【課題】ジアルコール体の副生を抑えつつ、炭素−炭素二重結合を有するラクトン化合物を製造できる方法を提供する。
【解決手段】式（１）の化合物を水素化ホウ素ナトリウムで還元し、式（２）のラクトン化合物、式（３）のラクトン化合物を製造する方法において、水素化ホウ素ナトリウムの使用量が式（１）の化合物に対して０．５〜０．９倍モルの範囲である（式中、Ｒ^１〜Ｒ^６は、それぞれ水素原子、メチル基またはエチル基であり；Ａ^１およびＡ^２は、ともに水素原子である、もしくは連結して−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、または−Ｏ−を形成する）。
【化１】
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【課題】優れたフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ¹⁴は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】レジストパターン形成時の露光マージン（ＥＬ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ²は、フッ素原子を有する炭化水素基；Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は、２価の飽和炭化水素基；Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２は、互いに独立に、フッ素原子又はフッ化アルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基、但し、ｓ＝０の時、Ａ^１１は単結合ではない；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基；環ＷＲ^２は、置換基を有していてもよいラクトン環基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するパターンを形成することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１及びＬ^２は、２価の飽和炭化水素基を表し、該基中のメチレン基は、酸素原子等で置き換わっていてもよい；環Ｗは脂環式炭化水素を表し、該脂環式炭化水素中のメチレン基は、酸素原子等で置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素中の水素原子は、ヒドロキシル基、アルキル基等で置換されていてもよい；ｓは０〜３の整数；Ｒ^１は脂肪族炭化水素基を表し、該基中のメチレン基は、酸素原子等で置き換わっていてもよい；Ｒ^２〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、アルキル基又は脂環式炭化水素基等を表す；Ｚ^＋は有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】新規化合物、高分子化合物、レジスト組成物、酸発生剤及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式（１−１）で表される化合物［式中、Ｒ^１、Ｒ^３はそれぞれ独立に、単結合又は２価の連結基であり、Ａは２価の連結基であり、Ｒ^２、Ｒ^４はそれぞれ独立に、水酸基、置換基を有していてもよい炭化水素基、又は式（１−ａｎ１）、（１−ａｎ２）又は（１−ａｎ３）で表される基である。n０は０又は１である。Ｙ¹は単結合又は−ＳＯ_２−であり、Ｒ^５はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、炭素数３〜２０の環状の１価の炭化水素基、又は炭素数３〜２０の環状の部分構造を有する１価の炭化水素基である。Ｍ^＋は有機カチオン又は金属カチオンである］。
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【課題】感度、解像性といった基本特性だけではなく、ＭＥＥＦ性能をも十分に満足する感放射線性樹脂組成物の提供。
【解決手段】［Ａ］下記式（１）で表される酸発生剤及び［Ｂ］（ｂ１）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する構造単位を有する重合体を含有する感放射線性樹脂組成物。


（式（１）中、Ｒ^１は１価の有機基である。Ｙは炭素数１〜１５の２価の有機基である。但し、炭素数１〜１５の２価の有機基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Ａ^＋は有機カチオンである。） （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージンを有するパターンを形成することができるレジスト組成物の酸発生剤用の塩を提供する。
【解決手段】式（Ｉ)で表される塩。［Ｑ^１及びＱ^２はフッ素原子又はＣ_１-６ペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１及びＬ^２はＣ_１-１７アルキレン基を表し、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。環Ｗ^１はＣ_３-３６飽和炭化水素環を表す。Ｒ^２は水酸基、Ｃ_１-６アルキル基又はＣ_１-６アルコキシ基を表す。環Ｗ^２はＣ_４-３６飽和炭化水素環を表し、前記飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ_２−は、−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。但し、前記飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ_２−の少なくとも１つは−ＣＯ−に置き換わる。Ｒ^３はＣ_１-６アルキル基、Ｃ_１-６アルコキシ基又はＣ_１-６アルコキシカルボニル基を表す。Ｚ^＋は、有機対イオンを表す。］
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【課題】パターン形成時のフォーカスマージンが広く、得られるレジストパターンはラインエッジラフネスに優れるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、式（Ｂ１）で表される酸発生剤と、式（Ｉ）で表される化合物とを含有するレジスト組成物。


［式中、環Ｗ^２はラクトン環；Ｌ^１は２価の飽和炭化水素基；環Ｗ^１は複素環；Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^b1は、単結合又は２価の飽和炭化水素基；Ｙは、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は飽和環状炭化水素基；Ｚ⁺は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れた解像度を有するパターンを形成することができるレジスト組成物の酸発生剤用の塩を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。［Ｑ^１及びＱ^２はフッ素原子又はＣ_1-6ペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、Ｃ_1-17アルキレン基を表し、前記アルキレン基に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｌ^２は単結合又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｌ−ＣＯ−を表し、前記−（ＣＨ_２）_ｌ−に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−で置き換わっていてもよい。ｌは、１〜６の整数を表す。環Ｗ^１はＣ_４-３６ラクトン環を表す。Ｒ^３はＣ_1-６アルキル基又はＣ_1-6アルコキシ基を表す。ｔは０〜２の整数を表す。Ｒ^１はＣ_1-１２炭化水素基を表す。環Ｗ^２はＣ_３-３６飽和炭化水素環を表す。Ｒ^２はＣ_1-６アルキル基又はＣ_1-6アルコキシ基を表す。ｓは０〜２の整数を表す。Ｚ^＋は有機対イオンを表す。］
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【課題】優れた解像性及びラインエッジラフネスを有するパターンを形成することができるレジスト組成物の酸発生剤用の塩を提供する。
【解決手段】式（Ｉ)で表される塩。［Ｑ^１及びＱ^２はフッ素原子又はＣ_1-6ペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１及びＬ^２はＣ_1-17アルキレン基を表し、前記アルキレン基の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。環Ｗ^１はＣ_４-３６ラクトン環を表す。Ｒ^３はＣ_1-６アルキル基又はＣ_1-6アルコキシ基を表す。ｔは０〜２の整数を表す。環Ｗ^２はＣ_３-３６飽和炭化水素環を表す。Ｒ^４はヒドロキシル基、Ｃ_1-６ヒドロキシアルキル基又はＣ_1-６ヒドロキシアルコキシ基を表し、該ヒドロキシアルキル基及び該ヒドロキシアルコキシの水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。ｖは１〜３の整数を表す。Ｒ^５はＣ_1-６アルキル基又はＣ_1-6アルコキシ基を表す。ｗは０〜２の整数を表す。Ｚ^＋は有機対イオンを表す。］
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【課題】優れた特性のレジストパターンを形成することができるフォトレジスト組成物とともに、このようなフォトレジスト組成物を提供する化合物及び樹脂並びにレジストパターン製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】式（ＶＩＩ）で表される化合物。


［式中、Ｒ⁰はＨ又はメチル基；Ｘ^２１及びＸ^２２は、２価飽和炭化水素基を表し、該基に含まれるメチレン基は、Ｏ又は−ＣＯ−で置換されていてもよいが、Ｘ^２１及びＸ^２２に含まれるメチレン基の少なくとも１つは−ＣＯ−で置換されている；Ｒ^２１及びＲ^２２は、−Ｃ（Ｒ^1R）（Ｒ^2R）（Ｒ^３R）基、置換基を有していてもよい脂環式又は芳香族炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基中のメチレン基は、Ｏ、−ＣＯ−、Ｓ又は−ＳＯ_２−で置換されていてもよい；Ｒ^１R、Ｒ^２R及びＲ^３Rは、アルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】解像度およびマスクエラーエンハンスメントファクターに優れた化学増幅型レジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ａ１）で表される塩を酸発生剤としてレジスト組成物に使用すれば、上記目的を達成できる［式（Ａ１）中、Ｚ⁺は有機カチオンを表す。Ｑ¹及びＱ²はフッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。Ｒ^a1は２価の環式の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｒ^a2は式（ＩＩ−１）又は式（ＩＩ−２）で表される脱離基である。式（ＩＩ−１）及び式（ＩＩ−２）中、Ｒ^a3及びＲ^a4は水素原子又は脂肪族炭化水素基を表す。Ｒ^a5は脂肪族炭化水素基を表す。Ｒ^a6は２価の脂肪族炭化水素基を表す。Ｒ^a7は脂肪族炭化水素基を表す。］。
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【課題】ＩＣなど半導体の製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらには、その他フォトファブリケーションにおけるリソグラフィー工程に使用されるレジスト組成物に有用な、新規な高分子化合物及び該高分子化合物の合成に用いられる新規な重合性化合物を提供すること。
【解決手段】特定の構造式で表されるラクトン構造を有する重合性化合物、及び、該重合性化合物を重合することによって得られる高分子化合物。 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）及びフォーカスマージン（ＤＯＦ）を有するパターンを形成することができるレジスト組成物の酸発生剤用の塩を提供する。
【解決手段】式（ａ１）で表される塩。［式（ａ１）中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｘ^１は、−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^ａ１−又は−ＣＨ_２−Ｏ−Ｘ^ａ２−を表す。Ｘ^ａ１及びＸ^ａ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１５のアルキレン基を表し、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｙ^１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基、又は置換基を有していてもよい炭素数６〜２４の芳香族炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。]
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【課題】ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適し、特に、ラインエッジラフネスが良好であり、リフロー工程においてパターンをより微細化できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物の提供。
【解決手段】式(I)の繰り返し単位と、


式(IV)と(V)の一つ以上の繰り返し単位など


を有する樹脂及び酸発生剤を含む化学増幅型ポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト用重合体の単量体として好適に用いられ、レジスト用重合体の有機溶媒への溶解性を向上できる新規な化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ａ）で表される化合物。式中、Ｒ_１は水素原子またはメチル基を表し、Ｒ_２は水素原子または炭素数１〜６の直鎖状または分岐状の炭化水素基を表す。Ｘは−［ＣＨ_２］_ｎ−ＣＯＯ−で表わされる２価基または−［ＣＨ_２］_ｎ−Ｏ−で表わされる２価基を表し、ｎは１〜４の整数を表す。Ｚはメチレン基または酸素原子を表す。
［化１］
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【課題】優れた形状、良好なラインエッジラフネス及び形状を示すパターンを形成し得る化学増幅型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターンの形成方法等を提供することにある。
【解決手段】酸発生剤と樹脂とを含有する化学増幅型フォトレジスト組成物であって、前記樹脂が、水酸基を有する環とラクトン環とを有し、且つ酸に不安定な基を有さないモノマーに由来する構造単位（ｂ２−２）を含む化学増幅型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】優れた解像度、ラインエッジラフネス及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することができる化学増幅型フォトレジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】酸発生剤と樹脂とを含有する化学増幅型フォトレジスト組成物であって、前記樹脂が、酸に不安定な基及びラクトン環を有するモノマーに由来する構造単位（ｂ３−２）を含む樹脂である化学増幅型フォトレジスト組成物。構造単位（ｂ３−２）の好ましい例は、酸の作用によりカルボキシ基を生じ且つラクトン環を有するモノマーに由来する構造単位である。 （もっと読む）

【課題】レジスト用樹脂等に応用した場合に耐薬品性等の安定性を保持しつつ、有機溶剤に対する溶解性に優れ、加水分解性及び／又は加水分解後の水に対する溶解性を向上しうる、高機能性高分子等のモノマー成分等として有用な新規なラクトン骨格を含む単量体を提供する。
【解決手段】下記式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^aは水素原子、ハロゲン原子、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｒ¹はラクトン骨格を有する基を示し、Ｙは炭素数１〜６の２価の有機基を示す）
で表されるラクトン骨格を含む単量体。 （もっと読む）