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Fターム[3K107GG00]の内容

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【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を
形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って
第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】高精細な複数の開口パターンの形成を容易にすると共に、ハンドリング中も開口パターンの形状及び位置が維持できるようにする。
【解決手段】平板状の磁性金属材料に薄膜パターンよりも形状が大きい貫通する複数の開口部6を設けて保持部材1を形成し、保持部材1の一面に可視光を透過する樹脂製フィルム2を密着して保持し、第1の磁気チャック17上に載置された基板3に対して保持部材1を位置合わせした後、磁力により保持部材1を吸着してフィルム2を基板3面に密着させ、保持部材1の開口部6内のフィルム2の部分にレーザ光を照射して、薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターン4を形成し、第2の磁気チャック18の磁力により保持部材1を吸着して該保持部材1及びフィルム2を一体的に基板3上から剥離する。 (もっと読む)


【課題】マイクロディスプレイであっても意図しない領域における発光を抑えることが可能な有機発光装置、有機発光装置の製造方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の有機発光装置は、基板と、基板上に形成された複数の第1電極と、第1電極の端部を覆うとともに当該第1電極の一部を露出させる開口が設けられた絶縁層と、第1電極と対向して形成された第2電極と、第1電極と第2電極との間に形成された有機発光層と、を有し、絶縁層の第1電極の端部と重なる部分は、第1部分と、第1部分よりも基板に垂直な方向の厚さが薄い第2部分と、を有し、第2部分は、第1部分よりも開口側に形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】発光素子、光電変換素子等を含む各種光学素子の増強要素として有用なプラズモン材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】30個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されてなる金属系粒子集合体を製造する方法であって、100〜450℃の範囲内に温度調整された基板上に、1nm/分未満の平均高さ成長速度で金属系粒子を成長させる工程を含む金属系粒子集合体の製造方法である。該製造方法により、平均粒径が200〜1600nm、平均高さが55〜500nm、平均高さに対する平均粒径の比で定義されるアスペクト比が1〜8である金属系粒子からなる金属系粒子集合体を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】良好な透明性を示すガスバリア性フィルム、その製造方法及びガスバリア層、並びにガスバリア性フィルム又はガスバリア層を用いた装置を提供することを課題とする。
【解決手段】プラスチック基材1と、プラスチック基材1上に接して設けられた有機層2と、有機層2上に接して設けられた無機層3とを有し、無機層3の屈折率から有機層2の屈折率を差し引いた屈折率差を0.15以下であるガスバリア性フィルムとすることにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】異物の発生や付着の少ない透明複合基板およびかかる透明複合基板を効率よく製造し得る製造方法、および前記透明複合基板を備えた信頼性の高い表示素子基板を提供すること。
【解決手段】本発明の透明複合基板の製造方法は、ガラスクロス2と、ガラスクロス2に含浸した樹脂材料3と、を有する透明複合基板1の製造方法であって、ガラスクロス2に樹脂ワニス30を含浸させ、含浸体101を得る工程と、含浸体101の両面にシート状の支持部材71を重ねた後、含浸体101の外縁部12を除く部分(中央部13)に紫外線を照射して未硬化の樹脂ワニス30を硬化させ、仮硬化体102を得る工程と、仮硬化体102を支持部材71から剥離する工程と、仮硬化体102の外縁部に紫外線を照射して未硬化の樹脂ワニス30を硬化させ、本硬化体(透明複合基板)を得る工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い酸化物半導体をチャネル層に用いて、優れた特性を有する半導体装置を提供することを課題の一つとする。また、下地膜の平坦性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの下地膜に化学機械研磨処理を行い、化学機械研磨処理した後、プラズマ処理を行うことで、下地膜の中心線平均粗さRa75値を、0.1nm未満とすることができる。プラズマ処理及び化学機械研磨処理の組み合わせにより得られた平坦性を有する下地膜上に結晶性の高い酸化物半導体層を形成することで、半導体装置の特性向上を図る。 (もっと読む)


【課題】ガラスフィルムの損傷を防止しつつ、ガラスフィルムの取扱い性を向上させる。
【解決手段】ガラスフィルム積層体1は、支持フィルム2と、粘着層3と、粘着層3を介して支持フィルム2と接合されたガラスフィルム4と、ガラスフィルム4の長手方向に沿ってガラスフィルム4の長手方向端部に連接された端部フィルム5と、支持フィルム2とガラスフィルム4および端部フィルム5との間に介在され、且つ、ガラスフィルム4および端部フィルム5に粘着された第1のテープ部材6と、を備える。支持フィルム2及び粘着層3の長手方向端部は、第1のテープ部材6の端部より外方へ突出すると共に、端部フィルム5上に配置されている。 (もっと読む)


【課題】作製中にESDにより半導体素子が破壊されることを抑制する駆動回路および当該駆動回路の作製方法を提供する。また、リーク電流の小さい保護回路が設けられた駆動回路および当該駆動回路の作製方法を提供する。
【解決手段】駆動回路中の半導体素子と電気的に接続して、駆動回路中に保護回路を設け、駆動回路中の半導体素子となるトランジスタと駆動回路中の保護回路を形成するトランジスタを同時に形成することにより、駆動回路の作製中にESDにより半導体素子が破壊されることを抑制する。さらに、駆動回路中の保護回路を形成するトランジスタに酸化物半導体膜を用いることにより、保護回路のリーク電流を低減する。 (もっと読む)


【課題】構成する有機分子の配向が制御され、キャリア移動度が高いキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】キャリア輸送性のπ電子共役有機分子を基材上に蒸着させて、キャリア輸送性有機非晶質薄膜を製造する方法であって、前記有機分子のガラス転移点Tg[K]、前記薄膜の膜密度から算出される前記有機分子一分子あたりの体積V[Å]、及び前記有機分子の蒸着速度R[Å/sec]を用いて下記式(A)から算出される温度T[℃]以上で、且つ1.15Tg[K]以下である温度に、前記基材の温度を調節しながら、前記有機分子を蒸着させることを特徴とするキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法。
=0.85×Tg/(1+0.01846×ln(V/(600×R))−273 ・・・・(A) (もっと読む)


【課題】ガラスフィルムの端部から支持フィルムがはみ出した場合であっても、ゴミ付着の問題やハンドリング時の貼り付きの問題を低減でき、露光マスクに接触したり現像液が溜まったりする段差部分がなく、搬送直進性とパターン形成時等の位置精度を向上させることができるガラスフィルム積層体を提供する。
【解決手段】ガラスフィルム3と、粘着層2と、ガラスフィルム3の幅Aよりも大きい幅Bのフィルムであって前記したガラスフィルム3の両側端部3a,3bからはみ出すように、粘着層2を介してガラスフィルム3に設けられている支持フィルム1とを有し、支持フィルム1の幅方向Xの各端部1a,1bからその各端部1a,1b側におけるガラスフィルム3の幅方向Xの各端部3a,3bまでの距離a,bを、支持フィルム1の幅方向Xの端部1a,1bから内方に向かって0.5mm以上1mm以下にして、上記課題を解決した。 (もっと読む)


【課題】単純化された有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板本体上にゲート絶縁膜を形成する段階と、ゲート絶縁膜上に透明導電層及びゲート金属層を順次に形成する段階と、透明導電層及びゲート金属層を共にパターニングして透明導電層部及びゲート金属層部を含む複層構造を有する画素電極中間体、及び、ゲート電極を形成する段階と、画素電極中間体及びゲート電極上に層間絶縁膜を形成する段階と、層間絶縁膜に画素電極中間体の一部を露出する開口部を形成する段階と、層間絶縁膜上にデータ金属層を形成する段階と、データ金属層をパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成し、層間絶縁膜の開口部を通して露出された画素電極中間体のゲート金属層部を除去して画素電極を形成する段階と、を含む。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信
頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導
体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第1
の導電膜を形成し、第1の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第2の導電
膜を形成し、第1の導電膜及び第2の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレ
イン電極を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に、酸化物半導体膜
と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第1の絶
縁膜に酸素原子を供給し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに
、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半
導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された
酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳す
る領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】有機発光素子やITOの屈折率ndに整合し、また耐失透性が高く、しかも原料コストの高騰を防止し得る高屈折率ガラスを創案する。
【解決手段】本発明の高屈折率ガラスは、ガラス組成として、質量%で、B 0〜10%、SrO 0.001〜35%、ZrO+TiO 0.001〜30%、La+Nb 0〜10%を含有し、質量比BaO/SrOが0〜40、質量比SiO/SrOが0.1〜40であり、且つ屈折率ndが1.55〜2.3であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】透明フィルム基材上に、透明導電層および導電性金属層がこの順に形成された導電性積層フィルムの製造において、導電性金属層成膜時のシワの発生を抑止する。
【解決手段】本発明の製造方法は、ポリエステル系樹脂を構成材料とする長尺透明フィルム基材上に透明導電層が形成された長尺透明導電性フィルムが搬送されながら、透明導電性フィルムの透明導電層形成面側に導電性金属層を連続的に成膜される金属層成膜工程を有する。金属層成膜工程は、1Pa以下の減圧環境で行われる。長尺状透明導電性フィルムは、搬送張力が付与されることで連続的に搬送され、透明導電層非形成面側が成膜ロールの表面に接触した状態で、透明導電層形成面側に前記導電性金属層が連続的に堆積される。前記成膜ロールの表面温度は110℃〜200℃であることが好ましい。成膜箇所におけるフィルム基材の長手方向に垂直な面の単位面積あたりの搬送張力が0.6〜1.8N/mmであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の作製工程におけるプラズマダメージの影響を低減し、しきい値電圧のばらつきの抑制された均一な表示特性の半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ上の平坦化層113と、平坦化層113の上面もしくは下面に設けられると共に平坦化層からの水分や脱ガス成分の拡散を抑制するバリア層112を備えた半導体装置であって、これら平坦化層113及びバリア層112の位置関係を工夫することにより平坦化層113に及ぶプラズマダメージを低減する上で有効なデバイス構成を用いる。また、画素電極158の構造として新規な構造との組み合わせにより、輝度の向上等の効果をも付与する。 (もっと読む)


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