【課題】非線形二端子素子を用いて有機ＥＬ表示装置をマトリクス駆動する。
【解決手段】 第１組のストライプ電極１０４と、該第１組のストライプ電極に交差する第２組のストライプ電極１１６と、該第１組および第２組のストライプ電極の各電極の交差する点にある複数の画素とを基板１０２上に備え、画素のそれぞれには、前記第１組のストライプ電極に電気的に接続された非線形二端子素子からなるスイッチング素子１１４と、該スイッチング素子と電気的に接続され、前記第２組のストライプ電極に電気的に接続された発光部１１０と、有機誘電体を誘電層として含み、該発光部に並列となるように、該スイッチング素子及び前記第２組のストライプ電極に電気的に接続されたコンデンサー部１０６とが備えられている表示装置。 （もっと読む）

バックライトは、基板として知られる透明前面層（１１）と、前記透明前面層（１１）の背面に形成され、バックライトの前面電極となる透明導電性フィルム（１２）と、前記透明導電性フィルム（１２）を覆うエレクトロルミネッセンス／蛍光体材料（１３）の層と、前記エレクトロルミネッセンス／蛍光体材料（１３）の層の背面を覆う高誘電体層（１６）と、前記高誘電体層（１６）の背面に形成された、裏面電極となる導電性フィルム（１７）とによって構成される。これらは全て、ディスプレイが表示するキャラクタを定めるマスク（１８）の背後に配置される。これにより、トラックによって生じる後尾の問題を解決する。 （もっと読む）

バックライトは、基板の透明前面層(11)と前記透明前面層(11)の背面に形成され、バックライトの前面電極となる透明導電性フィルム(12)と、前記透明導電性フィルム(12)を覆うエレクトロルミネッセンス／蛍光体材料(13)の層と、前記エレクトロルミネッセンス／蛍光体材料(13)の層の背面を覆う高誘電体層(16)と、前記高誘電体層(16)の背面に形成された、裏面電極となる導電性フィルム(17)とによって構成される。これらは全て、ディスプレイが表示するキャラクタを定めるマスク(18)の背後に配置される。蛍光体およびこれを取り囲む絶縁体材料のいずれか一方（またはこれらの両方）の色／反射性を、他方の色／反射性に適合するように変更、または見かけ上変更し、これにより前記蛍光体と絶縁体材料とを互いに調和させ、これらをより識別しにくくする。 （もっと読む）

本発明は、基板、金属の構造物、並びに、少なくとも第一の電極、電界発光層、及び第二の電極を含む層の集合が備え付けられた電界発光デバイスを記述する。第一の電極と電気的に接触する、金属の構造物は、第一の電極よりも低い層の抵抗を示す。第一の電極との電気的な接触のおかげで、第一の電極の層の抵抗を、このように、第一の電極にわたる電圧降下を、減少させる。
（もっと読む）

当該表示装置は、放射性表示素子（１１）を有する複数の表示画素（４）を有する表示パネル（２）を有する。当該表示装置は、表示パネル上に表示されるべき画像の全輝度レベルに応じて表示画素（４）が光を放射するフレーム期間の割合を変更するデューティーサイクル制御手段（１５，Ｔ３）を更に有する。デューティーサイクルを変更するために、例えばパワートランジスタ（Ｔ３）であるスイッチは、夫々の画素（４）の駆動トランジスタと発光素子（１１）との間に接続されている。行の夫々の画素（４）は、単一のデューティーサイクル選択ライン（１５）に接続されても良い。
（もっと読む）

マルチセグメントＥＬディスプレイ（１）と共に使用するコントローラ（２）を提供する。制御信号Ｃ１〜Ｃ５は、複数のハーフＨ−ブリッジＨ１〜Ｈ５を制御し、ハーフＨ−ブリッジはそれぞれグランド（１０）および高電圧ＤＣ電源（９）に接続されるので、各ハーフＨ−ブリッジはＡＣ電圧を提供する。このハーフＨ−ブリッジの１つがコモン出力Ｖコモンを提供し、残りのＨ−ブリッジがディスプレイの各セグメントに対して駆動電圧Ｖ１〜Ｖ４を提供する。各周期内において、コントローラ（２）は、駆動出力Ｖ１〜Ｖ４をコモン出力Ｖコモンと同相または逆相のいずれかにする。これによって、人間の眼に知覚できるよりずっと速い速度で各セグメントが選択的にオンオフされる。セグメントの輝度は、各セグメントが点灯する時間の比率を変えることにより制御される。 （もっと読む）

【課題】画素回路での最適なフィードバックを使用する形式の改善されたアクティブマトリクス電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス電界発光表示装置で、蓄積キャパシタ（２４）は電界発光表示素子（２０）の照射を制御する駆動トランジスタ（２２）をアドレス指定するために使用される電圧を蓄えるよう夫々の画素に設けられ、光トランジスタのようなゲート放電感光手段（３６）は表示素子の光出力に応じて蓄積キャパシタを放電するよう設けられる。ゲート感光手段の動作はその入力が蓄積キャパシタの一方の端子に結合されたインバータ（５０）の出力により制御される。蓄積キャパシタが特定の放電電圧に達すると、ゲート感光手段はインバータの切替えによりオンとされ、それによりキャパシタを即座に放電し、表示素子をオフとする。このインバータの使用は、光出力を終了させる高速で、頑強で、上手に制御された切替え動作を確実にする。
（もっと読む）

本発明は、半導体構成用の構造に関する。半導体を含む溶液の堆積を補助するレジスト構造は、直接、あるいは介在層を介して基板に結合される。このレジスト構造は、半導体を含む溶液（３０９）を堆積するくぼみ（３０１）と、くぼみ（３０９）の縁部の少なくとも一部に整列し、突出部（３０７）によってくぼみ（３０９）から分離した溝（３０５）とを備える。好ましくは、溝（３０５）は、くぼみ（３０９）を取り囲む。この溝により、半導体を含む溶液を固定する作用が得られ、それによって濡れ性が改善し、それにしたがって、より大きな体積の半導体を所与の区域に付着させることができる。
（もっと読む）