【課題】燐光発光材料を用いた有機ＥＬ素子において有効な材料を提供する。
【解決手段】一般式（１）


（式中、環Ａ、Ｂ及びＣは、芳香環、又はヘテロ芳香環を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、及びＲ^４は、水素原子、脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、シアノ基、アリール基、アリールオキシ基、又はヘテロアリール基を表す。Ａｒ^１及びＡｒ^２は、置換基を有してもよいアリール基、又はヘテロアリール基を表す）で表されるアミン化合物を、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層、正孔輸送層及び正孔注入層のいずれか一層以上に用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電荷輸送能が高い重合体、該重合体からなる有機電界発光素子材料及び該重合体を含む有機電界発光素子用組成物を提供することを課題とする。
本発明はまた、発光効率が高い有機電界発光素子、並びに高品質の有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ照明を提供することを課題とする。
【解決手段】アリールアミン骨格を含む重合体において、主鎖に、ｓｐ３炭素原子を連続して有する、特定の繰り返し単位を含むことを特徴とする、重合体。 （もっと読む）

【課題】
ＴＦＴ基板の電流取出用端子と画素電極間の導通性を向上させることによって、優れた発光特性の発揮を期待できる有機発光装置を提供する。
【解決手段】基板１０の片面に、平坦化膜１１、被覆膜２０、陽極２、ホール注入層４を形成する。平坦化膜１１は被覆膜２０で被覆する。ホール注入層４上にホール輸送層６Ａ、発光層６Ｂ、陰極８を順次積層して有機発光装置１を構成する。被覆膜２０及びホール注入層４は所定の成膜条件で成膜した膜厚２ｎｍ以上の酸化タングステン層とし、かつ、その電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも１．８〜３．６ｅＶ低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させる。ソース電極１７と陽極２とを被覆膜２０を介して電気接続する。 （もっと読む）

【課題】 電荷輸送性や移動度が高く、安定性に優れた有機半導体層、及びＯｎ／Ｏｆｆ比が高い有機電子デバイスを得ること。また、この有機電子デバイスを低コストに製造すること。
【解決手段】 特定構造の有機半導体材料と特定の有機化合物とを含有する有機電子デバイス用組成物を用いる。具体的には、アヌレン構造を有する有機化合物、及び芳香環基とアルキル基がエステル結合、カルボン酸アミド結合、カルボニル結合又はフェニルエステル結合している有機化合物を含有することを特徴とする有機電子デバイス用組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】高温、高湿度環境下においても透明性、導電性の劣化が少なく、かつ膜剥がれが抑えられた透明導電膜、及び透明導電膜を用いた、発光寿命に優れ、高温保存時の輝度低下が抑えられた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること。
【解決手段】基材上にパターン状に形成された金属材料からなる第１導電層１と、導電性ポリマーとバインダー樹脂を含有する第２導電層２とを有し、該バインダー樹脂がヒドロキシ基を有する構造単位を含む樹脂を酸無水物または酸ハライドで置換処理されたものである事を特徴とする透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の酸化絶縁膜を形成し、該第１の酸化絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、第１の酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させつつ、第１の酸化絶縁膜に含まれる酸素の一部を第１の酸化物半導体膜に拡散させ、水素濃度及び酸素欠陥を低減させた第２の酸化物半導体膜を形成する。次に、第２の酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜を形成した後、第２の酸化絶縁膜を形成して、当該第２の酸化絶縁膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜の端部を覆う保護膜を形成する。この後、第３の酸化物半導体膜及び保護膜上に一対の電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】電源パッドから電流出力用ＭＯＳトランジスタまでの距離に関わらず、各電流出力用ＭＯＳトランジスタから定電流が出力できるようにすること。
【解決手段】電流駆動部３において、電源パッドＰ１（電源電位ＶＤＤ）から各駆動セルまでの距離にかかわらず、駆動セル内のＰ型ＭＯＳトランジスタの基板電位が共通となるように、電源電位ＶＤＤの配線（Ｌ１）とは別に基板電位を設定するための配線（Ｌ２）を設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】正孔注入性および正孔輸送性に優れた材料を提供することを目的とする。また、
正孔注入性および正孔輸送性に優れた材料を用いた発光素子および発光装置を提供するこ
とを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表されるカルバゾール誘導体を提供する。本発明のカルバゾ
ール誘導体は、正孔注入性、正孔輸送性に優れている。また、本発明のカルバゾール誘導
体を発光素子または発光装置に適用することで、駆動電圧の低減、発光効率の向上、長寿
命化、信頼性の向上を実現することができる。
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【課題】高分子及び該高分子を含む有機発光素子を提供する。
【解決手段】下記化学式１で表される反復単位を含んだ高分子：


前記化学式１のうち、Ｒ_１〜Ｒ_８、Ｒ_１１〜Ｒ_３９、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３、ａ、ｂ、ｃ及びｍについては、本明細書の詳細な説明を参照する。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く、長寿命で、駆動電圧の上昇が小さい有機エレクトロルミネッセント素子を提供する。
【解決手段】陽極と、トリフェニルアミン構造を部分構造として含むトリアリールアミン誘導体及び電子受容性化合物を含有する正孔注入層と、式（２）で表わされる繰り返し単位を有するポリマーを含有する正孔輸送層と、トリフェニルトリアジン構造を部分構造として含むトリアリールトリアジン誘導体及び燐光発光体を含有する発光層と、陰極とがこの順序で積層されてなる有機エレクトロルミネッセント素子。


（式（２）中、Ｒ¹〜Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリール基、または炭素数１〜１０のアルキル基で置換されていてもよいシリル基を表し、Ｒ⁹は炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜１０のアリール基を表す。） （もっと読む）

【課題】出力の安定性を確保すると共に、発光制御信号の幅を自由に調整できる様にする。
【解決手段】第１出力端子３７と第１電源ＶＤＤ間に接続され、第１ノードＮ１に印加された電圧によりターンオン／オフされる第１トランジスタ（Ｔｒ）Ｍ１と、第１出力端子３７とＶＤＤよりも低い電圧の第２電源ＶＳＳ間に接続され、Ｎ２に印加された電圧によりターンオン／オフされる第２ＴｒＭ２と、第４入力端子３６とＮ１間に接続され、ゲート電極が第１入力端子３３に接続される第３ＴｒＭ３と、ＶＤＤとＮ２間に接続され、ゲート電極がＮ１に接続される第４ＴｒＭ４と、第１入力端子３３及び第２入力端子３４に接続され、第２出力端子３８にサンプリング信号を供給する為の第１制御部１００と、第１入力端子３３及び第３入力端子３５に接続され、Ｎ２の電圧を制御する為の第２制御部１０２と、第２入力端子３４とＮ２間に接続される第１キャパシタＣ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの寄生容量の容量値の低減を図ることにより、画素回路や周辺回路が実行する回路動作を確実に行うことができるようにした表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】画素（画素回路）を構成する画素トランジスタ８０、即ち、駆動トランジスタ及び書込みトランジスタの少なくとも一方としてＬＤＤ構造のトランジスタを用いる。そして、画素トランジスタ８０のＬＤＤ領域８７の幅Ｗ₁をチャネル領域８３の幅Ｗ₂よりも狭く設定することで、画素トランジスタ８０に付く寄生容量、即ち、ＬＤＤ領域８７−ゲート電極８１間に形成される寄生容量の容量値を小さくする。 （もっと読む）

【課題】駆動トランジスタを用いることなく、有機ＥＬ素子の駆動電流のピーク値を小さくし、電流密度を低減できる有機発光ダイオード表示装置およびその駆動方法を得る。
【解決手段】データライン３１がソース端子に、ゲートライン２１がゲート端子に接続された選択トランジスタ５１、アノードがドレイン端子に、カソードが定電位の電極に接続された有機ＥＬ素子５２、ドレイン端子とアノードとの接続点に一端が接続されたキャパシタ５３を有する画素回路５０と、キャパシタ５３の他端に接続されたエミッションコントロールライン４１と、エミッションコントロールライン４１の電位を、選択トランジスタ５１がオン状態の間、有機ＥＬ素子５２のしきい値電位よりも低い値に保持し、選択トランジスタ５１がオフ状態になった後、１Ｖ期間かけて所定の電位まで上昇させるエミッションコントロールライン駆動回路４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】高い電荷の移動度が得られる高分子化合物を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物。


［Ａｒ^１及びＡｒ^２は、芳香族炭化水素環、複素環、又は芳香族炭化水素環と複素環との縮合環である。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換シリル基、非置換若しくは置換のカルボキシル基、１価の複素環基、シアノ基又はフッ素原子を示す。］ （もっと読む）

【課題】特性に優れた発光装置を提供することを課題とする。また、特性に優れた発光装
置を有する電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】互いに発光色が異なる第１の発光素子、第２の発光素子及び第３の発光素子を有し、第１の発光素子、第２の発光素子及び第３の発光素子の構成はそれぞれ異なる。第１の発光素子は、第１の発光層及び第２の発光層を有する。第２の発光素子は、第３の発光層とキャリアの移動を制御する層とを有する。第３の発光素子は、第４の発光層を有する。 （もっと読む）

【課題】発光期間制御用トランジスタのオフ時のリーク電流に起因する表示不良の発生を抑制した有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ素子と、駆動用トランジスタと、発光期間制御用トランジスタと、を含む複数の画素と、データ線と、制御線と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、ある画素において、発光期間制御用トランジスタのオフ時における、発光期間制御用トランジスタのソース電極とドレイン電極間の抵抗値Ｒｏｆｆ＿ＩＬＭと、駆動用トランジスタのゲート電極に最小階調表示データ電圧が印加された状態における、駆動用トランジスタのソース電極とドレイン電極間の抵抗値Ｒｂｋ＿Ｄｒとは、
Ｒｏｆｆ＿ＩＬＭ≧Ｒｂｋ＿Ｄｒ （１）
の関係を満たすことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 （もっと読む）

【課題】電気容量を小さくできる層間絶縁膜を形成可能な感光性樹脂組成物を提供すること。また、前記感光性樹脂組成物を用いた硬化膜の形成方法、前記形成方法により形成された硬化膜、及び、前記硬化膜を含む有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】（成分Ａ）式（ａ１）〜式（ａ４）で表される構成単位を少なくとも有する共重合体、（成分Ｂ）式（Ｂ）で表されるオキシムスルホネート化合物、（成分Ｃ）塩基性含窒素環状化合物、及び、（成分Ｄ）溶剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物、前記感光性樹脂組成物を用いた硬化膜の形成方法、前記形成方法により形成された硬化膜、並びに、前記硬化膜を含む有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置。
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