説明

Fターム[3K107EE03]の内容

エレクトロルミネッセンス光源 (181,921) | 表示装置 (18,722) | 表示装置構造 (6,644) | アクティブマトリックス (5,008)

Fターム[3K107EE03]の下位に属するFターム

Fターム[3K107EE03]に分類される特許

141 - 160 / 3,965


【課題】画面の明るさが瞬間的に変化する(フラッシュ)現象を防止または抑制する。
【解決手段】発光ダイオード(OLED)、駆動トランジスタMdおよび保持キャパシタCsを含む画素回路3(i,j)と、画素回路3(i,j)の駆動のための制御信号(電源駆動パルスDS)を発生する駆動信号発生回路(水平画素ライン駆動回路41)とを有する。水平画素ライン駆動回路41は、OLEDを逆バイアスしない発光停止のための期間(発光停止処理期間(LM−STOP))を規定する第2レベル(中電位Vcc_M)と、中電位Vcc_Mより低いレベルでOLEDを逆バイアスする処理期間を規定する第1レベル(低電位Vcc_L)と、中電位Vcc_Mより高く発光許可期間を規定する第3レベル(高電位Vcc_H)とを有する電源駆動パルスDSを発生し、画素回路3(i,j)画素回路に供給する。 (もっと読む)


【課題】発光装置において、発光素子に電流を供給するTFTのしきい値が画素ごとにばらつくことによって生ずる輝度ムラを低減した発光装置を提供する。
【解決手段】第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、スイッチとを有する半導体装置であって、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、配線に電気的に接続され、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、画素電極に電気的に接続され、前記第2のトランジスタのゲートは、前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され前記スイッチの第1の端子は、前記配線に電気的に接続され、前記スイッチの第2の端子は、前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】駆動トランジスタのしきい電圧のドリフトによる表示劣化を解決する表示画面を提供する。
【解決手段】有機エレクトロルミネセンス表示画面において、各画点は有機ダイオードと、ダイオード用の第1及び第2の電流駆動回路とを含み、各駆動回路は、基準電圧とダイオードの1つの電極との間に接続された駆動トランジスタT2と、ゲート電圧を駆動トランジスタのゲートへ切り替えるためのスイッチングトランジスタと、ゲート電圧を保持するための、駆動トランジスタのゲートに接続されたコンデンサと、を備える。駆動トランジスタT2,T2’のゲート電圧は交互に、表示段階を制御するビデオ電圧Vv、又は回復段階を制御する遮断電圧Vbである。駆動トランジスタは1つが回復段階において、もう1つが表示段階において交互に制御され、その逆もある。 (もっと読む)


【課題】バックゲート効果の発生を抑制し得る構成、構造を有する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、それぞれが、発光部、及び、発光部を駆動するための駆動回路を備えた発光素子を、複数、有する表示素位置であって、駆動回路は、少なくとも、MOSFETから成る駆動トランジスタTDrv及び映像信号書込みトランジスタTSig、並びに、容量部C1から構成されており、駆動トランジスタTDrvは、第1導電型のシリコン半導体基板10に形成された第2導電型の第1ウエル11内に形成された第1導電型の第2ウエル12内に形成されており、映像信号書込みトランジスタTSigは、第1導電型のシリコン半導体基板10に形成されており、駆動トランジスタTDrvの他方のソース/ドレイン領域25と第2ウエル12とは電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】 本発明は色純度の良い赤色発光を有する新規縮合環化合物を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、発光効率が高く駆動電圧の低い赤色発光の有機発光素子を提供することである。
【解決手段】 下記一般式[1]で示されることを特徴とする縮合多環化合物を提供することである。
【化1】


[1] (もっと読む)


【課題】緑色発光する化学的安定性の高い縮合多環化合物と、それを有する有機発光素子を提供する。
【解決手段】下記一般式[1]または[2]で示される縮合多環化合物を提供する。


〔式[1]及び[2]において、R1乃至R10は水素原子、直鎖または分枝状の炭素原子数1乃至4のアルキル基、置換あるいは無置換の炭素原子数6乃至22の芳香族炭化水素基からなる群よりそれぞれ独立に選ばれる。〕 (もっと読む)


【課題】シェーディングやムラの少ない表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、(A)走査回路101、(B)映像信号出力回路102、(C)電流供給部100、(D)電流供給部100に接続され、第1の方向に延びるM本の電流供給線CSL、(E)走査回路10に接続され、第1の方向に延びるM本の走査線SCL、(F)映像信号出力回路102に接続され、第2の方向に延びるN本のデータ線DTL、並びに、(G)第1の方向にN個、第1の方向とは異なる第2の方向にM個、合計N×M個の、2次元マトリクス状に配列され、それぞれが、発光部ELP、及び、発光部ELPを駆動するための駆動回路を備えた発光素子1を備えており、各走査線SCLと走査回路101との間に容量負荷部101Aが設けられている。 (もっと読む)


【課題】発光素子に電流を供給するトランジスターの特性を十分な精度で補償する。
【解決手段】画素回路110は、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給するトランジスター124と、トランジスター124により供給された電流に応じた輝度で発光するOLED130とを含む。トランジスター124のゲート・ソース間を、初期化期間にリセットし、閾値補償期間に閾値電圧をセットする。書込期間の開始から階調レベルに応じた時間が経過したタイミングであって、当該階調レベルによって指定される階調が暗くなるにつれて時間的に早まるタイミングで、トランジスター124のゲート・ソース間に階調に応じた電圧分、変化させ、発光期間に第1トランジスター124のゲート・ソース間の電圧に応じた電流をOLED130に供給する。 (もっと読む)


【課題】 高効率及び長寿命発光を実現する有機発光素子を提供する。
【解決手段】 下記一般式[1]に示されることを特徴とする有機化合物。
【化1】
(もっと読む)


【課題】クラックの発生が抑制され、信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】発光デバイスが形成された第1の基板と、第2の基板とがガラスフリットを用いて封止された発光装置において、ガラスフリットを溶融、固化して形成された封止材と重なる領域に用いる配線材料には、発光装置に用いる基板の材料と線熱膨張係数の近い導電性材料を用いればよい。より具体的には、基板材料の線熱膨張係数との差が、0℃から500℃の範囲において、5ppm以下の線熱膨張係数を有する導電性材料を配線材料として用いる。 (もっと読む)


【課題】EL膜、陰極の断線を防止する技術を提供することを課題とする。陰極と陽極に
挟まれた部分で、EL膜の膜厚が局所的に薄くなることを抑えることができ、EL膜に局
所的に電界が集中することを防ぐことができる。
【解決手段】陽極100上に絶縁膜101を形成し、絶縁膜101上にEL膜102、陰
極103を形成したEL素子において、絶縁膜101の下端部、上端部を曲面形状とする
。また、絶縁膜101の中央部のテーパー角を35°以上70°以下とする。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い酸化物半導体をチャネル層に用いて、優れた特性を有する半導体装置を提供することを課題の一つとする。また、下地膜の平坦性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの下地膜に化学機械研磨処理を行い、化学機械研磨処理した後、プラズマ処理を行うことで、下地膜の中心線平均粗さRa75値を、0.1nm未満とすることができる。プラズマ処理及び化学機械研磨処理の組み合わせにより得られた平坦性を有する下地膜上に結晶性の高い酸化物半導体層を形成することで、半導体装置の特性向上を図る。 (もっと読む)


【課題】静電破壊を防止して歩留まり良く製造できる電気装置の製造方法、半導体基板の製造方法、電気装置用形成基板、及び電子機器を提供する。
【解決手段】支持体上に、樹脂材料からなる基材を複数積層することで第1基板を形成する工程と、素子基板から前記支持体を剥離する工程と、素子基板との間で機能素子を挟持するように第2基板を貼り付ける工程と、を有する電気装置の製造方法に関する。素子基板の形成工程においては、複数の基材間のいずれかに挟持するように電極層を配置するとともに、電極層よりも上層であって複数の前記基材間のいずれかに挟持する或いは基板本体の表面に配置するように機能素子を駆動するための半導体素子を設ける。 (もっと読む)


【課題】金属配線の下層を加工または損傷させることなく、金属配線がショート不良となることを未然に防止できるレーザー修正工程を有する表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の画素を備えた表示部を有する表示装置の製造方法は、当該表示部が有するガラス基板11上に形成された駆動回路層12の表面を平坦化する平坦化膜13と、平坦化膜13上に積層された上部電極層14Pと、上部電極層14P上に形成され上部電極層14Pを画素形成領域ごとに配置された上部電極14として分離形成するためのパターニングされたレジスト20とを準備する第1工程と、隣接する画素形成領域の間の領域に残存するレジスト残り20Nに対し、266nmの波長を有するレーザーを照射することにより、レジスト残り20Nを除去する第2工程と、当該第2工程の完了後、全ての画素に対して、レジスト20をマスクとしてエッチングする第3工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】AM−OLED等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにLCDやPDPよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板2の上にTFT配線部3、パッシベーション膜4、第一蛍光体層6a、第一平坦化層7aを積層し、その上に透明アノード電極100、発光層101、透明カソード電極102を順次積層した発光体10を配設する。発光層101はZnO系またはGaN系等材料で構成し、発光面(上面)の面積に対する側面の総面積の割合を1/10以上に設定する。これにより表示装置1を得る。 (もっと読む)


【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層112に含まれる水素や水分(水素原子や、HOなど水素原子を含む化合)などの不純物を、酸化物半導体層112より排除し、上記酸化物半導体層112中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層112と接して設けられるゲート絶縁層132及び/又は絶縁層116に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層112に付着させてもよい。 (もっと読む)


【課題】 Moの持つSiバリヤ性、ITOコンタクト性という利点を維持しながら、耐酸化性を改善し、尚且つCuとの積層時や信号ケ−ブルの取り付け等の加熱工程を経ても低い電気低抵値を維持できる、電子部品用積層配線膜を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Cuでなる主導電層と、該主導電層の一方の面および/または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がMo100−XNi、10≦X≦70で表され、残部不可避的不純物からなるMo−Ni合金である電子部品用積層配線膜。 (もっと読む)


【課題】インクジェット方式で基板上に有機EL材料を吐出、塗布し有機EL層を形成する有機EL装置の製造において、有効光学領域画素間および各画素内で有機EL薄膜の膜厚を均一にする。
【解決手段】表示に関係する表示画素が複数配置された有効光学領域と表示に関係しない第1ダミー領域とを含む有機エレクトロルミネッセンス装置形成領域が、複数の有効光学領域群を有する有機エレクトロルミネッセンス装置用基板を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記有効光学領域群の周囲に、前記複数の有機エレクトロルミネッセンス装置形成領域を囲むように第2ダミー領域を形成する工程と、前記第1ダミー領域、前記第2ダミー領域及び前記表示画素に、有機エレクトロルミネッセンス材料を含む組成物を形成する工程と、を含む有機EL薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板にOLEDのような発光素子を含む画素回路を形成する。
【解決手段】画素回路が配列する表示部100と、表示部100から離間して囲むように設けられ、複数の画素回路を駆動する走査線駆動回路140、データ線駆動回路150とがシリコン基板に形成される。Nウェル104は、表示部100にわたって連続的に形成される。複数の画素回路の各々は、それぞれ複数のトランジスターを有し、当該トランジスターはNウェル104に共通に形成されるとともに、基板電位を共通である。表示部100におけるNウェル104は導電型の異なるP型半導体基板領域102で囲まれる。 (もっと読む)


【課題】発光素子を駆動する降圧DC/DCコンバータの動作周波数を安定化する。
【解決手段】電流検出回路10は、スイッチングトランジスタM1に流れる電流IM1が所定のピーク電流に達するとアサートされるオフ信号SOFFを生成する。パルス生成回路30は、オン信号SON、オフ信号SOFFがアサートされる度にレベルが遷移するパルス信号S2を生成する。電流源24は、DC/DCコンバータ6の出力電圧VOUTに応じた充電電流により第1キャパシタ22を充電する。演算回路50は、DC/DCコンバータ6の入力電圧VINおよび出力電圧VOUTに応じたしきい値電圧VC4を、VC4=(VIN−VOUT)×VOUT/VIN×m(mは定数)にもとづいて生成する。第1コンパレータ28は、第1キャパシタ22の電圧がしきい値電圧VC4に達するとアサートされるオン信号SONを生成する。 (もっと読む)


141 - 160 / 3,965