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Fターム[3K107CC35]の内容

エレクトロルミネッセンス光源 (181,921) | 目的、効果 (41,328) | 表示性能 (7,327) | 高精細化 (1,008)

Fターム[3K107CC35]に分類される特許

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【課題】 サブフレーム階調表示において、駆動回路を複雑にすることなく、また駆動回路を制御する信号線の本数を増やすことなくホワイトバランス調整を可能にする。
【解決手段】 行選択線(SL)が各行に発光素子(EL)の色と同じ本数設けられて、同色の発光素子の駆動回路(DC)に、データ線(DL)が発光素子の発光または非発光を決定するデータ信号を供給している期間(A)と、データ線が発光素子を非発光にするデータ信号のみを供給している期間(B)とに、交互に、1フレーム期間に複数回、異なる間隔で行選択信号を供給し、各行の複数の行選択線(SL)は、交互に供給される行選択信号のうちの一方を供給する期間が同じであり、他方を供給する期間が異なる表示装置。 (もっと読む)


【課題】TFTをそれぞれ有する複数の画素からなる画素アレイにおいて、画素の電気的特性に影響を及ぼすことなく、容易に高密度化することが可能な画素アレイを提供する。
【解決手段】複数の画素を有する画素アレイにおいて、隣接する所定数の画素にそれぞれ設けられたTFTは互いに近接配置され、該TFTの半導体膜は近接する複数のTFTに渡って連続して形成される。画素アレイは、同一の列に配列された複数の画素にそれぞれ設けられたTFTに接続され、該TFTに信号を供給、または該TFTから信号を読み出す列信号線と、複数の画素の隣接する行間に設けられ、TFTをオフ状態にしうる電圧信号が印加された行共通線と、を有する。半導体膜が連続して形成された複数のTFTのうち、行方向に近接配置される各TFTは、2本の列信号線を挟んで近接配置されており、列方向に近接配置される各TFTは、行共通線を挟んで近接配置されている。 (もっと読む)


【課題】信号の遅延が抑制された表示装置を提供する。また、低消費電力駆動が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素に共通電位を与える共通配線と、画素を駆動する信号を入力するための信号線との間の寄生容量を無くせばよい。具体的には、外部から信号が入力される外部入力端子よりも外側に共通配線を引き回し、信号線と共通配線との交差部を無くすことにより、共通配線と信号線との間の寄生容量がなくなり、表示装置の高速駆動と低消費電力駆動が実現できる。 (もっと読む)


【課題】印刷不良を防ぎ、版表面に付着する異物を無くし、高精細パターンを高精度で印刷できる印刷用凸版およびそれを用いた有機ELディスプレイ用素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基材の一方の面上に接着層、耐溶剤層、凸パターン層及び保護層を順次積層してなる印刷用凸版であって、印刷実行時に前記保護層を剥離して用いることを特徴とする印刷用凸版である。すなわち、フォトリソ法で形成した凸パターン層に前記保護層を積層することにより、現像工程後から印刷で版を使用開始するまでの間に付着する異物や衝撃による凸パターンのダメージが保護できる効果をもたらす。 (もっと読む)


【課題】高い色再現性を実現することが可能な有機EL装置を提供する。
【解決手段】基板11と、基板11上に形成されたカラーフィルター層20と、基板11とカラーフィルター層20の間に形成された第1電極13と、第1電極13と対向して形成された第2電極14と、第1電極13と第2電極14の間に形成された有機発光層15と、を有し、カラーフィルター層20は、基板11に垂直な方向から見たときに第1電極13と重なる領域に形成された、第1の色を透過する第1のサブフィルター層21と第2のサブフィルター層22とを有し、第1のサブフィルター層21と第2のサブフィルター層22とは同じ材料からなり、第1のサブフィルター層21と第2のサブフィルター層22とは積層されている。 (もっと読む)


【課題】高精細の発光層パターンを、高い生産性をもって製造することができる有機発光デバイスの製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機発光デバイスの製造装置10は、複数の処理ユニット11,12と、搬送ユニット13とを具備する。複数の処理ユニット11,12は、基板2上に発光層5R,5Gを形成するレーザ転写装置110,120を含む。搬送ユニット13は、レーザ転写装置110と120との間に設置された搬送室130と、基板2を搬送する搬送機構131とを含む。移載機構113,123は、熱転写体50R,50Gをそれぞれ配置している。第1の処理ユニット11、搬送ユニット13及び第2の処理ユニット12は、水平面においてX軸方向に配列されており、真空中で基板2を搬送しながら熱転写体50R,50Gにレーザを照射することで、発光層5R,5Gを順次形成するインライン式のレーザ転写装置を構成している。 (もっと読む)


【課題】画素の高精細化と迷光の抑制とを両立した有機EL装置を提供する。
【解決手段】基板10と、基板10上で隣り合う第1有機EL素子20Bおよび第2有機EL素子20Gと、第1有機EL素子20Bと第2有機EL素子20Gとを覆い、基板10と密着した保護層30と、保護層30に積層したカラーフィルター層40と、カラーフィルター層40の上に金属材料を用いて形成された、第1有機EL素子20Bおよび第2有機EL素子20Gと平面的に重なる開口部51を有する遮光層50と、を備え、カラーフィルター層40は、第1有機EL素子と平面的に重なる第1着色層41Bと、第1着色層41Bとは異なる波長の光を吸収し第2有機EL素子20Gと平面的に重なる第2着色層41Gと、を有し、第1着色層41Bと第2着色層41Gとは、遮光層50と平面的に重なる領域において、第1着色層41Bの端部と第2着色層41Gの端部とが接している。 (もっと読む)


【課題】高精細の発光層パターンを、高い生産性をもって製造することができるレーザ転写装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るレーザ転写装置110は、真空雰囲気を維持可能な真空室31と、ステージ32と、移載機構113と、レーザ光学系33とを具備する。ステージ32は、真空室31内に設置され、真空室31内に搬入された基板2を支持する。移載機構113は、ステージ32に支持された基板2上に、有機発光材料を支持する熱転写体50Rを配置するように構成される。レーザ光学系33は、ステージ32に対向して配置され、熱転写体50Rにレーザを照射することで、有機発光材料を基板2上に転写する。 (もっと読む)


【課題】高精細な薄膜パターンの形成を容易に行い得るようにする。
【解決手段】TFT基板1上のアノード電極2R〜2B上に対応色の有機EL層3R〜3Bを形成して有機EL表示装置を製造する有機EL表示装置の製造方法であって、TFT基板1上に可視光を透過する樹脂製のマスク用部材4を被着するステップと、TFT基板1上のR対応アノード電極2R上にレーザ光Lを照射し、当該アノード電極2R上のマスク用部材4に画素に対応した形状の開口5を設けてマスク6を形成するステップと、TFT基板1上のR対応アノード電極2R上にマスク6の開口5を介してR有機EL層3Rを成膜形成するステップと、マスク6を剥離するステップと、を含むものである。 (もっと読む)


【課題】マスクを利用して有機EL装置を製造する際に、マスクを有機EL装置の特定の構成部材に接触させないようにしつつ有機EL素子の構成部材となる薄膜を精度よく成膜することを可能にする有機EL装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上であって成膜用マスクと対向する面側にスペーサを設けるスペーサ設置工程と、第一のマスクを用いて少なくとも表示領域の一部に薄膜を形成する第一成膜工程と、第二のマスクを用いて表示領域に薄膜を形成する第二成膜工程と、を有し、前記スペーサが、前記表示領域以外の領域に設けられ、前記第一成膜工程において、前記第一のマスクが前記スペーサに支持されており、前記第二のマスクが前記スペーサの設置位置に対応する位置に開口を有することにより、前記第二成膜工程において、前記第二のマスクが前記スペーサに支持されていないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】金属薄膜の一部または全部を酸化させた第1の層と酸化物半導体層の積層を
用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導
体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その絶縁層の形成時
に酸化物半導体層の積層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層を形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の電気的な特性のバラツキを低減し、鮮明な多階調カラー表示を可能
にすることを目的とする。
【解決手段】半導体素子に用いられる半導体層の一部を抵抗体として利用する。具体的に
は、半導体素子と、前記半導体素子の有する半導体層と電気的に接続された発光素子と、
を有する表示装置であり、前記半導体層には、前記半導体素子と前記発光素子との間に設
けられた抵抗体とみなせる領域が含まれる。抵抗体とみなせる領域が存在することによっ
て半導体素子の電気的な特性のバラツキの影響を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】高い開口率を有し、安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼
性のよい表示装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動
回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物
半導体によって構成された駆動回路用薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動
回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体に
よって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用薄膜トランジスタ
と、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する。 (もっと読む)


【課題】有機EL材料をはじめとした薄膜の特性を劣化させることなく、大型化かつ高精度の微細パターニングを可能とするデバイスを提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された絶縁層と、少なくとも前記絶縁層の間に形成された薄膜層とを有し、前記薄膜層は転写により形成されたものであり、隣り合う絶縁層間の開口幅をA、該開口に対応する領域に存在する薄膜層の幅をE、絶縁層のピッチをPとしたとき、A+4(μm)≦E(μm)≦P−10(μm)であり、かつ、幅方向に隣り合う薄膜層が異なる材料を含むものであり、当該隣り合う薄膜層間の間隔がほぼ一定であるデバイス。 (もっと読む)


【課題】最良のパフォーマンス/コスト比を有するフルカラー・アクティブ・マトリクス有機発光ディスプレイを提供する。
【解決手段】透明な基板12、カラー・フィルタ14、および、カラー・フィルタ上に重なる関係で配置され、かつ、ピクセルのアレイを画定する金属酸化物薄膜トランジスタ・バックパネル18を含む。OLEDのアレイ20は、バックパネル上に形成され、フルカラー・ディスプレイのバックパネル、カラー・フィルタ、およびの基板を通って光を下方へ透過するために配置される。各OLEDによって発光された光は、複数の原色うちの2つの範囲にわたって広がる波長を有する第1発光帯域、および、残りの原色の範囲にわたって広がる波長を有する第2発光帯域を含む。カラー・フィルタは、各ピクセルのために、第1発光帯域を2つの別個の原色に分離する2つのゾーン、および、第2発光帯域を透過させる第3のゾーンを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、高精細化表示が可能で且つ製造の容易なカラー表示装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】基板上に複数の画素を備え、各画素が可視域の波長の異なる光を射出する少なくとも2種の副画素及び白色副画素より構成されるカラー表示装置であって、前記少なくとも2種の副画素及び前記白色副画素は各々光半透過反射層と光反射層とに狭持された光路長調整層及び白色発光有機電界発光層を有し、前記少なくとも2種の副画素における前記光半透過反射層と前記光反射層との間の光学的距離が各々射出する光を共振する距離である共振器を形成し、前記白色副画素における前記光半透過反射層と前記光反射層との間の光学的距離は、前記少なくとも2種の副画素における前記光半透過反射層と前記光反射層との間の光学的距離の最長光学距離より長いカラー表示装置。 (もっと読む)


【課題】発光構造物、発光構造物を含む表示装置、及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 表示装置はスイッチング構造物、第1電極、発光構造物、第2電極などを含むことができる。発光構造物は第1正孔注入層、第1有機発光層、電荷生成層、第2正孔注入層、第2有機発光層、電子輸送層、光学距離調節層、遮断部材などを含むことができる。遮断部材と光学距離調節層は第1〜3サブ画素領域のうち少なくとも一つに配置されることができる。遮断部材と光学距離調節層を具備する発光構造物を通じて表示装置の色順度、輝度、色再現性などを向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。半導体装置に設けられる該薄膜トランジスタは多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いて作製する。 (もっと読む)


【課題】基板サイズの大型化により、基板を水平搬送でき、基板を略垂直に立てて成膜でき、かつ膜厚均一性がよく、低コストのターゲットや電源を利用でき、蒸着装置とのクラスタ化に適したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理真空チャンバ(10)を有するスパッタリング装置であって、処理真空チャンバ内にカソード電極(60)が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料(61)が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直方向に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板に形成した有機EL層の上に、有機EL層に損傷を与えることなくフォトリソ法により直接カラーフィルタを形成することで、画像の超高解像度、超高速応答に対応することができる有機EL素子一体型カラーフィルタの製造方法に関する。
【解決手段】シリコン基板に形成された駆動素子上に有機EL層を形成し、その後、前記有機EL層の最外層に平坦層を施し、前記平坦層上により直接カラーフィルタを形成することを特徴とする有機EL素子一体型カラーフィルタの製造方法である。 (もっと読む)


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