【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第１のゲート絶縁膜と第２のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下（好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下）とする。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子を光源とする有機ＥＬ照明モジュールにおいて、ノイズ電圧が重畳された場合でも、発光パネルの動作を安定化する。
【解決手段】有機ＥＬ照明モジュール１は、有機ＥＬ素子を光源とする発光パネル２と、発光パネル２を支持する支持部材３、４と、を備える。支持部材３は導電性部材として機能し、支持部材３と発光パネル２の負電極２５との間に容量成分Ｃ１が設けられる。有機ＥＬ照明モジュール１に交流電源にコモンモードのノイズ電圧が重畳された場合等でも、そのノイズ電圧によるパルス電流が容量成分Ｃ１により吸収されるので、発光パネル２の動作を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】キノリン環に少なくとも２個の置換基を含む２−フェニルキノリン配位子を含む新規の燐光性金属錯体を提供する。
【解決手段】開示された化合物は、精製を容易にしおよび様々なＯＬＥＤ素子の作製を可能にする低い昇華温度を有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】焼成によるコンタクトホールにおけるコンタクト抵抗値の増加を抑制して、良好な品質を備えた有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】金属から成る配線部を含むＴＦＴ層が上面に形成された基板を準備する第１の工程と、前記ＴＦＴ層の上に絶縁膜用材料の層を積層する第２の工程と、前記配線部の一部が露出するように、前記絶縁膜用材料の層にコンタクトホールを形成する第３の工程と、前記絶縁膜用材料の層を、酸素を含む雰囲気で加熱焼成して絶縁膜層を形成する第４の工程と、前記第４の工程において前記配線部の表面の金属が酸化して形成された金属酸化物をエッチャントに溶解させて除去する第５の工程と、前記コンタクトホールにおいて前記配線部の一部に電気的に接続するように画素電極を形成し、前記画素電極の上方に有機発光層を形成し、前記有機発光層の上方に対向電極を形成する第６の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電子注入効率が高く低電圧駆動が可能な有機発光素子を製造する方法を利用する際に使用される蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着材料２５を収容する収容容器２３と、収容容器２３内に収容される蒸着材料５をガス状態にする加熱手段（熱源２２）と、を有する蒸着装置において、収容容器２３と被蒸着基材との間であって、ガス状態の蒸着材料が通過する位置に媒体２１を有し、媒体２１と前記被蒸着基材との間に媒体２１が発する熱を遮蔽する遮蔽部材が配置されていることを特徴とする蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】新規のアリールシリコンおよびアリールゲルマニウムホスト材料、および詳細にはトリフェニレンおよびピレンフラグメントを含有するホスト材料を記載する。
【解決手段】ＯＬＥＤの発光層中にホストとして使用される場合、この化合物は、ＯＬＥＤ素子の性能を改善する。 （もっと読む）

【課題】発光層中のリン光発光性ドーパントを高濃度化させることなく、正孔輸送層と発光層との正孔注入性を向上させ、長寿命であり、且つ非発光時の保存性（耐熱性、耐光性）に優れる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】ホスト化合物とリン光発光性ドーパント化合物とを含有する発光層と、発光層に隣接し正孔輸送材料を含有する正孔輸送層と、を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、ホスト化合物の最高占有分子軌道ＨＯＭＯ（Ｈ）と正孔輸送材料の最高占有分子軌道ＨＯＭＯ（ＨＴ）との関係が、０≦ＨＯＭＯ（Ｈ）−ＨＯＭＯ（ＨＴ）≦０．４２を満たし、発光層内のリン光発光性ドーパント化合物の濃度が、ホスト化合物に対し３〜５ｖｏｌ％である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制すること。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくともゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域は、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さくする。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 （もっと読む）

【課題】良好な発光特性を有する有機発光装置を得るための有機発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】有機平坦化層が設けられた基板の上に耐エッチング保護層を形成する工程と、前記耐エッチング保護層の上に複数の電極を形成する工程と、前記複数の電極が形成された基板の上に有機化合物層を形成する工程と、前記複数の電極のうち一部の電極の上に形成された前記有機化合物層の上に、フォトリソグラフィー法を用いてレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に覆われていない領域の前記有機化合物層をドライエッチングにて除去する工程と、を有しており、前記複数の電極を形成する工程までの工程において、前記有機平坦化層の表面全体が、前記耐エッチング保護層及び前記電極のいずれかに覆われる。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブルで、軽く、安定で高導電性の導電材料およびこれを用いた電気素
子を提供する。
【解決手段】
本発明の導電材料は、少なくとも一つの次元方向が２００ｎｍ以下であり、かつ炭素原
子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び多層グラフェンの少なく
とも１種よりなるカーボン材料と、金属の粒子及び線材の少なくとも１種よりなる金属材
料とが、混合及び／又は積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開口部をシンプルにしてシュリンクの問題を解決する。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチングトランジスタと、消去用トランジスタと、を画素内に有する３トランジスタ型の発光装置の場合において、スイッチング用ＴＦＴ５５０５と消去用ＴＦＴ５５０６の２つのＴＦＴを、第１のゲート信号線５５０２と第２のゲート信号線５５０３の間に配置する。このように配置することで開口率を上げ、開口部もシンプルな形状にすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】動作不良を抑制する。
【解決手段】電界効果トランジスタと、スイッチと、容量素子と、を設ける。電界効果トランジスタは、チャネル形成領域を介して互いに重畳する第１のゲート及び第２のゲートを有し、第２のゲートの電位に応じて閾値電圧の値が変化する。スイッチは、電界効果トランジスタのソース及びドレインの一方と、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと、を導通状態にするか否かを制御する機能を有する。容量素子は、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと電界効果トランジスタにおけるソース及びドレインの他方との間の電圧を保持する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】接続抵抗を低減することの可能な回路基板およびその製造方法、ならびに、上記の回路基板を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】回路基板は、素子と、接続端子と、これらを電気的に接続するコンタクト構造とを備えている。ここで、コンタクト構造は、接続端子側に設けられたＡｌ系金属層と、Ａｌ系金属層上に設けられた有機導電層と、有機導電層上に設けられるとともに素子と接する導電層とを有している。 （もっと読む）

【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造
可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとす
る。
【解決手段】第１の加熱処理で第１の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第２の酸化
物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第２の加熱処理によ
って表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素
欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加
熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素
を含む窒化物絶縁層を形成し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導
体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】非選択期間においてノイズが少なく、且つトランジスタを常時オンすることのない半導体装置、シフトレジスタ回路を提供することを目的とする。
【解決手段】第１〜第４のトランジスタを設け、第１のトランジスタの、ソースとドレインのうち一方を第１の配線に接続し、他方を第２のトランジスタのゲート電極と接続し、ゲート電極を第５の配線に接続し、第２のトランジスタの、ソースとドレインのうち一方を第３の配線に接続し、他方を第６の配線に接続し、第３のトランジスタの、ソースとドレインのうち一方を第２の配線に接続し、他方を第２のトランジスタのゲート電極に接続し、ゲート電極を第４の配線に接続し、第４のトランジスタの、ソースとドレインのうち一方を第２の配線に接続し、他方を第６の配線に接続し、ゲート電極を第４の配線に接続する。 （もっと読む）

【課題】安価なフイルム基板上にロール成膜可能とされた、高透明性、高導電性を両立した有機電子デバイス用の透明導電フイルムを得る。
【解決手段】プラスチック支持体１２上に、マスク蒸着された、膜厚が５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、平面視における線幅が０．３ｍｍ以上１ｍｍ以下の金属もしくは合金からなる導電性ライン１４ａが複数、間隔３ｍｍ以上２０ｍｍ以下で配置されてなる導電ストライプ１４と、プラスチック支持体１２と導電ストライプ１４を覆うように設けられた、比抵抗が４×１０^−３Ω・ｃｍ以下であり、膜厚２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である透明導電材料層１８とから透明導電フィルムを構成する。 （もっと読む）