【課題】ＥＬ層と上部電極層との形成に用いるメタルマスクを削減可能な構成の発光装置及びその作製方法を提供すること。または上部電極層の抵抗に起因する電位降下が抑制され、且つ信頼性の高い発光装置を提供すること。またはこのような発光装置が適用された照明装置、及び表示装置を提供すること。
【解決手段】基板上に設けられた共通配線上に接して、絶縁性を有し底部よりも上部が基板面方向にせり出した形状の分離層を設ける発光装置とすればよい。当該共通配線上に設けられた分離層上に形成されたＥＬ層は当該分離層で物理的に分断され、また、同じ位置に形成された上部電極層は当該分離層で物理的に分断されると共に、当該分離層のせり出した部分と重なる領域において、当該共通配線と接触する構成とすればよい。またこのような共通配線を補助配線として用いればよい、また、このような発光装置を照明装置、及び表示装置に適用すればよい。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜を挟んでゲート電極と容量電極が対向してできる容量の占有面積を小さくする。
【解決手段】 チャネル領域上の層間絶縁膜が周囲よりも膜厚が薄く、その部分で容量電極がゲート電極と対向して容量を形成している半導体装置。 （もっと読む）

【課題】輝度むらの低減を図りながらも非発光部の面積を低減することが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】透明導電膜からなる第１電極１２と、第１電極１２よりもシート抵抗が小さな第２電極１４と、発光層を含み第１電極１２と第２電極１４との間に介在する有機ＥＬ層１３とを備える。発光部１１の側方に配置され第１電極１２に電気的に接続された第１端子部２２と、発光部１１における第１端子部２２側とは反対側で発光部１１の側方に配置され第２電極１４に電気的に接続された第２端子部２４と、第１電極１２よりも比抵抗の小さな材料からなり発光部１１の側方で第１電極１２に積層されて第１端子部２２に電気的に接続された補助電極１５とを備える。補助電極１５は、発光部１１の周方向に沿って配置され、当該周方向において第１端子部２２から遠ざかるにつれてシート抵抗が大きくなるように厚さを変化させてある。 （もっと読む）

【課題】高精細な発光装置を提供する。
【解決手段】第１の電極１１の一方の端部と第２の電極１２の一方の端部を覆う絶縁物領域と、第１の電極１１および絶縁物領域の上に形成された第１の発光層１７と、第２の電極１２および絶縁物領域の上に形成された第２の発光層１８と、が設けられた第１の基板と、第１の基板と対向し、カラーフィルタが設けられた第２の基板と、を有し、絶縁物領域および第１の電極の上で第１の発光層と第２の発光層が重なっており、カラーフィルタは、第１の発光層１７と対向して設けられた第１の着色層３１ｂと、第２の着色層３１ｃと、第１の着色層３１ｂと第２の着色層３１ｃの間に、絶縁物領域および第１の電極１１の上で第１の発光層１７と第２の発光層１８が重なっている領域と対向して設けられた遮光部３１ａとを有する。 （もっと読む）

【課題】一定の大きさの領域内に形成するコンタクト部の数をより少なくできるようにした半導体装置、当該半導体装置を用いる表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３の少なくとも２つのトランジスタを有する画素２０が２次元配置されて成る有機ＥＬ表示装置において、中間層である書込みトランジスタ２３の半導体層２３２を、コンタクト部８１，８７の側壁部に対して電気的に接続する、所謂、サイドコンタクトの技術を用いることで、コンタクト部の数の削減を図る。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】開口部をシンプルにしてシュリンクの問題を解決する。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチングトランジスタと、消去用トランジスタと、を画素内に有する３トランジスタ型の発光装置の場合において、スイッチング用ＴＦＴ５５０５と消去用ＴＦＴ５５０６の２つのＴＦＴを、第１のゲート信号線５５０２と第２のゲート信号線５５０３の間に配置する。このように配置することで開口率を上げ、開口部もシンプルな形状にすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ層の劣化を抑制し、電極のエッジ部における電界集中の影響を抑制させた軽量な発光装置。
【解決手段】プラスチック基板上に薄膜トランジスタを有し、薄膜トランジスタ上に第１の絶縁膜を有する。第１の絶縁膜はコンタクトホールを有し、コンタクトホールを介して薄膜トランジスタと第１の金属膜は電気的に接続されている。当該コンタクトホール内には、透明導電膜及び第２の絶縁膜を有し、透明導電膜はコンタクトホール内で凹形状となり、第２の絶縁膜は凹形状に埋め込まれており、第２の金属膜から光が放射される発光装置である。 （もっと読む）

【課題】発光素子の劣化を極力抑えるための構造を提供すると共に、各画素に必要とされる容量素子（コンデンサ）を十分に確保するための構造を提供する
【解決手段】トランジスタ上に、第１パッシベーション膜、第２の金属層、平坦化膜、バリア膜及び第３の金属層の順に積層され、平坦化膜に設けられた第１開口部の側面がバリア膜に覆われ、第１開口部の内側に第２開口部を有し、かつ、第３の金属層は前記第１開口部及び第２開口部を介して前記半導体に接続され、トランジスタの半導体、ゲート絶縁膜、ゲート電極、第１パッシベーション膜及び前記第２の金属層で積層形成された容量素子を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＲＡＭを用いたアクティブマトリクス型表示装置では、ＳＲＡＭ回路を構成するトランジスタ数が多く、画素面積が小さい場合、画素の中に入りきらない、もしくは開口率が低下するという問題があった。リフレッシュが不要で消費電力の小さな表示装置を提供する。
【解決方法】本発明は、画素をスイッチング素子と、不揮発性メモリ素子で構成する。不揮発性メモリ素子は強誘電体素子を用い、保持を行うことによって、静止画を表示する場合フレーム毎に書き込みを行う必要をなくすことができる。また、強誘電体メモリは占有面積が小さいので開口率を著しく落とすことなく、メモリを内蔵することができる。 （もっと読む）

【課題】画素回路の制御ラインやトランジスタとの接続ライン配線による開口率の減少を抑制する。
【解決手段】容量セットラインＣＳを画素の上端部に配置し、発光セットラインＥＳを画素の下端部に配置し、ゲートラインＧＬを両者の真ん中に配置する。ゲートラインＧＬと容量セットラインＣＳの間には、選択トランジスタＴ１、電位制御トランジスタＴ２および容量Ｃｓを配置し、ゲートラインＧＬと発光セットラインＥＳの間には短絡トランジスタＴ３、駆動トランジスタＴ４および駆動制御トランジスタＴ５を配置する。このような配置によって、配線の引き回しおよびコンタクトの効率的な配置ができ、開口率を比較的高くできる。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】画素のレイアウト面積を抑えつつ、必要な容量素子の形成を可能にした有機ＥＬ表示装置、及び、当該有機ＥＬ表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】アノード電極２１１とカソード電極２１３との間に有機層２１２を挟んで成る有機ＥＬ素子２１_Aを画素毎に有する有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子２１_Aの発光に寄与しない領域のアノード電極２１１とカソード電極２１３との間に容量Ｃ_subを形成する。そして、発光に寄与しない領域に形成した容量Ｃ_subを、有機ＥＬ素子の駆動回路を構成する容量素子、例えば、有機ＥＬ素子の等価容量Ｃ_oledの容量不足分を補う容量素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】開口率を大きくすることができるとともに、上部電極側から発光を取り出した場合であっても上部電極の面抵抗を低下させることができ、高輝度、均質輝度の画像表示が可能な有機アクティブＥＬ発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】上部電極および下部電極の間に有機発光媒体を含んでなる有機ＥＬ素子と、基板上にあるこの有機ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスターと、を備えたアクティブ駆動型有機ＥＬ発光装置において、前記有機ＥＬ素子が発光した光を、前記上部電極側より取り出すとともに、前記上部電極が、透明導電材料からなる主電極から構成され、前記主電極が前記基板と反対側に配置され、前記主電極に対して電気接続している低抵抗材料からなる補助電極が、平面視した場合に前記有機発光媒体を含む画素と画素との間に配置されることを特徴とするアクティブ駆動型有機ＥＬ発光装置。 （もっと読む）

【課題】高繊細化に伴う画素領域の微細化、大面積化に伴う基板の大型化によって、蒸着
時に用いるマスクの精度とたわみなどによる不良が問題となっている。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パター
ンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることにより、工程を増やすことなく、
表示領域における画素電極（第１の電極とも呼ぶ）上、及び画素電極層周辺に膜厚が異な
る部分を有する隔壁を形成する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の発光装置において、発光素子の陽極における平均膜抵抗を低抵抗化を可能とする素子構造を提供する。
【解決手段】陰極１０４の間を埋めるように形成されたバンク１０７の上部１０７ｂを導電膜で形成することにより、陽極１０９における平均膜抵抗を低抵抗化することができ、より鮮明な画像表示の発光装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不透明なカソード電極の干渉現象を防止して、透明領域が拡大された有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は、画素領域が複数形成された基板本体を含む有機発光表示装置１０１であって、一つの画素領域は、不透明領域ＯＡ及び透明領域９０を含み、不透明領域ＯＡは、光を放出する表示領域３０を含む。表示領域３０及び透明領域９０は、表示領域３０と透明領域９０との間に配置される導電ライン（共通電源ライン１７２）によって離隔して配置される。 （もっと読む）

【課題】明るく、信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられ、コンタクトホールを
有する絶縁膜と、コンタクトホールを埋めて設けられた導電体と、絶縁膜上に設けられ、
導電体を介して薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の金属膜と、第１の金属膜上
に設けられた透明導電膜と、透明導電膜上に設けられたＥＬ層と、ＥＬ層上に設けられた
第２の金属膜と、を有し、第２の金属膜を透過した光が放射される。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板の開口率を向上させる。
【解決手段】複数のトランジスタ素子を備えたアクティブマトリクス基板１０１Ａであって、可視光を透過させることが可能な基板１０と、基板上に形成され、亜鉛錫酸化物から構成される導電体材料よりなり、可視光を透過させることが可能な配線（Ｌ_Ｇ、Ｌ_Ｄ、Ｌ_Ｐ、Ｌ１、Ｌ２等）であってトランジスタ素子における電極として機能している、配線と、基板の垂直方向からみて配線の少なくとも一部と重なり、配線よりもキャリア濃度が低く、亜鉛錫酸化物から構成される半導体材料よりなり、かつ可視光を透過させることが可能な半導体層４４と、配線および半導体層の少なくとも一部を覆い、可視光を透過させることが可能な絶縁膜（４０、５０）と、を備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 （もっと読む）