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Fターム[3K107CC33]の内容

エレクトロルミネッセンス光源 (181,921) | 目的、効果 (41,328) | 表示性能 (7,327) | 表示ムラ、クロストーク防止 (3,109)

Fターム[3K107CC33]に分類される特許

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【課題】しきい値電圧のばらつきの影響を低減する。
【解決手段】トランジスタのゲート・ソース間に設けられた容量素子に電荷を充電し、その後容量素子に充電された電荷を放電することで該トランジスタのしきい値電圧を取得し、その後負荷に電流を流す半導体装置において、容量素子の一方の端子の電位は、ソース線の電位より大きく設定し、ソース線の電位は電源線の電位及び負荷のカソード側の電位よりも小さい電位に設定する。 (もっと読む)


【課題】蒸着装置及び薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】大型基板の場合にも、均一な薄膜を形成し、基板のサイズが変更される場合にも、装備の変更なしに容易に適用するためのものであって、直線動するように備えられた第1蒸着源と、第1蒸着源から離隔され、第1蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた第2蒸着源と、第1蒸着源及び第2蒸着源と被蒸着体との間に位置し、第1蒸着源及び第2蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた補正部材とを含み、補正部材は、第1蒸着源に対応する位置に備えられた第1補正板及び第2蒸着源に対応する位置に備えられた第2補正板を備える蒸着装置である。 (もっと読む)


【課題】ノズルプリンティング法によって表示装置を作製する場合に、有機EL素子の発光特性のばらつきを抑制することが可能な発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板と、前記支持基板上において第1の方向に延在する複数本の隔壁部材からなる隔壁と、前記第1の方向とは垂直な第2の方向に相対する一対の前記隔壁部材により複数の凹部が規定され、当該各凹部において前記第1の方向に所定の間隔をあけて配置される複数の有機EL素子とを備える表示装置であって、前記複数の凹部は、その第2の方向の幅が、第1の方向の一方の端部から他方の端部に近づくにつれて狭くなる複数の第1の凹部と、その第2の方向の幅が、第1の方向の一方の端部から他方の端部に近づくにつれて広くなる複数の第2の凹部とからなる、表示装置。 (もっと読む)


【課題】周期的パターンを有する光学フィルタと組み合わせても、モアレが生じず且つ表示画像の明暗ムラも生じない画像表示パネルと、これを用いた画像表示装置を提供する。
【解決手段】多数の画素3が配置されてなる画像表示パネル10は、ガラス基板1f,1r間を放電セル3cに仕切る隔壁2などとして画素を区画する区画パターン2Pが、二つの分岐点Bの間を延びて画素を画成する多数の境界線分Lから構成され、一つの分岐点から延びる境界線分の数の平均値Nが、3.0≦N<4.0であり、且つ、画素の配置に繰返周期を持つ方向が存在しない領域を含んでなるパターンとする。さらに、メッシュパターンの電磁波遮蔽フィルタ、コントラスト向上フィルタや覗き見防止フィルタとなるマイクロルーバーフィルタなど周期的パターンを有する光学フィルタを備えても良い。画像表示装置はこの画像表示パネルを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体基板にOLEDのような発光素子を含む画素回路を形成する。
【解決手段】画素回路110は、駆動トランジスター125、スイッチングトランジスター122、発光素子130を含み、これらの素子が半導体基板に形成されている。スイッチングトランジスター122には、第1基板電位V4が供給され、駆動トランジスター125には、第1基板電位V4とは異なる第2基板電位V3が供給される。 (もっと読む)


【課題】表示基板と中継基板との圧着条件を固着部全体に亘って同一にすることにより、固着部における電気的抵抗の不均一性を解消することができるとともに、コントラストの低下等の表示上の不具合を生ずることがない電気光学装置、及び当該電気光学装置を備える電子機器を提供する。
【解決手段】フレキシブル基板等の中継基板に形成された配線に接続される電極74,75等の電極の間に平坦化膜80が形成されており、平坦化膜80上及び電極74,75の端部に第1層間絶縁層284が形成されている。そして、電極74,75上及び凸部79に透明電極77が形成されている。 (もっと読む)


【課題】より色収差が少なく、光出力の向上が可能な発光素子を提供する。
【解決手段】陽極層1と陰極層2との間に少なくとも有機発光層3が設けられた有機EL素子10と、有機EL素子10の光出射面側に設けられた透光性である支持体とを備えており、支持体は、光出射面側に第一の凹凸構造を有する第一の基板と、第一の凹凸構造の光出射面側に形成され第一の基板とは別の材料よりなり、光出射面側に第二の凹凸構造を有し第一の基板と屈折率差を有する第二の基板とを備えた発光素子20である。 (もっと読む)


【課題】画面の明るさが瞬間的に変化する(フラッシュ)現象を防止または抑制する。
【解決手段】発光ダイオード(OLED)、駆動トランジスタMdおよび保持キャパシタCsを含む画素回路3(i,j)と、画素回路3(i,j)の駆動のための制御信号(電源駆動パルスDS)を発生する駆動信号発生回路(水平画素ライン駆動回路41)とを有する。水平画素ライン駆動回路41は、OLEDを逆バイアスしない発光停止のための期間(発光停止処理期間(LM−STOP))を規定する第2レベル(中電位Vcc_M)と、中電位Vcc_Mより低いレベルでOLEDを逆バイアスする処理期間を規定する第1レベル(低電位Vcc_L)と、中電位Vcc_Mより高く発光許可期間を規定する第3レベル(高電位Vcc_H)とを有する電源駆動パルスDSを発生し、画素回路3(i,j)画素回路に供給する。 (もっと読む)


【課題】駆動トランジスタのしきい電圧のドリフトによる表示劣化を解決する表示画面を提供する。
【解決手段】有機エレクトロルミネセンス表示画面において、各画点は有機ダイオードと、ダイオード用の第1及び第2の電流駆動回路とを含み、各駆動回路は、基準電圧とダイオードの1つの電極との間に接続された駆動トランジスタT2と、ゲート電圧を駆動トランジスタのゲートへ切り替えるためのスイッチングトランジスタと、ゲート電圧を保持するための、駆動トランジスタのゲートに接続されたコンデンサと、を備える。駆動トランジスタT2,T2’のゲート電圧は交互に、表示段階を制御するビデオ電圧Vv、又は回復段階を制御する遮断電圧Vbである。駆動トランジスタは1つが回復段階において、もう1つが表示段階において交互に制御され、その逆もある。 (もっと読む)


【課題】発光効率が高く、発光寿命に優れ、発光色の経時変化が少ない有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】フルカラー表示装置は、表示部Aの画素として有機エレクトロルミネッセンス素子を使用している。当該有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、陰極と、発光層を有する単層または複数層からなる有機層とを有し、前記有機層が前記陽極と前記陰極との間に挟持されている。前記有機層の少なくとも1層には、一般式(1)で表される化合物を配位子とするリン光発光性の有機金属錯体が含有されている。
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【課題】より色収差が少なく、光出力の向上が可能な発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】陽極層1と陰極層2との間に少なくとも有機発光層3が設けられた有機EL素子10と、有機EL素子10の光出射面側に設けられた透光性である支持体とを備え、支持体は、第一の基板と、第一の基板の光出射面側に形成され第一の基板とは別の材料よりなる第二の基板とを備えた発光素子20の製造方法であって、支持体に転写層を形成する転写層形成工程と、転写層形成工程後、転写層に凹凸パターンを形成したモールドを押圧保持した後、分離することにより、モールドの凹凸パターンを転写層に転写する転写工程とを有する凹凸のパターン加工を予め支持体の両面に行い、両面に予め凹凸を形成した支持体を用いて、有機EL素子10を形成する。 (もっと読む)


【課題】 EL画素に電流を供給するトランジスタにおいて、信号電流が小さくても、バラツキの影響を受けずに正確な電流を供給できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 各信号線に、点順次でビデオ信号電圧を入力していく。これは、その後に入力するビデオ信号電流に対するプリチャージ動作に相当する。ビデオ信号電圧を入力したあと、各信号線にビデオ信号電流を入力する。これにより、各画素のトランジスタのバラツキの影響を低減できる。また、ビデオ信号電流を入力する前に、ビデオ信号電圧を入力するため、信号電流の大きさが小さくても、信号書き込み速度が速くなる。また、点順次でビデオ信号電圧を入力するため、簡単な構成で実現できる。 (もっと読む)


【課題】発光装置において、発光素子に電流を供給するTFTのしきい値が画素ごとにばらつくことによって生ずる輝度ムラを低減した発光装置を提供する。
【解決手段】第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、スイッチとを有する半導体装置であって、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、配線に電気的に接続され、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、画素電極に電気的に接続され、前記第2のトランジスタのゲートは、前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され前記スイッチの第1の端子は、前記配線に電気的に接続され、前記スイッチの第2の端子は、前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】性能および製造安定性を向上させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、第1の面および第2の面を有する有機半導体部と、第1の面に隣接されたソース電極部と、第2の面に隣接されたドレイン電極部とを備える。ソース電極部およびドレイン電極部のうちの少なくとも一方は、有機半導体部よりも高導電性の有機半導体材料を含む高導電性電極部である。 (もっと読む)


【課題】成膜プロセスにおけるディストーションに起因して生じる画質劣化を抑制することが可能な有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】有機EL表示装置は、駆動基板上に複数の画素を含む発光領域を備え、複数の画素はそれぞれ、駆動基板側から順に、画素毎に設けられた第1電極と、少なくとも有機電界発光層を含む機能層と、第2電極とを有し、機能層は、画素毎に塗り分けられた印刷パターン層を含む。駆動基板上には、印刷パターン層と駆動基板との間に設けられたいずれの層よりも突出した突部が設けられている。例えば有機電界発光層等の機能層のうちの少なくとも1層(印刷パターン層)を、画素毎に塗り分けて形成する際、発光領域内でのディストーションの発生が抑制される。 (もっと読む)


【課題】輝度むらの抑制および薄型化を図ることが可能で、且つ、天井材に取り付ける場合の取付強度を高めることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】エレクトロルミネッセンスパネルを有する表示パネル1と、外部電源に接続可能な端子台2と、端子台2と電気的に接続され表示パネル1を点灯制御する点灯制御部3と、少なくとも一面が開放され点灯制御部3を収納する収納部4aを有し上記一面側に表示パネル1が配置される装置本体4とを備える。装置本体4の上壁4fに、天井材へ取り付けるための本体取付部5を有する。表示パネル1と装置本体4とで構成される表示ユニット12は、上壁4fから離れるに従って厚さ寸法が小さくなっている。 (もっと読む)


【課題】高精度な吐出量制御が可能で、装置信頼性が高いインクジェット装置を提供すること。
【解決手段】インクを吐出するノズル、ノズルに連通する圧力室、圧力室に圧力を加える圧電素子、圧電素子に電圧を印可して駆動する駆動回路を有するインクジェット装置において、前記駆動回路は、同一の圧電素子に少なくとも二つの駆動回路が接続されており、さらにそれぞれの駆動回路の駆動電圧が異なり、駆動電圧の低い駆動回路の信号が先に印可されるよう構成する。 (もっと読む)


【課題】シェーディングやムラの少ない表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、(A)走査回路101、(B)映像信号出力回路102、(C)電流供給部100、(D)電流供給部100に接続され、第1の方向に延びるM本の電流供給線CSL、(E)走査回路10に接続され、第1の方向に延びるM本の走査線SCL、(F)映像信号出力回路102に接続され、第2の方向に延びるN本のデータ線DTL、並びに、(G)第1の方向にN個、第1の方向とは異なる第2の方向にM個、合計N×M個の、2次元マトリクス状に配列され、それぞれが、発光部ELP、及び、発光部ELPを駆動するための駆動回路を備えた発光素子1を備えており、各走査線SCLと走査回路101との間に容量負荷部101Aが設けられている。 (もっと読む)


【課題】発光素子に電流を供給するトランジスターの特性を十分な精度で補償する。
【解決手段】画素回路110は、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給するトランジスター124と、トランジスター124により供給された電流に応じた輝度で発光するOLED130とを含む。トランジスター124のゲート・ソース間を、初期化期間にリセットし、閾値補償期間に閾値電圧をセットする。書込期間の開始から階調レベルに応じた時間が経過したタイミングであって、当該階調レベルによって指定される階調が暗くなるにつれて時間的に早まるタイミングで、トランジスター124のゲート・ソース間に階調に応じた電圧分、変化させ、発光期間に第1トランジスター124のゲート・ソース間の電圧に応じた電流をOLED130に供給する。 (もっと読む)


【課題】400℃以下で作製可能であり、20cm/Vs以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極16と、ゲート絶縁膜15と、In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(a>0,b>0,c>0,a+b+c=1,d>0)で表され、a≦37/60、b≦91a/74−17/40、b≧3a/7−3/14、c≦3/5を満たす第1の領域A1及びIn(p)Ga(q)Zn(r)O(s)(q/(p+q)>0.250,p>0,q>0,r>0,s>0)で表され、ゲート電極に対して第1の領域よりも遠くに位置する第2の領域A2を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層と、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極13及びドレイン電極14と、を有する薄膜トランジスタ1。 (もっと読む)


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