【課題】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体を用いた半導体装置を作製する際の加工技術を確立する。
【解決手段】Ｃｌ_２または、ＢＣｌ_３または、ＳｉＣｌ_４などの塩素を含むガスを用いたドライエッチングによりＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層を選択的にエッチングする。Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層上に接して形成する導電層を選択的に除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する場合、塩素を含むガスに加えて酸素を含むガス、またはフッ素を含むガスを用い、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層がほとんど除去されないように導電層を選択的にエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサと、発光素子を有する表示素子と、の組をマトリクス状に複数有する半導体装置であって、高精細化可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】フォトセンサと、発光素子を有する表示素子と、を有し、発光素子を有する表示素子に電気的に接続される電源線と、フォトセンサに電気的に接続される電源線とを共有する半導体装置である。こうして、電源線の幅を狭くすることなく、高精細の半導体装置が得られる。そのため、電源線の電位の安定性を確保しつつ、半導体装置を高精細化することができるため、高精細な半導体装置においても、発光素子を有する表示素子の駆動電圧を安定とし、且つフォトセンサの駆動電圧も安定とすることができる。こうして、高精細化可能であり、且つ、表示品質が高く、被検出物の撮像精度や検出精度の高い半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】表示サイズの小型化、表示の高精細化を進めた場合に、ある特定の画素だけを発光させたいとき、当該特定の画素に隣り合う画素も発光してしまうのを抑える。
【解決手段】基板体１０１に、ＲＧＢの各々に対応して配列し、それぞれが陽極として機能する画素電極５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂと、基板体１０１を平面視したときに画素電極の間隙に設けられ、画素電極よりも低い電位に維持された配線５４と、画素電極および配線の上側に形成されるとともに発光層７２を含み、ＲＧＢにわたって共通の有機ＥＬ層７０と、有機ＥＬ層７０の上側に形成されるとともに、陰極として機能する共通電極１１８と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】データ線１１４の電位変動の影響を受けにくくし、表示品位の低下を防止する。
【解決手段】走査線１１２およびデータ線１１４の交差に対応して画素回路１１０が設けられる。画素回路１１０には、発光素子１５０に流れる電流を制御するトランジスター１４０のソースに接続される中継電極４３を、データ線１１４からシールドするための配線を設ける。この配線は、データ線１１４と同層の中継電極８１ａと、中継電極４３と同層の中継電極４４ａと、データ線１１４と中継電極４３ａとの間にある導電層の電極部分１１７ａとを、コンタクトホール５３ａ、７３ａとで互いに電気的に接続した構造体とする。 （もっと読む）

【課題】鮮明な多階調カラー表示の可能なアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置を提供
することを課題とする。特に、選択的にパターン形成することが可能な作製方法を用いて
低コストで大型なアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】選択的にパターン形成することが可能な作製方法を用いて、画素部の電源供
給線をマトリクス状に配置する。また、選択的にパターン形成することが可能な作製方法
を用いて、隣接する配線間の距離を大きくして配線間容量を低減する。 （もっと読む）

【課題】白色の有機ＥＬ素子と共振構造を組み合わせたトップエミッション方式の発光装置において、有機ＥＬ素子におけるアレイ構造を単純にしつつ、少なくとも一色の光取り出し効率を高め、高消費電力化を抑制する。
【解決手段】反射層兼画素電極１２から対向電極３０までの間の光路長をＤ、反射層兼画素電極１２での反射における位相シフトをφ_Ｌ、対向電極３０での反射における位相シフトをφ_Ｕ、反射層兼画素電極１２と対向電極３０の間に発生する定在波のピーク波長をλ、２以下の整数をｍとしたとき、Ｄ＝{(２πｍ＋φ_Ｌ＋φ_Ｕ)／４π}λを満たし、赤色画素、緑色画素、および、青色画素の前記光反射層のうち、少なくとも一つの光反射層は、他の光反射層に用いられた金属材料とは異なる金属材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】液滴吐出法と蒸着法を組み合わせた画素形成に好適な画素レイアウトを有する有機ＥＬ装置を提案する。
【解決手段】有機ＥＬ装置は、複数の画素領域１０を備えており、各画素領域１０は三原色に対応する第一、第二及び第三の副画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有している。隣接する第一の副画素１０Ｒ同士、及び隣接する第二の副画素１０Ｇ同士は、それぞれ、一定間隔Ｄで配列されており、第三の副画素１０Ｂは、画素領域１０から第一及び第二の副画素１０Ｒ，１０Ｇを除いた隙間領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記課題に鑑み、画素選択のためにＴＦＴを用いることなく高速に画素にデータを書き込むことができるアクティブマトリクス型ディスプレイの画素回路及びその駆動方法を提供することを目的とする。
【解決手段】走査線１０Ｓｉで駆動対象となる画素６０を選択し、選択した前記画素に書き込む信号データをデータ線２０Ｇｊから供給して前記画素を駆動するアクティブマトリクス型ディスプレイの画素回路であって、
前記データ線から供給された前記信号データが書き込まれ、書き込まれた前記信号データを保持する保持容量Ｃｓ１と、
前記データ線と前記保持容量との間に接続され、前記信号データを書き込む前記保持容量を選択する選択手段３０とを有し、
該選択手段は、複数のダイオードＤ１、Ｄ２から構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】白色の有機ＥＬ素子と共振構造を組み合わせたトップエミッション方式の発光装置において、高い光取り出し効率を維持しつつ、画素部の凹凸を極力小さくし、かつ、上下導通部からの反射による混色を抑制する。
【解決手段】反射層１２から対向電極２２間の距離をＤ、反射層１２での反射における位相シフトをφ_Ｌ、対向電極２２での反射における位相シフトをφ_Ｕ、反射層１２と対向電極２２の間に発生する定在波のピーク波長をλ、２以下の整数をｍとしたとき、Ｄ＝{(２πｍ＋φ_Ｌ＋φ_Ｕ)／４π}λを満たす光学構造を有する発光装置Ｅ１において、上下導通部３３０の画素電極１５との界面から対向電極２２までの長さは、前記式においてｍ＝０の場合の赤色のピーク波長が得られる距離Ｄから、前記式においてｍ＝１の場合の青色のピーク波長が得られる距離Ｄまでの値に設定する。 （もっと読む）

【課題】 フォトリソ法を用いて有機化合物層を数μｍの精度でパターニングし、高精細な有機ＥＬ表示装置を製造する際、従来技術のように発光層を塗布法で形成すると、フォトレジスト層の側面部の表面張力の影響を受けて発光層に膜厚ムラが生じるため、発光ムラや開口率が低下し、高精細化に限度があった。
【解決手段】 有機化合物層をパターニングするための層を設けた後は、有機化合物層を蒸着法により形成することで、有機化合物層をパターニングするための層の側面部の表面張力の影響を受けずに、均一な膜厚で発光層などの有機化合物層を形成する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィーによるパターニング手法を利用しつつ、メタルマスク等を用いて真空一貫で形成した有機ＥＬ素子と同等の素子特性を有する有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一電極上に前記有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程と、有機化合物層上に剥離層を形成する剥離層の形成工程と、剥離層と有機化合物層とを、それぞれ所定のパターン形状に加工する加工工程と、剥離層を極性溶媒にて除去する剥離層の除去工程と、を有し、有機化合物層の形成工程が、有機化合物層の最上層として縮合多環炭化水素化合物（ｍ−ターフェニル基を有する化合物を除く。）を含む層を形成する工程であり、剥離層の形成工程が、極性溶媒に可溶な化合物からなる層を、蒸着法により、前記剥離層の少なくとも最下層に形成する工程であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光装置の高精細化が進んでも、対向電極の電位降下に起因する輝度の勾配が視認されてしまうのを防ぐことが出来、なおかつ工程数を増やさずに補助電極を形成する。
【解決手段】基板上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に第１の電極及び補助電極をそれぞれ形成し、前記第１の電極の端部及び前記補助電極の端部を覆うように第２の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜において、前記第１の電極を露出させる第１の開口部、及び前記補助電極を露出させる第２の開口部を形成し、前記第１の開口部において前記第１の電極と電気的に接続される電界発光層を形成し、前記電界発光層と重なり、かつ前記第２の開口部において前記補助電極と電気的に接続される第２の電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】複雑な構造を要することなく、小型且つ高品位な有機ＥＬ装置、およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例のトップエミッション型の有機ＥＬ装置１００は、基体としての基板１０上に配置された、光反射性を有する反射層３Ｅと、反射層３Ｅ上に絶縁層としての第３層間絶縁膜４Ｈを介して画素毎に配置された、光透過性を有する第１電極としての陽極３Ａと、陽極３Ａ上に配置された、少なくとも発光層を含む有機機能層４Ｊと、有機機能層４Ｊ上に配置された、光反射性および光透過性を有する陰極２Gと、反射層３Eと陰極２Gとの間に形成された、有機機能層４Jからの光を共振させる光共振器４Ｎとを備えると共に、反射層３Eと絶縁層４Hと陽極３Ａとにより構成された保持容量２Cを有する。このような構成は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】発光素子を形成した基板において、発光素子の外側に封止領域を配した基板を潜像担持体の長手方向に並べた場合、異なる基板上に配された発光素子の間隔は封止領域の幅よりも狭めることができず、発光素子の像を潜像担持体の長手方向に自由に形成することができない。
【解決手段】第１の方向および第１の方向に対して傾斜する第２の方向に二次元に発光素子が配された第１および第２の発光素子基板と、発光素子からの光を結像する結像光学系を備える結像ユニットと、を備えた露光ヘッドで、第１の発光素子基板の第１の端面が第１の方向に伸びており、第２の端面が第１の端面と９０°と異なる方向に伸びているとともに、第２の発光素子基板の第１の端面が第１の方向に延伸しており、第２の端面が第１の端面と９０°と異なる方向に延伸している。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】表示装置における発光層からの光を、平坦化膜、層間絶縁膜、トランジスタのゲート絶縁膜等の絶縁膜を介して取り出す際、光が各絶縁膜を通過する毎に、その絶縁膜の表面の微妙な凹凸により、乱反射が起こる。これにより、不要光が発生し、画素の輪郭が不明瞭となったり、トランジスタの特性が劣化する等の問題が生じていた。
【解決手段】本発明に係る表示装置は、基板上に設けられたトランジスタと、前記トランジスタ上に設けられた遮光性を有する絶縁膜と、前記遮光性を有する絶縁膜上に設けられた発光素子とを有し、前記遮光性を有する絶縁膜には、前記発光素子からの光を通過させる開口部が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】副画素数を増やすことなく、色域の広い表示装置を提供する。
【解決手段】１画素をそれぞれ有機ＥＬ素子を備えた３つの副画素で構成し、該３つの副画素のうち少なくとも１つは、有機ＥＬ素子への印加電圧により発光色の色度が変化するように構成することによって、３つの副画素で４色以上の発光色を発光する表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子を用いた表示装置において有機化合物層よりも高い屈折率の透明層を伝播する伝播光を効率的に外部に取り出しながらも、表示装置にとって問題となる表示像のにじみを低減する。
【解決手段】画素４内に互いに異なる発光色を発光する複数の副画素１，２，３を有し、各副画素１，２，３が有機ＥＬ素子を備えた表示装置において、有機ＥＬ素子の光出射側に、有機ＥＬ素子の有機化合物層よりも屈折率の高い高屈折率透明層を有し、さらに、該高屈折率透明層の光出射側に光取り出し構造物７を有し、該光取り出し構造物７は、副画素１，２，３上に配置され、画素間領域６には該光取り出し構造物７が配置されていない。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス駆動方式の画像表示装置において、書き込み期間不足や配線レイアウトの問題を回避しながら、良好な動画画質と高精細化を実現するための技術を提供する。
【解決手段】各画素回路は、容量と、画像信号の値に対応する電荷を前記容量に充電するための書込スイッチと、前記容量に保持された電荷に基づくゲート電圧に応じて、電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、前記容量を放電させることで前記電気光学素子の発光を停止する停止スイッチと、を有している。少なくとも２行分の画素回路の停止スイッチが、共通の停止制御線に接続されており、前記共通の停止制御線を介して与えられる停止制御信号に従って各々の電気光学素子の発光を停止する。 （もっと読む）

【課題】高効率、高寿命かつ高精細な有機ＥＬ表示装置を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】一対の電極間に配置され、少なくとも発光層を含む有機化合物層が２次元に配列されてなる発光領域を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記発光領域全体に水に不溶である有機化合物層を形成する工程と、前記有機化合物層上に、水溶性材料を含む保護層を所定のパターン形状にて形成する工程と、前記保護層に覆われていない領域に形成されている有機化合物層を除去する工程と、前記保護層を除去する工程と、前記有機化合物層を乾燥する工程と、前記有機化合物層上に、少なくとも発光領域を含む領域に共通層を形成する工程と、を含み、前記有機化合物層を乾燥する工程から前記共通層を成膜する工程までの工程を真空中で行うことを特徴とする、有機ＥＬ表示素子の製造方法。 （もっと読む）