【課題】医薬品や農薬の原料として重要な（３Ｒ，４Ｒ）−３，４−ビス（オキシカルボニル）シクロペンタノンおよび（３Ｒ，４Ｒ）−３，４−ビス（オキシカルボニル）シクロペンタノールを、煩雑な操作を行うことなく、入手容易に簡便且つ効率的に製造する方法の提供。
【解決手段】光学活性なオキシカルボニル基を有する光学活性３，４−ビス（オキシカルボニル）−１，６−ヘキサン二酸またはその塩を溶媒から固体として析出させることによって、ジアステレオマー過剰率（％ｄｅ）の向上した光学活性３，４−ビス（オキシカルボニル）−１，６−ヘキサン二酸またはその塩の固体とし、続いて環化、還元することにより、高光学純度の光学活性ビス（オキシカルボニル）シクロペンタノンおよび（３Ｒ，４Ｒ）−３，４−ビス（オキシカルボニル）シクロペンタノールを効率的に製造できる。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネスに優れたレジストパターンを製造し得るレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂と、酸分解性基を有する酸発生剤と、両性イオン化合物とを含むレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。環Ｗ^２は置換基を有していてもよい炭素数３〜３４のラクトン環を表す。］ （もっと読む）

【課題】新規化合物、高分子化合物、レジスト組成物、酸発生剤及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式（１−１）で表される化合物［式中、Ｒ^１、Ｒ^３はそれぞれ独立に、単結合又は２価の連結基であり、Ａは２価の連結基であり、Ｒ^２、Ｒ^４はそれぞれ独立に、水酸基、置換基を有していてもよい炭化水素基、又は式（１−ａｎ１）、（１−ａｎ２）又は（１−ａｎ３）で表される基である。n０は０又は１である。Ｙ¹は単結合又は−ＳＯ_２−であり、Ｒ^５はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、炭素数３〜２０の環状の１価の炭化水素基、又は炭素数３〜２０の環状の部分構造を有する１価の炭化水素基である。Ｍ^＋は有機カチオン又は金属カチオンである］。
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【課題】機械的強度が高いパターン化酸化チタン膜を形成できる感光性金属アルコキシド、塗布液、パターン化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】金属アルコキシドと、前記金属アルコキシドに配位した、化学式１で表される配位子等から成る感光性金属アルコキシド。


化学式１におけるＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄は、炭化水素又は水素である。前記感光性金属アルコキシドを含むことを特徴とする塗布液。その塗布液は、表面を有機物で修飾された金属化合物から成る粒子を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】優れた解像度及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有し、且つ欠陥が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び（Ｂ）酸に不安定な基を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ¹は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。Ｒ²は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】パターン形成時のフォーカスマージンが広く、得られるレジストパターンはラインエッジラフネスに優れるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、式（Ｂ１）で表される酸発生剤と、式（Ｉ）で表される化合物とを含有するレジスト組成物。


［式中、環Ｗ^２はラクトン環；Ｌ^１は２価の飽和炭化水素基；環Ｗ^１は複素環；Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^b1は、単結合又は２価の飽和炭化水素基；Ｙは、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は飽和環状炭化水素基；Ｚ⁺は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用酸発生剤として好適な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（ｂ１−１）で表される化合物。
［化１］


［式中、Ｒ^００は脂肪族環式基であり；Ｒ^０１は２価の連結基又は単結合であり；Ｙ^１はフッ素置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキレン基であり；Ａ^＋はカチオンである。］ （もっと読む）

ゲムシタビンまたはその塩の製造方法であって、N-1位が保護された2’-デオキシ-2’,2’-ジフルオロシチジン-3’,5’-ジエステルのαアノマーの少なくとも大部分をそのアノマー混合物から除去する工程；3’位のエステル、5’位のエステル、およびN-保護基を除去する工程；ならびに場合によって塩を形成させる工程を含む方法を提供する。3’位のエステルおよび5’位のエステルは、同じであるかまたは異なっていて、これらのエステルの少なくとも１つは、好ましくは、シンナモイルエステル、ベンゾイルエステル、1-ナフトイルエステル、1-ナフチルメチルカルボニルエステル、2-メチルベンジルカルボニルエステル、4-メチルベンジルカルボニルエステル、または9-フルオレニルメチルオキシカルボニルエステルである。特に限定されないが2-デオキシ-2,2-ジフルオロ-D-エリスロ-ペントフラノース-1-ウロース-3,5-ジエステルを含む新規な中間体、およびこのような中間体の製造方法も提供する。 （もっと読む）

本発明は、新しいクラスのベンゾニトリルおよびアンドロゲン受容体調節薬としてのそれらの使用を対象とする。本発明の他の態様は、過剰皮脂分泌を減少させ、発毛を刺激するためのこれらの化合物の使用を対象とする。 （もっと読む）

医薬品、農薬、香料、機能性高分子等の製造のための原料や合成中間体として有用な、光学活性なα−ヒドロキシ−γ−ケト酸エステル、光学活性α−ヒドロキシ−γ−アミノ酸エステル、そしてヒドロキシジケトン化合物等の不斉合成を可能とする、エナンチオ選択的なカルボニル基への求核付加反応方法として、カルボニル基へのヒドロキシル基（−ＯＨ）生成をともなうエナミド化合物の求核付加反応を銅もしくはニッケルをもってのキラル触媒の存在下に行う。 （もっと読む）

（Ｉ）
本発明は、式（Ｉ）の新規アルコキシラクトン、アルコキシラクタムおよびアルコキシチオラクタムに関し、該アルコキシラクトン、アルコキシラクタムおよびアルコキシチオラクタムを用いる微生物相互作用を基にした過程を制御するための方法、該アルコキシラクトン、アルコキシラクタムおよびアルコキシチオラクタムの使用、ならびに該アルコキシラクトン、アルコキシラクタムおよびアルコキシチオラクタムを含有する剤に関する。
該式中、Ａ_１はＯまたはＮＨを表し、Ａ_２はＯまたはＳを表し、Ｒ_１およびＲ_２は、各々独立して、水素、分枝鎖または直鎖メチル炭化水素基、あるいは、飽和あるいは一価または二価不飽和であるＣ₂-Ｃ₈炭化水素基、特にＣ₂-Ｃ_６炭化水素基、好ましくはＣ₂-Ｃ_４炭化水素基から選択される基を表し、Ｒ_３は、飽和あるいは一価または二価不飽和である分枝鎖または直鎖状のＣ₁-Ｃ₁₈-飽和炭化水素基、特にＣ₁-Ｃ₁₆-飽和炭化水素基、好ましくはＣ₁-Ｃ₁₈-飽和炭化水素基、特に好ましくはＣ_３-Ｃ₁₄-飽和炭化水素基から選択される基を表す。

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