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Fターム[3K107HH05]の内容

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Fターム[3K107HH05]に分類される特許

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【課題】トランジスター121のゲートノードgがノイズ等による影響を受け難くする。
【解決手段】画素回路110は、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給するトランジスター121と、二端子型のOLED150と、データ線14とトランジスター121のゲートとの間でオンまたはオフするトランジスター122と、トランジスター121におけるゲートとドレインとの間でオンまたはオフするトランジスター123と、OLED150におけるアノードAdと、リセット電位を給電する給電線16との間でオンまたはオフするトランジスター124と、OLED150への電流経路でオンまたはオフするトランジスター125とを含む。画素回路110が形成される領域は、トランジスター121〜123が配置される第1領域110aと、トランジスター124、125が配置される第2領域110bとに分離される。 (もっと読む)


【課題】有機ELパネルの有機層に発生した部分短絡を容易に検出することが可能な有機ELモジュールを提供する。
【解決手段】有機ELモジュール200は、透明電極層12を含み、給電されることによって発光する有機ELパネル10と、透明電極層12に設けられた複数の電圧検出部21〜24と、複数の電圧検出部21〜24の各々における透明電極層12の電圧値を検出するとともに、検出した複数の電圧値同士の差が所定の閾値以上であるか否かを判定する判定部30と、を備える。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置において、新規の構成を有する画素回路を用いることにより、従来
の構成の画素よりも高い開口率を実現することを目的とする。
【解決手段】i行目を除くゲート信号線の電位は、i行目のゲート信号線106が選択さ
れている以外の期間においては定電位となっていることを利用し、i−1行目のゲート信
号線111をi行目のゲート信号線106によって制御されるEL素子103への電流供
給線として兼用することで配線数を減らし、高開口率を実現する。 (もっと読む)


【課題】通常発光時における最大輝度よりも高輝度で有機EL素子を発光させることが可能な表示装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】有機EL素子13と駆動トランジスタ118からなる直列回路、容量素子123、グラウンド線gndおよび電源線120を備え、グラウンド線gndが直列回路における駆動トランジスタ118のソース電極側の端部に電気的に、電源線120がドレイン電極側の端部にそれぞれ電気的に接続された表示装置の製造方法において、グラウンド線gndの電位を、ゲート電極とソース電極間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位にすることにより、容量素子123を通常発光時よりも高い電圧で充電する充電工程と、充電工程において充電された容量素子123の充電電圧に基づき、有機EL素子13を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】データ信号の振幅を圧縮しつつ、データ線の狭ピッチ化を可能とする。
【解決手段】一端がデータ線14に接続された保持容量44と、データ線14の各々の電位をそれぞれ保持する保持容量50と、階調レベルに応じた電位のデータ信号Vd(j)を一旦保持し、保持したデータ信号が所定のタイミングで保持容量44の他端に供給される保持容量41とを備え、これらは半導体基板に形成され、保持容量41は、電気的に並列に接続される第1容量411と第2容量412とを備え、半導体基板150と垂直方向から見たとき、第1容量411と第2容量412とは重なるように形成される。 (もっと読む)


【課題】回路を構成するトランジスタのソース−ドレイン耐圧を維持したまま、走査回路の最終段のインバータ回路の入力電圧の振幅を増大させることが可能なレベルシフタ回路を提供する。
【解決手段】第1固定電源側の2つのトランジスタ回路が第1導電型のトランジスタから成り、第2固定電源側の2つのトランジスタ回路が第2導電型のトランジスタから成るとともに、第1固定電源側の2つのトランジスタ回路及び第2固定電源側の2つのトランジスタ回路の少なくとも一方側の2つのトランジスタ回路はダブルゲートトランジスタから成るレベルシフタ回路において、一方の電源側の2つのトランジスタ回路が動作状態のとき、他方の電源側の2つのトランジスタ回路のダブルゲートトランジスタの共通接続ノードに第3固定電源の電圧を与えるスイッチ素子を設ける。 (もっと読む)


【課題】輝度ムラの発生を抑止しつつ、発光素子に供給する電流を精度良く制御する。
【解決手段】電気光学装置10は、第2の方向に延在する複数のデータ線14と、第2の方向に延在し、所定電位が供給される複数の電位線16と、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給するトランジスター121、トランジスター121により供給された電流に応じて発行するOLED130、トランジスター121のゲート・ソース間の電圧を保持する保持容量132、および、データ線14とトランジスター121のゲートとの間でオンまたはオフするトランジスター122を有する複数の画素回路110と、を備え、複数のデータ線14の各々と、複数の電位線16の各々とは同層に形成され、複数のデータ線14および複数の電位線16のうち、互いに隣り合うデータ線14および電位線16によって、当該データ線14の電位を保持する保持容量50が形成される。 (もっと読む)


【課題】小規模な外部周辺回路により駆動可能な画素回路を有し、簡略化された製造工程による表示装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】表示装置1が有する発光画素は、有機EL素子14と、ドレインが電源線PSに接続された電流駆動トランジスタ21と、電流駆動トランジスタ21のVgsを保持するコンデンサ22と、コンデンサ22と電源線PSとを導通させるスイッチトランジスタ23と、コンデンサ22と初期化電源線PIとを導通させるスイッチトランジスタ24と、電流駆動トランジスタ21により駆動される電流を有機EL素子14へ流すための電流径路を導通及び遮断する電流スイッチトランジスタ11と、電流スイッチトランジスタ11のVgsを保持するコンデンサ12と、電流スイッチトランジスタ11のゲートとデータ線DTとを導通させる選択トランジスタ13とを備える。 (もっと読む)


【課題】回路を構成するトランジスタのソース−ドレイン耐圧を維持したまま、最終段のインバータ回路の入力電圧の振幅を増大させることが可能なバッファ回路を提供する。
【解決手段】第1導電型のトランジスタから成る第1トランジスタ回路と第2導電型のトランジスタから成る第2トランジスタ回路とが、第1固定電源と第2固定電源との間に直列に接続され、且つ、各入力端同士及び各出力端同士がそれぞれ共通に接続されており、第1,第2トランジスタ回路の少なくとも一方のトランジスタ回路がダブルゲートトランジスタから成るバッファ回路において、第1,第2トランジスタ回路の一方のトランジスタ回路が動作状態のとき、他方のトランジスタ回路のダブルゲートトランジスタの共通接続ノードに第3固定電源の電圧を与えるスイッチ素子を設ける。 (もっと読む)


【課題】画素回路を微細化する一方で、発光素子に供給する電流を精度良く制御する。
【解決手段】画素回路110は、シリコン基板150に形成され、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給するトランジスター121、トランジスター121により供給された電流に応じて発行するOLED130、トランジスター121のゲートに電気的に接続されたトランジスター122、トランジスター121のゲート・ドレイン間に電気的に接続されたトランジスター123、および、トランジスター121のゲートに電気的に接続されトランジスター121のゲート・ソース間の電圧を保持する保持容量132を備え、トランジスター122のソースまたはドレインの一方と、トランジスター123のソースまたはドレインの一方とは、共通の拡散層により形成される。 (もっと読む)


【課題】抵抗負荷型インバータを用いて画素の点灯又は非点灯を制御すると、抵抗負荷型
インバータを構成するトランジスタの特性のバラツキにともなって、画素毎の発光にばら
つきが生じる。
【解決手段】画素内のインバータとしてNチャネル型トランジスタとPチャネル型トラン
ジスタを用いてCMOSインバータを適用する。CMOSインバータを構成するトランジ
スタの特性がばらつき、インバータ伝達特性がばらついても、画素の点灯又は非点灯の制
御に影響を与えることがなくなり、画素毎の発光のばらつきを無くすことができる。また
、インバータの片方の電源電位として走査線の信号電位を用いることにより画素の開口率
を高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は改良された性能を提供しつつ簡単な制御構造を有するOLED制御装置を提供することを目的とする。
【解決手段】制御信号に応答してフレーム期間内で蓄積回路に輝度値を蓄積する制御回路を含む、LED表示画素を制御するためのアクティブマトリクス回路。駆動回路が蓄積回路に応答してLEDの電流を制御して輝度値により決定される輝度レベルで発光させる。蓄積回路に接続された輝度値減少回路がフレーム期間における蓄積回路に蓄積された輝度値の制御された減少をもたらす。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 (もっと読む)


【課題】画素回路の素子数を削減しつつ、駆動トランジスタのスレッショルド電圧補償時間およびデータ書き込み時間を十分に確保することで表示品位の劣化を避けることが可能な、電気光学装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】第1電源と、第2電源と、複数のデータ線と、複数の走査線と、複数の信号線と、データ線と走査線とが交わる領域に設けられる複数の画素回路と、を備え、発光素子を非発光状態にして、信号線に印加するパルスの変化により第2トランジスタをオンする第1ステップと、第2トランジスタをオンした後に、走査線を順次排他的に選択し、選択された走査線にゲートが接続されている第3トランジスタをオンして、選択された画素に対応するデータ電圧をデータ線から第3トランジスタを介して第1ノードに書き込む第2ステップと、を備えることを特徴とする、電気光学装置の駆動方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】簡単な画素回路構成で製造歩留まりの低下がなく、表示品質を維持しつつEL素子の輝度劣化の回復を実現できる表示装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】複数の発光画素を有する表示装置3であって、発光画素22は、駆動トランジスタ102と、信号電流が流れることにより発光する発光素子101と、データ線11と発光素子101との導通及び非導通を切り換えるスイッチングトランジスタ107とを備え、表示装置3は、信号電圧をデータ線11に供給するデータ駆動回路141と、所定のバイアス電圧をデータ線11に供給するバイアス供給回路142とを備え、信号電流を発光素子101に流さない期間と同期して、制御線13を電圧変化させることでスイッチングトランジスタ107をオン状態とすることにより、発光素子101のアノードに所定のバイアス電圧を印加する。 (もっと読む)


【課題】画素部に形成される画素電極や走査線(ゲート線)及びデータ線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】半導体膜107と基板との間に第1の絶縁膜を介して設けられた第1の配線102を、半導体膜107と重ねて設け、遮光膜として用いる。さらに半導体膜上にゲート絶縁膜として用いる第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上にゲート電極と第2の配線134を形成する。第1及び第2の配線は、第1及び第2の絶縁膜を介して交差する。第2の配線134の上層には、層間絶縁膜として第3の絶縁膜を形成し、その上に画素電極147を形成する。画素電極147は、第1の配線及び第2の配線とオーバーラップさせて形成することが可能であり、反射型の表示装置において画素電極147の面積を大型化できる。 (もっと読む)


【課題】表示むらを抑制すること、又は異なる画素におけるトランジスタ特性のばらつきを低減すること、あるいは、発光素子の劣化等に伴う輝度の低下を抑制する事が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】基板100の上に設けられたトランジスタ121と、発光素子109とを具備する画素部120を有し、トランジスタは、チャネル形成領域を形成する単結晶半導体層122を有し、基板と単結晶半導体層との間に、酸化シリコン層が設けられており、トランジスタのソース又はドレインと発光素子の電極とが電気的に接続され、発光素子の発光時にトランジスタを飽和領域で動作させる。また、発光素子の階調表示を、トランジスタのゲートに印加する電位を変化させることによって行う。 (もっと読む)


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