【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】優秀な導電性及び大きい仕事関数を有する電極及びそれを含んだ電子素子を提供する。
【解決手段】グラフェン含有層と、前記グラフェン含有層上に形成される仕事関数傾斜層と、を含み、前記仕事関数傾斜層は、前記グラフェン含有層と接触する第１面、及び前記第１面に対向する第２面を有する単一層であり、前記仕事関数傾斜層の仕事関数は、前記第１面から前記第２面に向かう方向に沿って漸進的に増大する電極。 （もっと読む）

【課題】有機発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１、基板１０１上のＷＯ_ｘＮ_ｙ（２．２≦ｘ≦２．６、０．２２≦ｙ≦０．２６）を含むアノード層１１３、アノード層１１３上の発光構造層１２０、発光構造層１２０上のカソード層１３１を含む有機発光素子である。 （もっと読む）

【課題】電極の構成およびその製造方法が従来よりも、低コストで導電性能が低下せず、多数の製造工程を必要としない電極形成基板およびその製造方法および同電極形成基板を提供する。
【解決手段】ガラス基板２と、ガラス基板２上全体に成膜されたＩＴＯ３膜と、電極形状に形成された金属めっき膜５と、を有する電極形成基板１であって、ＩＴＯ膜３上には、パターニングされたストライクめっき膜４を備え、ストライクめっき膜４を介して、ＩＴＯ膜３と金属めっき膜５とは、密着し、ストライクめっき膜４上にのみ金属めっき膜５を形成し、金属めっき膜５は、電解めっきを用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】タンパク質半導体の導電型を容易に制御することができるタンパク質半導体の導電型の制御方法、これを利用したタンパク質半導体の製造方法およびｐｎ接合の製造方法を提供する。
【解決手段】アミノ酸残基全体の電荷量を制御することによりタンパク質半導体の導電型を制御し、ｐ型タンパク質半導体あるいはｎ型タンパク質半導体を製造し、ｐ型タンパク質半導体とｎ型タンパク質半導体とを用いてｐｎ接合を製造する。アミノ酸残基全体の電荷量の制御は、タンパク質に含まれる酸性のアミノ酸残基、塩基性のアミノ酸残基および中性のアミノ酸残基のうちの１つまたは複数個を自身の性質と異なる性質を有するアミノ酸残基に置換したり、タンパク質に含まれる酸性のアミノ酸残基、塩基性のアミノ酸残基および中性のアミノ酸残基のうちの１つまたは複数個を化学修飾したり、タンパク質の周りを囲む媒体の極性を制御したりすることにより行う。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法、酸化物半導体素子を含む表示装置、及び酸化物半導体素子を含む表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】酸化物半導体素子は、基板上に配置されるゲート電極と、リセス構造を含むゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の一側上に配置されるソース電極と、ゲート絶縁層の他側上に配置されるドレーン電極と、ゲート絶縁層、ソース電極、及びドレーン電極上に配置されるアクティブパターンとを含むようにすることができる。リセス構造はゲート電極の上部に位置するようにすることができ、アクティブパターンはリセス構造を埋め立てるようにすることができる。酸化物半導体素子がリセス構造を有するゲート絶縁層を具備することによって、電荷移動度、閾値電圧分布、動作電流などの多様な電気的特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】その比抵抗が問題となることがなく、他の機能層を積層するにあたり問題となる表面凹凸もなく、さらに製造が容易な導電性基板を提供する。
【解決手段】導電性基板を、三次元に伸びる複数の孔を有する多孔質層と、当該多孔質層上に形成された透明導電層と、から構成するとともに、前記多孔質層の少なくとも一部の孔に金属を充填し、当該金属が多孔質層の表面において前記透明導電層と接しているようにする。 （もっと読む）

【課題】輝度むらの低減を図ることが可能で且つキャリアの注入性を向上させることが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板１０と、基板１０の一表面側に設けられた第１電極２０と、基板１０の上記一表面側で第１電極２０に対向した第２電極４０と、第１電極２０と第２電極４０との間にあり発光層３２を含む機能層３０とを備えている。第２電極４０は、第２電極４０の外周に設けられた外周線部４２と、外周線部４２の一の位置から他の位置に架け渡され第２電極４０の中央部を通過する中央線部４３と、中央線部４３よりも断面積が小さい細線部４４とを備えて構成され、外周線部４２、中央線部４３及び細線部４４によって形成された隙間により、機能層３０からの光の取り出し用の開口部４１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換素子の材料として利用可能な、新規なポリマーとこれを含む有機半導体材料、並びにこれを用いた有機電子デバイス、光電変換素子及び太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】ヘテロ原子を有しても良い炭化水素置換基を有するチエノチオフェンモノマー（Ａｒ^１）、芳香族モノマー（Ａｒ^３）からなる繰り返し単位「−Ａｒ^１−Ａｒ^３−」と、Ｎ−アルキルイミドチオフェンモノマー（Ａｒ^２）、芳香族モノマー（Ａｒ^４）からなる繰り返し単位「−Ａｒ^２−Ａｒ^４−」を含む事を特徴とするコポリマー、これを含む有機半導体材料、並びにこれを用いた有機電子デバイス、光電変換素子及び太陽電池モジュール。 （もっと読む）

【課題】有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板１０１と、前記基板１０１上に形成されて有機発光素子を備える表示部１２０と、前記基板１０１上の前記表示部１２０の周辺に形成された非表示部と、前記表示部１２０上に形成され、無機物を含有する第１封止層を少なくとも一層と有機物を含有する第２封止層を少なくとも一層含む封止層であって、前記第１封止層と第２封止層とは前記表示部上に交互に積層される封止層と、を備え、前記基板１０１の非表示部と接触する前記封止層の端部の少なくとも一部は前記第１封止層のみを含む、有機発光表示装置１００である。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的
の一とする。
【解決手段】１３族元素および酸素を含む第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜と一部が接する
酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と
、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜とゲート電極の間の、酸化物
半導体膜と一部が接する第２の絶縁膜と、を有する半導体装置である。また、１３族元素
および酸素を含む第１の絶縁膜には、化学量論的組成比より酸素が多い領域が含まれる構
成とする。 （もっと読む）

【課題】透明基板として透明高分子フィルムを用いる場合において、透明高分子フィルム上の透明導電層が透明性および低抵抗性に優れるとともに、透明高分子フィルム上の透明導電層を密着させる密着層の透明性を確保しつつ透明導電層の密着性を向上させることが可能な有機発光素子を提供する。
【解決手段】透明高分子フィルム１８の一方面上に透明導電層２２を有する透明導電性積層体１２を透明電極として用いた有機発光素子において、透明高分子フィルム１８と透明導電層２２との間には、非晶質のチタン酸化物よりなる密着層２０が透明高分子フィルム１８および透明導電層２２の両方に接して設けられているとともに、透明導電層２２が非晶質のインジウム亜鉛酸化物で構成されている。 （もっと読む）

【課題】電荷移動度とイオン化ポテンシャルが優れると共に、塗布等により容易に製膜できるように有機溶媒への溶解度の高い有機半導体を提供する。
【解決手段】下式で表される有機半導体。


Ａｒ、Ａｒ’は共役構造を有する環状の化合物。Ｒ、Ｒ’は直鎖アルキル基、分岐アルキル基、直鎖アルコキシ基、分岐アルコキシ基、水素、ハロゲンのいずれか。Ｒ’’は直鎖アルキル基、分岐アルキル基、直鎖アルコキシ基、分岐アルコキシ基、水素、ハロゲンのいずれか。ｘ、ｙ、ｚは０．５の倍数で、ｘ≦ｚ、ｙ≦ｚ。ｎは１〜１０００の定数。 （もっと読む）

【課題】画素塗り分け用マスクを用いずに補助配線層と第２電極との良好な電気的接続を確保することが可能な有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置を提供する。
【解決手段】有機発光素子は、例えば、基板上に、補助配線層、陽極としての第１電極、画素間絶縁膜１５、発光層を含む有機層１６、および陰極としての第２電極２０をこの順に形成してなる。有機層１６の補助配線層１１ｂに対応する領域には、開口部１６ａが設けられると共に、補助配線層１１ｂ上には、複数の凸部１４ａを有する接続部１４が形成されている。有機層１６の開口部１６ａにおいて、接続部１４により補助配線層１１ｂと第２電極２０とが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 トランス５００の１次巻線Ｔ１と２次巻線Ｔ２を効率よく巻くことにより、漏れ磁束を低減し、トランス５００の損失及び電源装置２００内の回路の損失を少なくする。
【解決手段】 電源装置２００のトランス５００は、センタコア５２１に対して１次巻線Ｔ１が２列巻かれる第一プライマリ層Ｐ１と、第一プライマリ層Ｐ１に対して２次巻線Ｔ２が２列巻かれる第一セカンダリ層Ｓ１と、第一セカンダリ層Ｓ１に対して、第一プライマリ層Ｐ１に巻かれた１次巻線Ｔ１が延長されて、さらに２列巻かれる第二プライマリ層Ｐ２と、第二プライマリ層Ｐ２に対して、第一セカンダリ層Ｓ１に巻かれた２次巻線Ｔ２が延長されて、さらに２列巻かれる第二セカンダリ層Ｓ２と、を有するので、トランス５００の１次巻線Ｔ１と２次巻線Ｔ２を効率よく巻くことにより、漏れ磁束を低減し、トランス５００の損失及び電源装置２００内の回路の損失を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの作製工程において、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、ゲート絶縁膜、ゲート電極層、酸化アルミニウム膜を順に作成した後、酸化物半導体層および酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、かつ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体層を形成する。また、酸化アルミニウム膜を形成することにより、該トランジスタを有する半導体装置や電子機器の作製工程での熱処理でも大気から水や水素が酸化物半導体層に侵入し、拡散することを防止することができ、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】大型化した場合であってもその比抵抗が問題となることがなく、光を効率的に透過させることができ、且つ機能層の選定が容易な導電性基板を提供すること。
【解決手段】透明な支持基板と、この支持基板上に形成された透明導電層とを有する導電性基板であって、前記透明導電層の表面には凹溝が形成されている。 （もっと読む）