４と、複数の画素電極が配置された領域および配置されていない領域上の全体に亘って形成された有機ＥＬ層１０５と、有機ＥＬ層上の全体に亘って形成された共通電極１０６とを備え、有機ＥＬ層における、層間絶縁膜のコンタクトホールのそれぞれに対応する領域および隣り合う画素電極の間に対応する領域１０５ａの電気抵抗率が、有機ＥＬ層における他の領域１０５ｂより高い。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】金属薄膜の一部または全部を酸化させた第１の層と酸化物半導体層の積層を
用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導
体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その絶縁層の形成時
に酸化物半導体層の積層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高温、高湿度環境下においても、導電性の劣化が少なく、かつ膜剥がれが抑えられた透明導電膜、及び透明導電膜を用いた、発光寿命に優れ、高温保存時の輝度低下が抑えられた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】基材３上にパターン状に形成された金属材料からなる第１導電層１と、導電性ポリマーとヒドロキシ基を有する構造単位を含むバインダー樹脂を含有する第２導電層を２有し、該バインダー樹脂のヒドロキシ基をエステル化処理した事を特徴とする透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】耐熱性無機基板上に塗布法で形成された高い仕事関数を有する有機ＥＬ用透明導電性基材とその製造方法、有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、主成分として有機インジウム化合物、または有機インジウム化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液、あるいは、主成分として有機錫化合物、または有機錫化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布工程、前記塗布膜を乾燥して乾燥塗布膜を形成する乾燥工程、前記乾燥塗布膜を無機化して、酸化インジウム、またはドーパント金属酸化物を含む酸化インジウムである導電性酸化物を主成分とする無機膜、あるいは酸化錫、またはドーパント金属酸化物を含む酸化錫を主成分とする無機膜を形成する無機化工程の各工程からなる塗布法により透明導電膜３を形成する有機ＥＬ用透明導電性基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子素子において中間層を形成するために使用する場合に特に有効な正孔注入／輸送又は電子阻止特性を有するオリゴマー及びポリマーを含むフィルムを提供する。
【解決手段】特定のフルオレンジイル構造を有する繰り返し単位を有する架橋性オリゴマー又はポリマーの１つ又は複数を含むフィルム （もっと読む）