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Fターム[3K107EE03]の内容

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【課題】有機EL素子を用いた表示装置において、接合部材として金属を用いて防湿性の高い封止を行うと同時に、該金属に起因する寄生容量による表示不良を低減する。
【解決手段】少なくとも周辺回路と金属接合部8とが重畳する領域においては、金属接合部8内に空隙を形成して係る金属接合部8による寄生容量を低減する。 (もっと読む)


【課題】安定で新規なベンゾ[a]ナフト[2,1−c]テトラセン化合物とそれを有する有機発光素子を提供する。
【解決手段】下記構造式を含む有機化合物。
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【課題】高画質化を実現する画像形成装置を提供する。
【解決手段】実施形態の画像形成装置は、複数配列された有機EL素子によって光を射出する露光部と、前記露光部の曲率と略同心状に湾曲させた状態で、内周面が前記露光部の外周面側に沿って近接若しくは接触配置され、前記露光部から射出される光によって表面に潜像が形成される感光体と、前記潜像に基づき記録媒体に画像を形成する画像形成部とを備えていることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】トランジスター121のゲートノードgがノイズ等による影響を受け難くする。
【解決手段】画素回路110は、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給するトランジスター121と、二端子型のOLED150と、データ線14とトランジスター121のゲートとの間でオンまたはオフするトランジスター122と、トランジスター121におけるゲートとドレインとの間でオンまたはオフするトランジスター123と、OLED150におけるアノードAdと、リセット電位を給電する給電線16との間でオンまたはオフするトランジスター124と、OLED150への電流経路でオンまたはオフするトランジスター125とを含む。画素回路110が形成される領域は、トランジスター121〜123が配置される第1領域110aと、トランジスター124、125が配置される第2領域110bとに分離される。 (もっと読む)


【課題】高効率発光の銅錯体とそれを用いた有機発光素子を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で示される銅錯体。


(式(1)中、Rは、ハロゲン原子等を、Rは、アセトニトリル基等を、RおよびRは、アルキル基、フェニル基等を、Cuは一価の銅イオンを表す。) (もっと読む)


【課題】半導体発光素子を高速且つ安定化してPWM信号で駆動する。
【解決手段】LED18と、直流の動作電力を供給する電源電圧変換部11と、電源電圧変換部11からの電力を蓄積して放出するインダクタ13、及びインダクタ13に電源電圧変換部11からの電力を供給して蓄積する充電経路R1と、インダクタ13に蓄積された電力をLED18で発光させて放出する放電経路R2とを切換えるFET12、15、14、19を含み、FET12、15、14、19での切換えによりLED18を間欠駆動する駆動回路と、充電経路及び放電経路の各選択時に経路にかかる電圧を検出し、その検出結果に応じてFET12、15、14、19を切換えて、インダクタ13を流れる電流を一定値に保つ定電流制御部21と、定電流制御部21によるFET12、15、14、19の切換えデューティ比に応じて電源回路が供給する直流電圧値を調整するデューティ監視部22とを備える。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第1のゲート絶縁膜及び第2のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第1のゲート絶縁膜と第2のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とする。 (もっと読む)


【課題】高アスペクト比、高精細の障壁を備えた蛍光体基板を提供する。
【解決手段】本発明の蛍光体基板1は、基板2と、基板2上に設けられ、入射された励起光により発光する蛍光体層3R,3G,3Bと、蛍光体層の側面を囲む障壁4と、を備え、蛍光体層3R,3G,3Bと障壁4とを有する第1の領域M1と、第1の領域M1の外側に位置する第2の領域M2と、を備え、第2の領域M2には、第1の領域M1に形成された障壁4を構成する全ての部材あるいは一部の部材で形成された構造物5が設けられ、障壁4と構造物5の少なくとも一部とが連続体をなしている。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置において、新規の構成を有する画素回路を用いることにより、従来
の構成の画素よりも高い開口率を実現することを目的とする。
【解決手段】i行目を除くゲート信号線の電位は、i行目のゲート信号線106が選択さ
れている以外の期間においては定電位となっていることを利用し、i−1行目のゲート信
号線111をi行目のゲート信号線106によって制御されるEL素子103への電流供
給線として兼用することで配線数を減らし、高開口率を実現する。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】額縁の領域をより狭くすることを可能とした表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表示装置は、配列された複数の表示素子(120)と外周側に電源の配線層(107)とを有する基板(100)と、表示素子の相互間を分離するバンク層(113)と、複数の表示素子とバンク層とを覆う電極層(123)と、基板の外周部分と外周を一周する封止部(202)において接着剤などの接合手段(301)を介して接合して電極層を更に覆う封止基板(200)と、を備え、封止基板の外周を基板の外周の内側に位置し、電極層の外周部を封止基板の封止部(b+c)内にて電源の配線(107)と接続する。それにより、電極(123)と配線(107)との接続領域(c)を基板と封止基板との接合領域(b+c)として活用し、ガスバリア等のために所要の接合幅を確保しつつ表示装置の額縁の構成要素となる部分を減らす。 (もっと読む)


【課題】通常発光時における最大輝度よりも高輝度で有機EL素子を発光させることが可能な表示装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】有機EL素子13と駆動トランジスタ118からなる直列回路、容量素子123、グラウンド線gndおよび電源線120を備え、グラウンド線gndが直列回路における駆動トランジスタ118のソース電極側の端部に電気的に、電源線120がドレイン電極側の端部にそれぞれ電気的に接続された表示装置の製造方法において、グラウンド線gndの電位を、ゲート電極とソース電極間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位にすることにより、容量素子123を通常発光時よりも高い電圧で充電する充電工程と、充電工程において充電された容量素子123の充電電圧に基づき、有機EL素子13を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、表示装置およびその駆動方法に関する。
【解決手段】表示装置は、第1グループ画素および第2グループ画素に第1映像および第2映像が表示される順によって表示装置の一フレーム単位で映像ソース信号を配列する。表示装置は、映像ソース信号の一フレーム期間中の単位表示期間の整数倍期間以外の残りの期間に表示される映像の種類を映像ソース信号の一フレーム単位に変える。表示装置は、単位表示期間の整数倍期間に対応する映像ソース信号の配列に残りの期間に対応する映像ソース信号配列を加える。単位表示期間は、第1映像および第2映像が時分割されて前記第1グループ画素および前記第2グループ画素に一フレームずつ表示される期間である。 (もっと読む)


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