【課題】複数の有機ＥＬ素子への供給電流ばらつきを低減する。
【解決手段】有機ＥＬ素子５０と電源ラインＶＬとの間に、電源ラインＶＬから供給する電流量を制御する素子駆動用ＴＦＴ２０を備え、ＴＦＴ２０のチャネル長方向を、画素の長手方向、又はＴＦＴ２０を制御するスイッチング用ＴＦＴ１０にデータ信号を供給するデータラインＤＬの延在方向、又はＴＦＴ２０の能動層１６を多結晶化するためのレーザアニールの走査方向に平行な方向に配置する。さらに電源ラインＶＬとＴＦＴ２０の間にＴＦＴ２０と逆特性の補償用ＴＦＴ３０を備えていても良い。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスが容易でありながら、長寿命を達成可能なデバイスを提供する。
【解決手段】モリブデン錯体の反応生成物又はタングステン錯体の反応生成物であり、モリブデン錯体又はタングステン錯体が、カルボニル基及び水酸基の少なくとも１つを有する有機溶媒と酸化還元反応して得られたモリブデン又はタングステン含有有機−無機複合酸化物である、正孔注入輸送層形成用材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタを作製する際、従来のＣＶＤ法により形成される膜よりも高品
質の膜を形成すること、熱酸化法で形成される膜と同等又はそれ以上の品質の膜を基板に
影響を及ぼさない温度で形成することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板、所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜、
ゲート電極及び該ゲート電極から延びた配線、ゲート絶縁膜となる絶縁膜、保護膜の少な
くとも一つに対し、ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より１００℃以上低い温度と
し、低電子温度且つ高電子密度でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなう。 （もっと読む）

【課題】動作性能及び信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも第１及び第２のチャネル形成領域と、第１及び第２のチャネル形成領域の間に第１及び第２のＬＤＤ領域と、第１及び第２のＬＤＤ領域の間に第１及び第２のＬＤＤ領域よりも高い濃度の不純物領域と、第１及び第２のゲート電極と、を有する第１のトランジスタと、第３のチャネル形成領域と、第３のチャネル形成領域を挟み、かつ一部がゲート電極と重なる不純物領域と、を有する第２のトランジスタとを有するＥＬ表示装置であって、ＬＤＤ領域は、第１及び第２のゲート電極と重ならず、第１のトランジスタのソース又はドレインの一方が、第２のトランジスタのゲート電極に電気的に接続され、第２のトランジスタのソース又はドレインの一方が、ＥＬ素子に電気的に接続しているＥＬ表示装置。 （もっと読む）

【課題】高い溶解性を示し、加工性に優れたものであって、高い導電性と透明性とを有する透明導電膜の材料として有用である導電性ベンゾチアジアゾール共重合体組成物を提供する。
【解決手段】化学式(I)で表される繰り返し単位を有するベンゾチアジアゾール共重合体とドーパントとを含有する導電性ベンゾチアジアゾール共重合体組成物。


[式(I)中、Ｗ及びＹは２価のチオフェン環、ｎ及びｍは０〜１、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は下記化学式(II)Ｒ^５−[Ｘ^１−(ＣＨ_２)_ａ]_ｂ−(Ｘ^２)_ｃ−・・・（II）(Ｘ^１及びＸ^２は同一又は異なる酸素原子若しくは硫黄原子、[Ｘ^１−(ＣＨ_２)_ａ]は繰り返し単位毎にＸ^１と−(ＣＨ_２)_ａ−とが同一又は異なり、ａは１〜２０、ｂは０〜２０、ｃは０〜１)で示される側鎖基である] （もっと読む）

【課題】電極としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いることなく、透明性と導電性とを両立する透明導電フィルム、その製造方法及びそれを用いた有機薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】支持体１２上に、同一組成の導電メッシュ１４とバスライン１６と、該導電メッシュ１４とバスライン１６とで区画される開口部２２に少なくとも配置される導電性ポリマー層１８を含んで構成される透明導電フィルム１０である。 （もっと読む）

【課題】高い溶解性を示し、加工性に優れたものであって、高い導電性と透明性とを有する透明導電膜の材料として有用である導電性チエノピラジン共重合体組成物を提供する。
【解決手段】化学式(I)で表される繰り返し単位を有するチエノピラジン共重合体とドーパントとを含有する導電性チエノピラジン共重合体組成物。


[式(I)中、Ｒ^１及びＲ^２は夫々水素原子、アリール基、又は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｗ及びＹは夫々２価のチオフェン環、ｎ及びｍは０〜１、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は夫々下記化学式(II)Ｒ^７−[Ｘ^１−(ＣＨ_２)_ａ]_ｂ−(Ｘ^２)_ｃ−・・・（II）(式(II)中、Ｒ^７は水素原子、又は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｘ^１及びＸ^２は同一又は異なる酸素原子若しくは硫黄原子、[Ｘ^１−(ＣＨ_２)_ａ]は繰り返し単位毎にＸ^１と−(ＣＨ_２)_ａ−とが同一又は異なり、ａは１〜２０、ｂは０〜２０、ｃは０〜１)で示される側鎖基] （もっと読む）

【課題】汎用性の高いフレキシブル基材上にシート抵抗値が十分に小さく、湿熱条件後及び屈曲後においてもシート抵抗値の上昇が抑制できる透明導電層を具備する透明導電性フィルム及びその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた太陽電池及びエレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】フレキシブル基材１１の少なくとも片面に、（Ａ）ポリオルガノシロキサン系化合物を含有するコート材料からなるアンダーコート層１２と、（Ｂ）透明導電層１３とが順次形成された透明導電性フィルム１０とする。 （もっと読む）

【課題】低仕事関数金属の使用や不純物ドーピングなしで伝導特性を制御し得る電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による電子デバイスは、電極層と半導体層とが吸着した吸着部を有する電子デバイスであって、前記吸着部において、前記電極層の原子表面と前記半導体層の原子表面との距離は、前記電極層の前記原子表面と前記半導体層の前記原子表面とが安定して吸着する安定吸着距離より短い。前記吸着部への加重によって、前記距離を前記安定吸着距離より短くする加重部を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高く、かつ、オン電流の大きい半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体層のチャネル領域に接する絶縁層として、酸素放出量の多い絶縁層を用い、酸化物半導体層のソース領域及びドレイン領域に接する絶縁層として、酸素放出量の少ない絶縁層を用いる。酸素放出量の多い絶縁層から酸素が放出されることにより、チャネル領域中の酸素欠損及び当該絶縁層とチャネル領域の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。ソース領域及びドレイン領域については、酸素放出量の少ない絶縁層に接して設けることで、ソース領域及びドレイン領域の高抵抗化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】基板やゲート絶縁膜の露出表面と、ソース電極およびドレイン電極の露出表面とに、良好で均一な膜質の半導体薄膜を設けることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１ａは、有機材料または酸化物材料またはシリコン系材料からなるゲート絶縁膜（絶縁層）１５上に、導電性酸化物材料からなる酸化物材料層１７-aとこの上部の金属材料層１７-bとからなるソース電極およびドレイン電極が設けられたものである。そしてゲート絶縁膜（絶縁層）１５とソース電極１７ｓおよびドレイン電極１７ｄとにおける酸化物材料層１７-aとの露出面が、自己組織化膜１９で覆われており、この自己組織化膜１９で覆われた上部のソース電極１７ｓ−ドレイン電極１７ｄ間にわたって半導体薄膜２１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】低誘電率特性、低リーク電流特性、および高絶縁破壊電圧特性に優れ、しかも、透明性が高い樹脂膜を備える半導体素子基板を提供すること。
【解決手段】バインダー樹脂（Ａ）、酸性基を有する化合物（Ｂ）、架橋剤（Ｃ）を含有してなる樹脂組成物からなる樹脂膜を有する半導体素子基板であって、前記架橋剤（Ｃ）は、分子量が１００〜５００であり、かつ、前記架橋剤（Ｃ）のＳＰ値をＳＰ_１とし、ＳＰ値が１９６２０（Ｊ／ＣＵＭ）^１／２であるアリルグリシジルエーテルのＳＰ値をＳＰ_２とした場合に、ＳＰ_１−ＳＰ_２＝−１９００〜５４００（Ｊ／ＣＵＭ）^１／２の関係にあるＳＰ値を有し、前記バインダー樹脂（Ａ）１００重量部に対する、前記架橋剤（Ｃ）の含有量が１〜５００重量部であり、前記樹脂膜は、前記半導体素子基板に実装されている半導体素子表面、または前記半導体素子に含まれる半導体層と接触して形成されており、該樹脂膜中の無機イオン含有量が１〜１０００ｐｐｂであることを特徴とする半導体素子基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】画素構造を最適化することにより、開口率を向上させたＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチング用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極および電流制御用ＴＦＴのゲート電極と同一面上に設けられたソース配線と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極、電流制御用ＴＦＴのゲート電極、およびソース配線を覆う絶縁膜と、ソース配線および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第１の接続配線と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第２の接続配線と、電流制御用ＴＦＴの半導体層と電気的に接続された画素電極と、発光層と、画素電極と対向する電極とを有するＥＬ素子とを有するＥＬ表示装置。 （もっと読む）

【課題】硫化亜鉛蛍光体の導電性およびＥＬ素子に加工された際のＥＬ輝度を改善させる方法を提供する。
【解決手段】銅、銀、金、マンガンおよび希土類元素の少なくとも１種類を発光中心金属として含有する硫化亜鉛系蛍光体前駆体と融剤とを混合する混合工程、前記混合物を焼成し、前記硫化亜鉛系蛍光体前駆体を六方晶に転移させる第一焼成工程、前記第一焼成工程で得られた第一焼成物を表面改質剤を含む液体媒体に浸漬する工程、および、前記浸漬工程を経た第一焼成物を再度焼成し、立方晶に転移させる第二焼成工程を含む硫化亜鉛系蛍光体の製造方法であって、前記表面改質剤が、硫化亜鉛との反応によって前記第一焼成物の表面に導電性物質の被膜を形成することが可能な試薬であることを特徴とする硫化亜鉛系蛍光体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】画素部の外郭側面にそれぞれ画素電源供給用ＦＰＣＢが付着されてこれを通じて前記画素部の４面でそれぞれ画素電源を印加することで、画素部に供給される画素電源の電圧降下を最小化する有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】画素部が形成された有機電界発光表示パネルと、前記画素部の第１乃至第４外郭側面に位置されて、前記画素部にそれぞれ画素電源を供給するための複数の電源ＯＬＢパッドと、前記電源ＯＬＢパッドに連結されて前記画素部に画素電源を提供する画素電源線と、前記電源ＯＬＢパッドとポンディングされる画素電源供給用ＦＰＣＢと、前記第１乃至第４外郭側面のうち少なくとも一つの外郭側面に位置され、前記画素部に駆動信号を供給するための複数の信号ＯＬＢパッドと、前記信号ＯＬＢパッドに連結されて前記画素部に駆動信号を提供する信号線と、前記信号ＯＬＢパッドとポンディングされる駆動ＩＣが実装されたＴＣＰと、を含む （もっと読む）

【課題】高いキャリア輸送性を発揮し得るとともに、均一な特性が得られる有機半導体組成物を提供すること。
【解決手段】キャリア輸送性を有する高分子化合物と、低分子化合物と、を含み、低分子化合物が、式（１）で表される構造を有するものであり、且つ、高分子化合物と低分子化合物との合計１００質量部に対する、低分子化合物の含有割合が、５〜９５質量部である、ことを特徴とする有機半導体組成物。


［式中、Ｅは硫黄原子又はセレン原子を表し、３つのＥはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。式中の芳香環は、置換基を有していてもよい。］ （もっと読む）

【課題】導電性に優れた複合材料、および複合材料を用いた発光素子、並びに発光装置を提供する。また、大量生産に適した発光素子の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、一対の電極間に、発光物質を含む層を有し、発光物質を含む層は、有機化合物と、有機化合物に対し電子受容性を示す無機化合物とを含む複合材料を含んでいることを特徴とする。本発明の発光素子は、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含んでいるため、キャリア注入性、キャリア輸送性、導電性に優れ、駆動電圧を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】出光側の電極が抵抗値の高い透明電極である場合に、その透明電極上に補助電極を容易且つ安定して形成することができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に第１電極２を形成する工程と、第１電極２から有機ＥＬ層６（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）に電荷を供給する領域Ｂを画定するための絶縁層３を所定のパターンで形成する工程と、絶縁層３上に、逆テーパー部５を両壁面又は片壁面に有する隔壁４を形成する工程と、第１電極２上に有機ＥＬ層６を形成する工程と、有機ＥＬ層６の上方向から全面に第２電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第２電極７を形成する工程と、隔壁４上の領域Ｃとその隔壁４を平面視で挟む両側又は片側に設けられた絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域（Ａ１及び／又はＡ２）とからなる領域Ｄに補助電極８を形成する工程と、を有する方法で有機ＥＬ素子１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性を向上させる。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、第１３族元素および酸素を含む材料を用いて酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成することにより、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つ。さらに該絶縁膜が、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むことにより、酸化物半導体膜に酸素を供給し、酸化物半導体膜中の酸素欠陥を低減する。また、酸化物半導体膜と接する絶縁膜を積層構造として、酸化物半導体膜の上下に、アルミニウムを含む膜を設けることで、酸化物半導体膜への水の侵入を防止する。 （もっと読む）

【課題】片チャネルのトランジスタで構成された容量素子を含む回路構成のインバータ回路を有する駆動回路部を表示パネル上に実装するに当たって、表示パネルの狭額縁化を可能にする。
【解決手段】容量素子を含む回路構成の駆動回路部、例えば書込み走査回路を表示パネル７０上に実装する。その際に、画素アレイ部３０の周辺部、即ち、表示パネル７０の額縁領域に、有機ＥＬ素子２１の有機層２１２と同一プロセスにて有機層９２を形成する。そして、表示パネル７０の額縁領域に形成した有機層９２を、誘電体として用いて容量素子９０を形成する。 （もっと読む）