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Fターム[4C037UA03]の内容

フラン系化合物 (2,851) | 6員以外環とオルト、ペリ縮合フラン (75) | 5員環と縮合−シクロペンタ〔b〕フラン以外 (48)

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【課題】優れたパターン倒れ耐性(PCM)を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


[式(I)中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。環Wは置換基を有していてもよい炭素数3〜34のラクトン環を表す。] (もっと読む)


【課題】この樹脂をレジスト組成物に用いることにより、優れたCD均一性を有するパターンを得ることを目的とする。
【解決手段】樹脂、式(1)及び式(2)で表される酸発生剤を含むレジスト組成物。


[式(1)及び(2)中、Q〜Qはそれぞれ独立にF又はC1-6ペルフルオロアルキル基;X及びXは、単結合又は2価のC1-17飽和炭化水素基;Yはアルキル基で置換されていてもよいC3−36飽和環状炭化水素基;Yは、少なくとも1つのHがヒドロキシ基又はC1−6ヒドロキシアルキル基で置換されているC3−36飽和環状炭化水素基、C3−36ラクトン/C3−36環状ケトン/C3−36スルトン骨格を有する環状基;P〜Pは、それぞれ独立に、置換基を有してもよいC3−36芳香族炭化水素基/C1−6脂肪族炭化水素基を表し、P〜Pのうちの2つが互いに結合して環を形成してもよい。] (もっと読む)


【課題】優れた形状、DOF及びMEFを有するパターンを形成するレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式(AA)で表される塩と、式(II)で表される化合物に由来する繰り返し単位を有する樹脂とを含むレジスト組成物。


[式中、Q及びQはF又はペルフルオロアルキル基;Xは単結合又は2価の飽和炭化水素基;Tは脂環式炭化水素基、該基に含まれるHは、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、グリシジルオキシ基又はアシル基で置換されていてもよく、該基に含まれる−CH−は、少なくとも1つの−SO−で置き換わり、さらに−CO−、−O−、−S−等で置き換わっていてもよい;Zは有機カチオン;Rは、H、ハロゲン原子又はハロゲン原子含有アルキル基;Xは、−CH−、−O−又は−S−を表す。] (もっと読む)


【課題】より優れた特性を示すポリマーレジスト材料を与える、ラクトン構造を有する高純度モノマー化合物製造方法の提供。
【解決手段】高純度の下記一般式(IV)で表されるモノマー化合物の製造方法。


(R〜Rは水素原子、または直鎖状、分岐状もしくは環状の炭素数1〜10の炭化水素基であり;RとRの一方は(メタ)アクリロイルオキシ基、他方は−OR13で表される置換基であり;R13は直鎖状、分岐状または環状の炭素数1〜10の炭化水素基である) (もっと読む)


【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、EUV、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、一般式(1a)で示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
ROC(=O)R1−COOCH2CF2SO3-+ (1a)
(ROは水酸基、又は炭素数1〜20のオルガノオキシ基を示す。R1は炭素数1〜20の二価の脂肪族基を示し、ROと共に単環もしくは多環構造を形成していてもよい。)
【効果】本発明の光酸発生剤は、レジスト材料中の樹脂類との相溶性がよく、酸拡散制御を行うことができる。これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。更にはArF液浸露光の際の水への溶出も抑えることができるのみならず、ウエハー上に残る水の影響も少なく、欠陥も抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】 得られる重合物の屈折率が高く、且つ耐熱性や耐光性に優れ、発光ダイオード、プラスチックレンズ、プリズム、光ファイバー、情報記録媒体用基板、フィルター等の光学部品等の材料として有用な新規材料を提供する。
【解決手段】一般式(1)で表される重合性脂環式化合物、及び、該重合性脂環式化合物を重合させてなる重合物。
【化0】


(1)
(式中、Rは、(メタ)アクリロイルオキシ基、ビニルオキシ基、又はアリルオキシ基を表し、Rはフェニル基を表す(ただしフェニル基は、炭素原子数1〜3のアルキル基を置換基として有していてもよい)。 (もっと読む)


【課題】高純度テトラカルボン酸二無水物の製造。この高純度テトラカルボン酸二無水物から重合物を製造する方法の提供。
【解決手段】1気圧、25℃の測定条件における、溶解度パラメータδ(単位:MPa1/2)が21.3以上の有機溶媒の存在下で再結晶を行う酸二無水物の製造方法。


(式(1)中、Aは2価の基を示す。X、X、X、X、X、およびXは各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトリル基、ニトロ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、またはアミド基。炭素含有基は、その炭素数は10以下である。nは0、1または2の整数を表す。) (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、塗料や樹脂原料として有用であるラクトン環を有する(メタ)アクリル酸エステルとしての2−(メタ)アクリロイルオキシ−6−シアノ−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナンの製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、下記式(1)
【化1】


で示される反応工程を含むことを特徴とする2−(メタ)アクリロイルオキシ−6−シアノ−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナンの製造方法を提供する。
(もっと読む)


【課題】 温和な条件で簡便にフラン誘導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、対称性メソ化合物と、β−ケトエステル、β−ケトアミド、および1,3−ジケトンから選ばれた1種とを、パラジウム触媒下で反応させ、フラン誘導体を製造する、フラン誘導体の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】肺性心治療剤を提供する。
【解決手段】


に代表されるプロスタグランジンI2 誘導体を有効成分とする。 (もっと読む)


【解決手段】下記一般式(1)で示されるラクトン含有化合物。


(式中、A1は炭素−炭素二重結合を有する重合性官能基を示す。R1は構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の一価炭化水素基を示す。WはCH2、酸素原子、硫黄原子のいずれかを示す。)
【効果】本発明のラクトン含有化合物は、機能性材料、医薬・農薬等の原料として有用であり、中でも波長500nm以下、特に波長300nm以下の放射線に対して優れた透明性を有し、現像特性の良好な感放射線レジスト組成物のベース樹脂を製造するための単量体として非常に有用である。また、本発明の重合体を感放射線レジスト組成物のベース樹脂として用いた場合、高解像性かつ液侵媒体である水への溶出及び水の浸入を抑制し、この高分子化合物がレジスト材料として精密な微細加工に極めて有効である。 (もっと読む)


【解決手段】一般式(1)の重合による、繰り返し単位(2)を含むレジスト材料。


(R1はF、又はフッ素化されたアルキル基。R2はH、又はアルキル基。R3はO、又はアルキレン基。R4及びR5はH、又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基。R6はH又は酸不安定基。)
【効果】レジスト材料は、ArF露光において優れた解像性と透明性、エッチング耐性を有し、ArF液浸リソグラフィーでも高い性能を発揮する。 (もっと読む)


【課題】 天然に存在する各種生理活性物質と同様の構造の化合物を効率よく、また選択性よく化学合成法で合成するための手段が必要とされている。
【解決手段】
このような複雑な反応系において、紫外光を用いて光を十分に照射し反応を行うことによって、副反応を抑え選択的に天然に存在する各種生理活性物質と同様の構造の化合物を効率よく一段階で合成できることが確認された。 (もっと読む)


【課題】良好なパターン形状を有するパターンを形成することができ、高い解像度を示す化学増幅型レジスト組成物を与える酸発生剤となる塩を提供する。
【解決手段】式(I)で示されることを特徴とする塩。


(式中、Q1、Q2は互いに独立にフッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表し、環Yは炭素数3〜30の単環式または多環式炭化水素基を表し、環構造中にエステル結合を有する。nは0〜12の整数を表し、A+は有機対イオンを表す。式中の環Yは炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜4のペルフルオロアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基、水酸基又はシアノ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。) (もっと読む)


本発明は、新規なシクロペンタ[b]ベンゾフラン誘導体、その製造方法および薬剤、特に細胞ストレスの上昇、局所または全身炎症過程または過剰増殖によって特徴付けられる急性または慢性疾患の予防および/または治療のための薬剤の製造のためのその使用に関する。
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【課題】本発明はas−インダセン誘導体類を含有する液晶媒体および其の液晶媒体を具備する電気光学的表示要素に関する。本発明は負誘電異方性でVA表示器用の液晶媒体での使用に適するas−インダセン誘導体類に関する。
【解決手段】本発明は式(I)のasインダセン誘導体類に関する:



但し、X、X、R、R、A、A、Z、Z、m、n及び環B及びB’は請求項1に定義される通りである。 (もっと読む)


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